【技术实现步骤摘要】
传感器模块
[0001]本专利技术的实施方式之一涉及传感器模块及具备传感器模块的显示装置。例如,本专利技术的实施方式之一涉及非接触式传感器模块及具备非接触式传感器模块的显示装置。
技术介绍
[0002]作为用于向信息终端输入信息的接口之一,广泛使用静电电容式的传感器模块。在传感器模块中,当输入单元靠近呈矩阵状排列的多个传感器电极时,在传感器电极与输入单元之间以及与传感器电极连接的布线与输入单元之间形成虚拟的电容元件,结果使得传感器电极的电位变动。通过适当地排除由后者的电容元件引起的传感器电极的电位变动,能够准确地指定输入位置(例如参照专利文献1。)。
[0003]专利文献1:日本特开2014
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10603号公报
技术实现思路
[0004]本专利技术的实施方式之一的课题之一在于,提供具有新结构的传感器模块及具备该传感器模块的显示装置。或者,本专利技术的实施方式之一的课题之一在于,提供能够准确地确定靠近的输入单元的位置的传感器模块以及具备该传感器模块的显示装置。
[0005]本专 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器模块,构成为指定输入单元的位置,所述传感器模块具备:多个传感器电极,配置为具有第一行至第m行和第一列至第n列的矩阵状;多个传感器布线,分别与所述多个传感器电极连接;多个辅助布线,分别与所述多个传感器电极连接,并从所述多个传感器电极朝向与所述多个传感器布线从所述多个传感器电极延伸的方向相反的方向延伸;以及驱动电路,与所述多个传感器布线连接,并构成为基于所述多个传感器电极的电位变动获取所述多个传感器电极的传感器值,与配置于相邻的两列中的一列的所述多个传感器电极连接的所述多个传感器布线的至少一部分和与配置于另一列的所述多个传感器电极连接的所述多个辅助布线的至少一部分配置于所述两列之间,所述驱动电路构成为:利用所述传感器值指定所述输入单元的所述位置,并且,在指定所述输入单元的所述位置时,执行校正处理,所述校正处理用于排除通过所述输入单元和所述多个传感器布线的一部分形成的静电电容的影响以及通过所述输入单元和所述多个辅助布线的一部分形成的静电电容的影响中的至少一方,所述m和所述n分别独立地是选自3以上的自然数中的常数。2.根据权利要求1所述的传感器模块,其中,所述校正处理包括第一校正处理和第二校正处理,所述驱动电路构成为:将呈现最大传感器值的所述传感器电极指定为峰值电极;判断所述最大传感器值是否超过第一阈值;以及在所述最大传感器值超过所述第一阈值的情况下,执行所述第一校正处理和所述第二校正处理中的至少一方,在所述最大传感器值为所述第一阈值以下的情况下,所述第一校正处理和所述第二校正处理都不执行。3.根据权利要求2所述的传感器模块,其中,所述第一阈值从所述传感器值的饱和值的50%以上且100%以下的范围内选择。4.根据权利要求2所述的传感器模块,其中,在所述峰值电极位于选自所述第一行至所述第m行中的第i行、且位于选自第二列至所述第n列中的第j列的情况下,所述驱动电路构成为:判断第i行第(j
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1)列的所述传感器电极的所述传感器值是否超过第二阈值;并且,在判断为所述第i行第(j
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1)列的所述传感器电极的所述传感器值为所述第二阈值以下的情况下,不执行所述第一校正处理,在判断为所述第i行第(j
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1)列的所述传感器电极的所述传感器值超过所述第二阈值的情况下,执行所述第一校正处理,所述第一校正处理包括:从第(i+1)行第(j
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1)列至第m行第(j
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1)列的所述传感器电极和第一行第j列至第(i
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1)行第j列的所述传感器电极中实际存在的所述传感器电极的所述传感器值中选择最小传感器值;在呈现所述最小传感器值的所述传感器电极位于所述第j列的情况下,算出从所述最小传感器值减去与呈现所述最小传感器值的所述传感器电极同一行的第(j
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1)列的所述传感器电极的所述传感器值而得到的值作为布线增量;
在呈现所述最小传感器值的所述传感器电极位于所述第(j
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1)列的情况下,算出从所述最小传感器值减去与呈现所述最小传感器值的所述传感器电极同一行的第j列的所述传感器电极的所述传感器值而得到的值作为所述布线增量;在所述布线增量为正的情况下,对于所述第(i+1)行第(j
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1)列至所述第m行第(j
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1)列的所述传感器电极和所述第一行第j列至所述第(i
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1)行第j列的所述传感器电极中实际存在的所述传感器电极的所述传感器值,执行减去所述布线增量的校正;以及在所述布线增量为0以下的情况下,对所述多个传感器电极的所述传感器值都不执行校正,所述i是选自1以上且所述m以下的自然数中的变量,所述j是选自1以上且所述n以下的自然数中的变量。5.根据权利要求4所述的传感器模块,其中,所述第二阈值从所述峰值电极的所述传感器值的50%以上且小于100%的范围内选择。6.根据权利要求2所述的传感器模块,其中,在所述峰值电极位于选自所述第一行至所...
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