一种对产品进行干蚀刻的真空腔体制造技术

本申请提供了一种对产品进行干蚀刻的真空腔体，包括：遮罩，遮罩包括：抽气区，设置为远离产品的拐角处并且配置为对真空腔体抽真空；以及非抽气区，具有设置为相对于抽气区邻近产品的拐角处并且配置为不对真空腔体抽真空的第一部分。本申请提供的真空腔体提高了对产品进行干蚀刻的均匀性。进行干蚀刻的均匀性。进行干蚀刻的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种对产品进行干蚀刻的真空腔体


[0001]本申请的实施例涉及真空腔体，更具体地，涉及一种对产品进行干蚀刻的真空腔体。

技术介绍

[0002]面板级扇出封装技术的一大难题为基板翘曲，因为在面板级扇出半导体器件产品的制作过程中，产品会出现翘曲现象，一般都会使用真空吸附的方式暂时抑制翘曲，但是不同于其他制程使用真空吸附的方式，在电浆灰化的真空(Descum)制程中，真空环境无法再使用真空吸附的方式，常见的作法是使用夹具来避免基板翘曲所造成电浆分布不均及电弧放电破坏(arcing)的问题，因此会以夹具下压的方式暂时抑制翘曲。
[0003]然而，在现有的真空腔体中，真空腔体周围具有排气孔，为了控制该排气孔的气压，参见图1A至图1C，一般在真空腔体1的侧壁1s上，即，抽真空的真空泵的泵路开口上，设计具有约6
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7个通孔11的遮罩10，单个通孔11的截面面积，即，参见图1B，在沿着相应通孔11的竖直中心线A
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A和水平中心线A
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A
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的截面中的截面面积，为约1000mm2‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，包括：遮罩，所述遮罩包括：抽气区，设置为远离所述产品的拐角处并且配置为对所述真空腔体抽真空；以及非抽气区，具有设置为相对于所述抽气区邻近所述产品的拐角处并且配置为不对所述真空腔体抽真空的第一部分。2.根据权利要求1所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述抽气区具有多个通孔。3.根据权利要求2所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述多个通孔为非矩阵式排列。4.根据权利要求2所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述非抽气区具有被遮挡的多个通孔。5.根据权利要求4所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，还包括：可变件，通过遮挡所述抽气区中的通孔或者打开所述非抽气区中的通孔来使得所述抽气区和所述非抽气区的面积变化。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖晋廷，蒋源峰，郭明苍，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：