用于沉积处理的基于模型的参数调整制造技术

一种系统可包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；以及化学品罐，所述化学品罐在沉积工艺期间向所述处理站提供液体。所述化学品罐可向控制器提供所述液体的特性的测量。所述控制器可被配置为：从所述化学品罐接收所述测量；向经训练的模型提供基于所述测量的输入，所述经训练的模型被配置为生成调整所述第一站的操作参数的输出，使得所述材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性；以及使所述第一站使用由所述输出所调整的所述操作参数在第二晶片上沉积所述材料。片上沉积所述材料。片上沉积所述材料。

【技术实现步骤摘要】
用于沉积处理的基于模型的参数调整
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月24日提交的名称为“MODEL
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BASED PARAMETER ADJUSTMENTS FOR DEPOSITION PROCESSES(用于沉积处理的基于模型的参数调整)”的第17/751,955号美国非临时申请的权益和优先权，该申请的内容出于所有目的全文以引用方式并入本文。


[0003]本公开内容总体涉及调整由半导体处理站运行的配方中的参数。更具体地，本公开内容描述了使用和训练模型来生成站点的操作参数的调整。

技术介绍

[0004]电镀使用电沉积来在物体上涂覆金属层。通常，阳极和阴极放置在电解质化学浴中并暴露于电流。电力致使带负电荷的阴离子移动到阳极并使带正电荷的阳离子转移到阴极。这个处理用来自阳极材料的均匀金属涂层覆盖或镀覆阴极的期望部分。虽然电镀在许多不同行业中有所应用，但是这种技术广泛用于半导体制造处理，以在半导体晶片上沉积金属层。电化学沉积腔室可将半导体晶片浸没在电解质液的化学浴中。阳极可分布在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，所述系统包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；化学品罐，所述化学品罐被配置为向所述第一半导体处理站提供液体，以在所述第一半导体晶片上沉积所述材料，其中所述化学品罐包括一个或多个传感器，所述一个或多个传感器测量所述液体的特性；以及控制器，所述控制器被配置为执行操作，所述操作包括：从所述化学品罐的所述一个或多个传感器接收所述测量；向经训练的模型提供基于来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量的输入，其中所述经训练的模型被配置为生成调整所述第一半导体处理站的操作参数的输出，使得所述材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性；以及使所述第一半导体处理站使用由所述输出所调整的所述操作参数在第二半导体晶片上沉积所述材料。2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一半导体处理站包括电化学沉积站。3.如权利要求1所述的系统，进一步包括第二半导体处理站，所述第二半导体处理站包括计量站，所述计量站在所述第一半导体晶片上执行参数测量。4.如权利要求3所述的系统，进一步包括第三半导体处理站，所述第三半导体处理站被配置为从所述第一半导体晶片去除光刻胶层，其中所述第三半导体处理站在所述第一半导体晶片被所述第一半导体处理站处理之后且在所述第一半导体晶片被所述第二半导体处理站处理之前接收所述第一半导体晶片。5.如权利要求3所述的系统，进一步包括第三半导体处理站，所述第三半导体处理站被配置为在所述第一半导体晶片上执行冲洗和干燥处理，其中所述第三半导体处理站在所述第一半导体晶片被所述第一半导体处理站处理之后且在所述第一半导体晶片被所述第二半导体处理站处理之前接收所述第一半导体晶片。6.如权利要求1所述的系统，其中来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量指示所述材料的所述厚度均匀性。7.如权利要求1所述的系统，其中来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量包括所述材料的电导率或电阻率测量。8.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括中央计算机系统，所述中央计算机系统与所述第一半导体处理站和第二半导体处理站通信。9.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括用于所述第一半导体处理站的第一集成控制器，所述第一集成控制器与用于第二半导体处理站的第二集成控制器通信。10.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质包括指令，所述指令当由一个或多个处理器执行时使所述一个或多个处理器执行操作，所述操作包括：从化学品罐的一个或多个传感器接收测量，其中：第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；并且所述化学品罐被配置为向所述第一半导体处理站提供液体，以在所述第一半导体晶片上沉积所述材料，其中所述一个或多个传感器测量所述液体的特性；向经训练的模型提供基于来自所述化学品罐...

【专利技术属性】
技术研发人员：山姆，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：