一种界面污物的测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种界面污物的测量装置

【技术实现步骤摘要】
一种界面污物的测量装置、方法及物料处理方法


[0001]本专利技术属于核燃料后处理测控
，具体涉及一种界面污物的测量装置
、
测量方法及物料处理方法
。

技术介绍

[0002]核燃料后处理领域的工艺流程十分复杂，其中，湿法工艺流程中的大量贮槽包含两相
(
水相
、
有机相
)
或多相介质，且介质具有极高的放射性，运行期间介质中存在的放射性射线会降解有机溶剂并产生乳化物，在水相和有机相之间产生一层界面污物
。
该层界面污物为非常粘稠的混合物，成分复杂，并且在水相和有机相之间呈不均匀分布
。
且该界面污物的密度介于水相和有机相之间，三项介质之间的密度差非常小
。
[0003]该层界面污物的存在使得两相界面的准确测量难以实现，并会影响工艺设备的运行
。
如果操作人员不了解废液贮槽内界面污物的具体情况，则无法将这层无用的界面污物彻底地排出或破坏掉，将使界面污物进入后续工艺流程，对生产的正常运行产生极大影响
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种界面污物的测量装置，其特征在于，包括射频导纳组件和分析模块，射频导纳组件，包括第一检测探头和第二检测探头，第一检测探头，用于检测界面污物与水相之间下界面的位置的导纳数据，第二检测探头，用于检测有机相与界面污物之间上界面位置的导纳数据，分析模块，与射频导纳组件连接，用于根据第一检测探头和第二检测探头所检测的导纳数据分析界面污物的位置
。2.
根据权利要求1所述的装置，其特征在于，第一检测探头包括第一有效电极，第二检测探头包括第二有效电极，第一有效电极的上端边缘与第二有效电极的下端边缘处于同一水平面
。3.
根据权利要求2所述的装置，其特征在于，第一检测探头还包括第一屏蔽段，第二检测探头还包括第二屏蔽段，第一屏蔽段，与第一有效电极的上端连接，第一屏蔽段的长度用于根据公式
(1)
确定：
L2
＝
H+h
‑
L1
‑
L
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
第二屏蔽段，与第二有效电极的上端连接，第二屏蔽段的长度用于根据公式
(2)
确定：
L4
＝
H+h
‑
L1
‑
L
‑
L3
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
其中，
L2
为第一屏蔽段的长度，
L4
为第二屏蔽段的长度，
H
为贮槽高度，
h
为第一检测探头和第二检测探头的仪表管口高度，
L1
为第一有效电极的长度，
L3
为第二有效电极的长度，
L
为第一有效电极的下端边缘距贮槽底板的高度
。4.
根据权利要求3所述的装置，其特征在于，分析模块包括第一分析单元和第二分析单元，第一分析单元，用于根据公式
(3)
分析出界面污物与水相之间下界面的位置：
S1
＝
h2+L
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)
其中，
h2
满足
Y1
＝
Y0
′
+K1*h2
，
h2
为界面污物与水相之间下界面高度的关键参数，
Y1
为第一检测探头所检测的导纳数据，
Y0
′
和
K1
是与水相介电常数
、
界面污物介电常数
、
第一有效电极的长度
、
贮槽结构相关的常数，第二分析单元，用于根据公式
(4)
分析出有机相与界面污物之间上界面的位置：
S2
＝
h1+L1+L
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
其中，
h1
满足
Y2
＝
Y0+K2*h1
，
h1
为有机相与界面污物之间上界面高度的关键参数，
Y2
为第二检测探头所检测的导纳数据，
Y0
和
K2
是与有机相介电常数
、
界面污物介电常数
、
第二有效电极的长度
、
贮槽结构相关的常数
。5.
根据权利要求1所述的装置，其特征在于，射频导纳组件还包括变送器和耐辐照电缆，变送器，通过耐辐照电缆分别与第一检测探头和第二检测探头连接，用于转换信号并输出第一检测探头和第二检测探头所检测的导纳数据，变送器用于安装在低放射性区域，第一检测探头和第二检测探头用于安装在贮槽所在的高放射性区域
。6.
一种应用...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤凤娜，刘思源，刘晓莉，马世海，冯存强，李睿，王志勇，张博，崔国华，朱世钊，闫耔文，邹洪伶，
申请(专利权)人：中国核电工程有限公司，
类型：发明
国别省市：