一种对产品进行干蚀刻的真空腔体制造技术

本申请提供了一种对产品进行干蚀刻的真空腔体，包括：遮罩，遮罩包括：抽气区，设置为远离产品的拐角处并且配置为对真空腔体抽真空；以及非抽气区，具有设置为相对于抽气区邻近产品的拐角处并且配置为不对真空腔体抽真空的第一部分。本申请提供的真空腔体提高了对产品进行干蚀刻的均匀性。进行干蚀刻的均匀性。进行干蚀刻的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种对产品进行干蚀刻的真空腔体


[0001]本申请的实施例涉及真空腔体，更具体地，涉及一种对产品进行干蚀刻的真空腔体。

技术介绍

[0002]面板级扇出封装技术的一大难题为基板翘曲，因为在面板级扇出半导体器件产品的制作过程中，产品会出现翘曲现象，一般都会使用真空吸附的方式暂时抑制翘曲，但是不同于其他制程使用真空吸附的方式，在电浆灰化的真空(Descum)制程中，真空环境无法再使用真空吸附的方式，常见的作法是使用夹具来避免基板翘曲所造成电浆分布不均及电弧放电破坏(arcing)的问题，因此会以夹具下压的方式暂时抑制翘曲。
[0003]然而，在现有的真空腔体中，真空腔体周围具有排气孔，为了控制该排气孔的气压，参见图1A至图1C，一般在真空腔体1的侧壁1s上，即，抽真空的真空泵的泵路开口上，设计具有约6
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7个通孔11的遮罩10，单个通孔11的截面面积，即，参见图1B，在沿着相应通孔11的竖直中心线A
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A和水平中心线A
’‑
A
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的截面中的截面面积，为约1000mm2‑
1300mm2，诸如为约1200mm2。单个通孔11的较大面积使得在周围的气压控制上弹性较低，调整单颗孔洞影响范围大，不利局部均匀性控制，并且参见图1B和图1C，在真空腔体1中，对产品13进行蚀刻时，通常会对设置在真空腔体1的底部1d上的产品13使用夹具12，而在使用夹具12时，夹具会在平坦的产品13表面形成凹凸结构R(夹具12为凸，产品13为凹)，凹凸结构R的转角T1
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T4、T12
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T17以及T21
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T71相比之下属于尖端，容易累积电荷，四个拐角T1、T2、T3和T4处尤为明显，因此，容易吸引电浆聚集，使得夹具12旁的蚀刻率偏高，进而使蚀刻量偏高，造成产品13表面的蚀刻速率不均匀。目前对于此问题仍无法有效改善。

技术实现思路

[0004]为了解决上述相关技术问题，本申请通过调整特定区域(诸如拐角处)的电浆密度来达到控制干蚀刻的蚀刻速率以解决电浆聚集在特定区域处造成蚀刻速率不均匀的问题。
[0005]本申请提供了一种对产品进行干蚀刻的真空腔体，包括：遮罩，该遮罩包括：抽气区，设置为远离产品的拐角处并且配置为对真空腔体抽真空；以及非抽气区，具有设置为相对于抽气区邻近产品的拐角处并且配置为不对真空腔体抽真空的第一部分。
[0006]在一些实施例中，抽气区具有多个通孔。
[0007]在一些实施例中，多个通孔为非矩阵式排列。
[0008]在一些实施例中，非抽气区具有被遮挡的多个通孔。
[0009]在一些实施例中，该真空腔体还包括：可变件，通过遮挡抽气区中的通孔或者打开非抽气区中的通孔来使得抽气区和非抽气区的面积变化。
[0010]在一些实施例中，该真空腔体，还包括：控制件，配置为控制所述可变件在所述遮挡在所述打开之间切换。
[0011]在一些实施例中，抽气区和非抽气区的面积变化是互补的。
[0012]在一些实施例中，对于所述抽气区的所述多个通孔和所述非抽气区的所述多个通孔而言，任意单个通孔的面积与所述遮罩的面积的比率介于0.25％～5.7％之间。
[0013]在一些实施例中，对于所述抽气区的所述多个通孔和所述非抽气区的所述多个通孔而言，任意单个通孔的面积与所述遮罩的面积的比率介于0.5％～1％之间。
[0014]在一些实施例中，遮罩设置在所述真空腔体的侧壁上。
[0015]在一些实施例中，遮罩设置在用于抽真空的真空泵的泵路开口处。
[0016]在一些实施例中，非抽气区的所述第一部分分别设置在所述抽气区的相对两侧，并且所述非抽气区还包括设置在所述抽气区上方的第二部分。
[0017]在一些实施例中，非抽气区的所述第一部分和所述第二部分均具有被遮挡的多个通孔。
[0018]在一些实施例中，所述抽气区是具有多个通孔的板体，并且所述非抽气区是没有通孔的封闭板体。
[0019]在一些实施例中，产品是矩形板体，并且所述拐角为所述矩形板体的四个直角。
[0020]在一些实施例中，所述产品为面板级扇出半导体器件。
[0021]在一些实施例中，所述抽气区中的所述多个通孔和所述非抽气区中的所述多个通孔一起形成2行多列的矩形阵列。
[0022]在一些实施例中，产品固定在所述真空腔体的底部处，并且所述遮罩高于所述产品的顶面。
[0023]在一些实施例中，产品通过夹具固定。
[0024]在一些实施例中，抽气区中的所述多个通孔和所述非抽气区中的所述多个通孔分布均匀。
[0025]综上，在本申请提供的真空腔体中，通过调整遮罩中抽气区的通孔的分布来进一步控制电浆密度，从而解决蚀刻产品表面速率不均匀的问题。
附图说明
[0026]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0027]图1A至图1B是根据现有技术的遮罩和真空腔体。
[0028]图1C示出了设置有现有技术的遮罩的真空腔体的立体图。
[0029]图2至图3是根据本申请的一些实施例的遮罩。
[0030]图4至图5是根据本申请的一些实施例的真空腔体。
[0031]图6示出了根据本申请的实施例的设置有遮罩的真空腔体的立体图。
具体实施方式
[0032]以下公开内容提供了许多用于实现本技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本技术。
[0033]本申请通过在干蚀刻真空腔体的侧壁的泵路开口处设置具有多个致密、细小的开
口的遮罩来提供均匀的抽气效果，进而达到均匀的电浆分布，从而使得蚀刻速率均匀。
[0034]具体地，参见图2至图4，提供了一种对产品103(见图4)进行干蚀刻的真空腔体1000(见图4)，具体地，参见图2至图4，真空腔体1000包括遮罩100，该遮罩100包括：抽气区101A，设置为远离产品103的拐角(诸如拐角T1
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、T2
’
、T3
’
和T4
’
)处并且配置为对真空腔体1000抽真空；以及非抽气区101B，具有设置为相对于抽气区101A邻近产品的拐角T1
’‑
T4
’
处并且配置为不对真空腔体1000抽真空的第一部分101B
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1。在一些实施例中，该抽气区101A具有多个通孔101At。进一步地，从图4中可以看出，该多个通孔101At为矩阵式排列，但是该多个通孔101At也可以是非矩阵式排列。在一些实施例中，该通孔101At可以根据需要进行设置，可以任意排列成任何合适的形状。在一些实施例中，该非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，包括：遮罩，所述遮罩包括：抽气区，设置为远离所述产品的拐角处并且配置为对所述真空腔体抽真空；以及非抽气区，具有设置为相对于所述抽气区邻近所述产品的拐角处并且配置为不对所述真空腔体抽真空的第一部分。2.根据权利要求1所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述抽气区具有多个通孔。3.根据权利要求2所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述多个通孔为非矩阵式排列。4.根据权利要求2所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，所述非抽气区具有被遮挡的多个通孔。5.根据权利要求4所述的对产品进行干蚀刻的真空腔体，其特征在于，还包括：可变件，通过遮挡所述抽气区中的通孔或者打开所述非抽气区中的通孔来使得所述抽气区和所述非抽气区的面积变化。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖晋廷，蒋源峰，郭明苍，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：