【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子器件
,尤其涉及一种用于对桥堆进行老化的控制电路。
技术介绍
电子器件的老化在高可靠性要求的电子设备经常遇到的问题,对于不同的电子器 件通常都有相应的老化电路。实践中,桥堆这种器件对老化电路的要求比较高,现有的控制 电路往往太过复杂,很难进行老化参数的调整,也就无法适应可变的老化过程要求。
技术实现思路
本技术公开了一种桥堆老化控制电路,目的是解决现有桥堆老化电路过于复 杂,老化参数难于调整的问题。本技术的技术方案是,一种桥堆老化控制电路,进行老化的桥堆由二极管Da、 二极管Db、二极管Dc和二极管Dd组成,二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块通过 开关J2连到所述桥堆的第一输出端,二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块通过开 关J4连到所述桥堆的第二输出端,变压器输出线圈2B的一端通过开关Jl连到所述桥堆的 第一输入端,变压器输出线圈2B的另一端通过可控硅S2和可控硅S3分别连到所述二极管 Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模 块,变压器输出线圈IB的一端通过开关J3连到所述桥堆的第二输入端, ...
【技术保护点】
一种桥堆老化控制电路,进行老化的桥堆由二极管Da、二极管Db、二极管Dc和二极管Dd组成,其特征在于,包括二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块通过开关J2连到所述桥堆的第一输出端,二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块通过开关J4连到所述桥堆的第二输出端,变压器输出线圈2B的一端通过开关J1连到所述桥堆的第一输入端,变压器输出线圈2B的另一端通过可控硅S2和可控硅S3分别连到所述二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块,变压器输出线圈1B的一端通过开关J3连到所述桥堆的第二输入端,变压器输出线圈1B的另一端通过可控 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:卓郑安,
申请(专利权)人:上海工程技术大学,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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