本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基础层，包括上基础层以及在上基础层的后表面上的下基础层；至少一个发光元件，在上基础层的表面上；以及至少一个焊盘，在上基础层的后表面上并且包括与上基础层相邻的第一焊盘层和与下基础层相邻的第二焊盘层。第二焊盘层包括氧化铟锌(IZO)。层。第二焊盘层包括氧化铟锌(IZO)。层。第二焊盘层包括氧化铟锌(IZO)。
【技术实现步骤摘要】
显示装置以及制造其的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月30日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2022
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0066249号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
[0003]本公开涉及不损坏焊盘并且具有改善的电信号的可靠性的显示装置以及制造其的方法。
技术介绍
[0004]随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性已经得到重视。响应于此，已经增加诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等的显示装置的使用。
[0005]用于驱动显示装置中的像素的驱动芯片的位置可以被不同地确定。例如，驱动芯片可以设置在显示装置的后表面上。在此情况下，用于将驱动芯片电连接到显示装置的组件的焊盘可以设置成与显示装置的后表面相邻。同时，焊盘可以用作可以提供到显示装置的像素的电信号的路径。因此，需要防止对焊盘的损坏。
[0006]应当理解，本
技术介绍
部分旨在部分地为理解技术提供有用的背景。然而，本
技术介绍
部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域中的技术人员所理解的部分的思想、构思或认识。
技术实现思路
[0007]本公开的目的是提供能够通过防止对焊盘的损坏而显著改善电信号的可靠性的显示装置。
[0008]另一目的是提供制造显示装置的方法。
[0009]然而，本公开的实施方式不限于本文中所阐述的实施方式。通过参考下面给出的本公开的详细描述，以上和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
[0010]根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置可以包括：基础层，包括上基础层以及在上基础层的后表面上的下基础层；至少一个发光元件，在上基础层的表面上；以及至少一个焊盘，在上基础层的后表面上并且包括与上基础层相邻的第一焊盘层和与下基础层相邻的第二焊盘层。第二焊盘层可以包括氧化铟锌(IZO)。
[0011]根据一个或多个实施方式，显示装置还可以包括：显示区域，其中设置包括至少一个发光元件的像素；非显示区域，与显示区域的至少一部分相邻；驱动芯片，向像素提供电信号；以及膜上芯片，其上设置驱动芯片。至少一个焊盘可以电连接到膜上芯片，并且膜上芯片和驱动芯片可以在平面图中与显示区域重叠。
[0012]根据一个或多个实施方式，在平面图中，下基础层可以不与第二焊盘层重叠，并且形成开口区域。
[0013]根据一个或多个实施方式，显示装置还可以包括：下连接电极，设置在上基础层的表面上并且电连接到至少一个焊盘。
[0014]根据一个或多个实施方式，至少一个焊盘各自可以包括延伸焊盘层。延伸焊盘层和第一焊盘层可以彼此一体。下连接电极可以电连接到延伸焊盘层。
[0015]根据一个或多个实施方式，基础层还可以包括：阻隔层，设置在上基础层和下基础层之间。阻隔层可以包括：第一阻隔层，与上基础层相邻；以及第二阻隔层，与下基础层相邻。第一阻隔层可以覆盖第一焊盘层的表面。
[0016]根据一个或多个实施方式，上基础层可以包括聚酰亚胺。下基础层可以包括聚酰亚胺。第一阻隔层可以具有其中包括氮化硅的层和包括氮氧化硅的层交替设置的结构。第二阻隔层可以具有其中包括非晶硅的层和包括氧化硅的层交替设置的结构。
[0017]根据一个或多个实施方式，第二阻隔层可以覆盖第一焊盘层的侧表面的一部分，可以暴露第一焊盘层的侧表面的另一部分，并且可以不覆盖第二焊盘层的侧表面，并且至少一个焊盘可以相对于阻隔层突出。
[0018]根据一个或多个实施方式，至少一个焊盘相对于阻隔层突出的突出的厚度可以大于第二焊盘层的厚度。
[0019]根据一个或多个实施方式，突出的厚度可以在约至约的范围内。第二焊盘层的厚度可以在约至约的范围内。
[0020]根据一个或多个实施方式，第二阻隔层可以覆盖第一焊盘层的整个侧表面并且可以暴露第二焊盘层的侧表面的至少一部分。
[0021]根据一个或多个实施方式，第二阻隔层可以暴露第二焊盘层的整个侧表面。
[0022]根据一个或多个实施方式，显示装置可以设置为多个，并且多个显示装置可以设置为拼接显示装置。
[0023]根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法可以包括：形成未蚀刻的基础层；在未蚀刻的基础层上设置包括下连接电极的像素电路层；在像素电路层上设置发光元件；以及去除未蚀刻的基础层的至少一部分。形成未蚀刻的基础层可以包括：提供上未蚀刻的基础层和下未蚀刻的基础层；在下未蚀刻的基础层上设置至少一个焊盘；在下未蚀刻的基础层上设置阻隔层；以及在阻隔层上图案化上未蚀刻的基础层。设置至少一个焊盘可以包括：在下未蚀刻的基础层上图案化第二焊盘层；以及在第二焊盘层上图案化第一焊盘层。下连接电极可以电连接到至少一个焊盘。去除未蚀刻的基础层的至少一部分可以包括：通过使用三氟化氮气体执行等离子体蚀刻工艺来暴露第二焊盘层的至少一部分。第二焊盘层可以包括氧化铟锌(IZO)。
[0024]根据一个或多个实施方式，等离子体蚀刻工艺可以是使用三氟化氮气体的干法蚀刻工艺。
[0025]根据一个或多个实施方式，在执行等离子体蚀刻工艺的情况下，第二焊盘层可以是用于第一焊盘层的蚀刻停止层。
[0026]根据一个或多个实施方式，去除未蚀刻的基础层的至少一部分可以包括：去除阻隔层的至少一部分以暴露第一焊盘层的侧表面的至少一部分以及第二焊盘层的侧表面和
表面。
[0027]根据一个或多个实施方式，去除未蚀刻的基础层的至少一部分可以包括：去除下未蚀刻的基础层的至少一部分以提供具有开口区域的下基础层。开口区域可以包括主开口区域和子开口区域。子开口区域可以与第一焊盘层的侧表面和第二焊盘层的侧表面相邻。
[0028]根据一个或多个实施方式，方法还可以包括：在至少一个焊盘上图案化连接电极；以及在下基础层的后表面上设置电连接到连接电极的膜上芯片。
[0029]根据一个或多个实施方式，图案化第一焊盘层可以包括：沉积具有在约至约的范围内的厚度的第一焊盘层，以及图案化第二焊盘层可以包括：沉积具有在约至约的范围内的厚度的第二焊盘层。
附图说明
[0030]通过参考附图详细描述本公开的实施方式，根据本公开的实施方式的另外的理解将变得更加显而易见，在附图中：
[0031]图1是示意性地示出根据一个或多个实施方式的发光元件的立体图；
[0032]图2是示意性地示出根据一个或多个实施方式的发光元件的剖视图；
[0033]图3和图4是示意性地示出根据一个或多个实施方式的显示装置的平面图；
[0034]图5是示意性地示出根据一个或多个实施方式的子像素的平面图；
[0035]图6是示意性地示出根据一个或多个实施方式的子像素的剖视图；
[0036]图7是示意性地示出根据一个或多个实施方式的像素的剖视图；
[0037]图8是示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.显示装置，包括：基础层，包括：上基础层；以及下基础层，在所述上基础层的后表面上；至少一个发光元件，在所述上基础层的表面上；以及至少一个焊盘，在所述上基础层的所述后表面上，并且包括：第一焊盘层，与所述上基础层相邻；以及第二焊盘层，与所述下基础层相邻，其中，所述第二焊盘层包括氧化铟锌。2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：显示区域，其中设置包括所述至少一个发光元件的像素；非显示区域，与所述显示区域的至少一部分相邻；驱动芯片，向所述像素提供电信号；以及膜上芯片，其上设置所述驱动芯片，其中，所述至少一个焊盘电连接到所述膜上芯片，以及所述膜上芯片和所述驱动芯片在平面图中与所述显示区域重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在平面图中，所述下基础层不与所述第二焊盘层重叠，并且形成开口区域。4.根据权利要求2所述的显示装置，还包括：下连接电极，在所述上基础层的所述表面上并且电连接到所述至少一个焊盘。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述至少一个焊盘各自包括延伸焊盘层，所述延伸焊盘层和所述第一焊盘层彼此一体，以及所述下连接电极电连接到所述延伸焊盘层。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基础层还包括在所述上基础层和所述下基础层之间的阻隔层，所述阻隔层包括：第一阻隔层，与所述上基础层相邻；以及第二阻隔层，与所述下基础层相邻，以及所述第一阻隔层覆盖所述第一焊盘层的表面。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述上基础层包括聚酰亚胺，所述下基础层包括聚酰亚胺，所述第一阻隔层具有其中包括氮化硅的层和包括氮氧化硅的层交替设置的结构，以及所述第二阻隔层具有其中包括非晶硅的层和包括氧化硅的层交替设置的结构。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二阻隔层覆盖所述第一焊盘层的侧表面的一部分，暴露所述第一焊盘层的所述侧表面的另一部分，并且不覆盖所述第二焊盘层的侧表面，以及所述至少一个焊盘相对于所述阻隔层突出。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述至少一个焊盘相对于所述阻隔层突出的突出的厚度大于所述第二焊盘层的厚度。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述突出的所述厚度在至的范围内，以及所述第二焊盘层的所述厚度在至的范围内。11.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二阻隔层覆盖所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金美仙，李东成，权容焄，金柄勳，金台吾，朴廷镇，崔世宪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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