感光化射线性或感放射线性树脂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种含有由通式

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法及化合物


[0001]本专利技术涉及感光化射线性或感放射线性树脂组合物
、
抗蚀剂膜
、
图案形成方法
、
电子器件的制造方法及化合物
。

技术介绍

[0002]以往，在
IC(Integrated Circuit
，集成电路
)
及
LSI(Large Scale Integration
，大规模集成电路
)
等半导体器件的制造工序中，通过使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物
(
典型地为抗蚀剂组合物
)
的光刻技术进行微细加工
。
近年来，随着集成电路的高集成化，要求形成亚微米区域或四分之一微米区域的超微细图案
。
伴随于此，曝光波长也从
g
射线向
i
射线
、
进而向
KrF
准分子激光等，呈现短波长化的趋势，目前已开发出以波长为
193nm
的
ArF
准分子激光作为光源的曝光机
。
另外，作为进一步提高分辨力的技术，正在开发在投影透镜与试样之间充满高折射率的液体
(
以下也称为“液浸液”)
的所谓液浸法
。
[0003]另外，现在除了准分子激光之外，还在开发使用电子束
(EB)、X
>射线及极紫外线
(EUV)
等的光刻技术
。
伴随于此，已开发出有效地感应各种光化射线或放射线的抗蚀剂组合物
。
[0004]作为可用于感光化射线性或感放射线性树脂组合物的光酸产生剂已知有各种化合物，例如专利文献1及2中记载有通过光化射线或放射线的照射分解而产生具有特定结构的酸的化合物
。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开
2013
‑
160955
号公报
[0008]专利文献2：日本特开
2004
‑
109976
号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]然而，依据本专利技术人等的研究，发现专利文献1及专利文献2中所记载的含有光酸产生剂的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，尤其在用于形成极微细
(
例如，线宽为
20nm
以下
)
的图案时所获得的图案形状有进一步改善的余地
。
[0011]本专利技术的课题在于提供一种在用于形成图案时可获得具有良好形状的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物
、
使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的抗蚀剂膜
、
图案形成方法
、
及电子器件的制造方法
、
以及可用于上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的化合物
。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等进行了深入研究，发现通过以下的构成能够解决上述课题
。
[0014][1][0015]一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有由下述通式
(S1)
表示的化合物及酸分解性树脂
。
[0016][
化学式
1][0017][0018]通式
(S1)
中，
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5分别独立地表示氢原子或取代基
。
其中，
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示含有由下述通式
(QR1)
表示的芳氧基的取代基
。Lq1表示单键或二价的连接基团
。M
+
表示有机阳离子
。
[0019][
化学式
2][0020][0021]通式
(QR1)
中，
G1、G2、G3、G4及
G5分别独立地表示氢原子或取代基
。
其中，
G1、G2、G3、G4及
G5中的至少一个表示含有酯基的取代基
。*
表示键合位置
。
[0022][2][0023]根据
[1]所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示吸电子基团
。
[0024][3][0025]根据
[1]或
[2]所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示氟原子或一价的氟代烃基
。
[0026][4][0027]根据
[1]～
[3]中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上述通式
(S1)
中的
Lq1表示单键
。
[0028][5][0029]根据
[1]～
[4]中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示由上述通式
(QR1)
表示的芳氧基
。
[0030][6][0031]根据
[5]所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上述通式
(S1)
中的
Q3表示由上述通式
(QR1)
表示的芳氧基
。
[0032][7][0033]根据
[1]～
[6]中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，通式
(QR1)
中的
G1、G2、G3、G4及
G5中的至少两个表示含有酯基的取代基
。
[0034][8][0035]根据
[1]～
[7]中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，上
述含有酯基的取代基为由下述通式
(GR1)
或
(GR2)
表示的基团
。
[0036][
化学式
3][0037][0038]通式
(GR1)
及
(GR2)
中，
Lg1及
Lg2分别独立地表示单键或二价的连接基团
。T1及
T2分别独立地表示有机基团
。*
表示与通式
(QR1)
中的苯环的键合位置
。
[0039][9][0040本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有由下述通式
(S1)
表示的化合物及酸分解性树脂，通式
(S1)
中，
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5分别独立地表示氢原子或取代基，其中，
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示含有由下述通式
(QR1)
表示的芳氧基的取代基；
Lq1表示单键或二价的连接基团；
M
+
表示有机阳离子，通式
(QR1)
中，
G1、G2、G3、G4及
G5分别独立地表示氢原子或取代基，其中，
G1、G2、G3、G4及
G5中的至少一个表示含有酯基的取代基；
*
表示键合位置
。2.
根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示吸电子基团
。3.
根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示氟原子或一价的氟代烃基
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述通式
(S1)
中的
Lq1表示单键
。5.
根据权利要求1～4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述通式
(S1)
中的
Q1、Q2、Q3、Q4及
Q5中的至少一个表示由所述通式
(QR1)
表示的芳氧基
。6.
根据权利要求5所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述通式
(S1)
中的
Q3表示由所述通式
(QR1)
表示的芳氧基
。7.
根据权利要求1～6中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，通式
(QR1)
中的
G1、G2、G3、G4及
G5中的至少两个表示含有酯基的取代基
。8.
根据权利要求1～7中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述含有酯基的取代基为由下述通式
(GR1)
或
(GR2)
表示的基团，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：户次洋佑，小岛雅史，后藤研由，藤卷锦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：