【技术实现步骤摘要】
光体积变化描记图法的发光二极管驱动器以及电流驱动器
[0001]本专利技术涉及驱动器,尤其涉及用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器与电流驱动器
。
技术介绍
[0002]光体积变化描记图法
(Photoplethysmography
;
PPG)
技术涉及以可控光源
(
例如:发光二极管
(LED))
照射皮肤并测量光吸收的变化量,且可用于多种应用
(
例如:心律与血氧的测量
)。
一
PPG
电子产品可能包含多个
LED
,该些
LED
分别用来照射不同位置的皮肤,且每个
LED
是由一专属的
/
共享的电流驱动电路来驱动
。
然而,该些
LED
不一定要同时操作;因此,每个
LED
与其相对应的电流驱动电路之间会设置一开关
(
例如:金氧半导体
(MOS)
晶体管
)
,
N
个
LED
与其相对应的电流驱动电路之间会设置
N
个开关
。
当该开关开启时,该
LED
依据一驱动电流以操作;当该开关关闭时,该
LED
没有电流流过而不操作
。
[0003]承上所述,由于每个
LED
操作时通常需要一大驱动电流<
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器,包含:一操作放大器,包含一操作放大器输入端
、
一操作放大器反相输入端与一操作放大器输出端,其中该操作放大器输入端用来接收一参考电压,该操作放大器反相输入端用来接收一反馈电压,该操作放大器输出端用来输出一控制电压;
N
个电流驱动电路,其中该
N
为正整数,该
N
个电流驱动电路的每一个耦接一发光二极管电流路径,该
N
个电流驱动电路分别耦接
N
个发光二极管电流路径,该
N
个电流驱动电路的每一个能操作于一致能模式与一禁能模式的其中之一,并包含:一
N
通道金氧半导体晶体管,包含一漏极
、
一源极与一栅极,其中该漏极不经由任何开关耦接该发光二极管电流路径,该源极经由一反馈节点耦接该操作放大器反相输入端,该栅极用来在该致能模式下接收该控制电压以及在该禁能模式下接收一偏压端的一偏压,该反馈节点的电压为该反馈电压;以及一开关电路,用来在该致能模式下耦接该操作放大器输出端与该栅极,以让该控制电压控制该
N
通道金氧半导体晶体管,该开关电路还在该禁能模式下耦接该偏压端与该栅极,以让该偏压禁能该
N
通道金氧半导体晶体管;以及一电阻电路,耦接于该反馈节点与一低电压端之间,用来与该反馈电压共同决定流过该
N
个电流驱动电路的一总电流
。2.
根据权利要求1所述的用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器,其中在该禁能模式下,该
N
通道金氧半导体晶体管被关闭,此时该
N
通道金氧半导体晶体管的该漏极仍经由该发光二极管电流路径电性连接一发光二极管
。3.
根据权利要求1所述的用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器,其中该
N
大于一,该
N
个电流驱动电路的一部分操作于该致能模式,该
N
个电流驱动电路的其他部分操作于该禁能模式
。4.
根据权利要求1所述的用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器,其中该
N
通道金氧半导体晶体管具有一
N
通道金氧半导体电路面积可耐受一最大
N
通道金氧半导体电流;该开关电路包含一第一开关与一第二开关,该第一开关用来在该致能模式下耦接该操作放大器输出端与该栅极,该第二开关用来在该禁能模式下耦接该偏压端与该栅极,该第一开关与该第二开关的每一个具有一开关电路面积可耐受一最大开关电流;以及该
N
通道金氧半导体电路面积大于该开关电路面积
。5.
根据权利要求1所述的用于光体积变化描记图法的发光二极管驱动器,其中该偏压...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘彦威,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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