一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除浅槽隔离的第一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管的第一栅极结构包裹第一有源结构；在第一晶体管的顶部沉积第一绝缘层，并将第一绝缘层与载片晶圆键合；对第一晶体管进行倒片；去除衬底以及浅槽隔离的第二部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管的第二栅极结构包裹第二有源结构

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构
。

技术介绍

[0002]在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题
。
堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一
。
[0003]相关技术中，制备堆叠晶体管
(complementary field effect transistors
，
CFETs)
的工艺采用单片
(monolithic)
方案或是顺序
(sequential)
方案，均存在制备工艺难度大
、
复杂度高的问题
。
因此，为了简化工艺流程，降低制备难度，堆叠晶体管的制备工艺仍然需要持续的进行改进
。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，以实现多层堆叠晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对所述有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除所述浅槽隔离的第一部分，以暴露所述第一有源结构；基于所述第一有源结构，形成第一晶体管，所述第一晶体管的第一栅极结构包裹所述第一有源结构；在所述第一晶体管的顶部沉积第一绝缘层，并将所述第一绝缘层与载片晶圆键合；对所述第一晶体管进行倒片；去除所述衬底以及所述浅槽隔离的第二部分，以暴露所述第二有源结构；基于所述第二有源结构，形成第二晶体管，所述第二晶体管的第二栅极结构包裹所述第二有源结构
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在所述衬底的垂直方向非自对准
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一有源结构的表面沉积第一栅极介质层，以隔离所述第一栅极结构和所述第一有源结构；在所述第二有源结构的表面沉积第二栅极介质层，以隔离所述第二栅极结构和所述第二有源结构；其中，所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层的材料不同
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一有源结构的表面沉积第一栅极介质层之后，所述方法还包括：在所述第一栅极介质层之上，形成所述第一栅极结构；在所述第一栅极结构之上进行后道工艺，以形成所述第一晶体管
。5.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二有源结构的表面沉积第二栅极介质层之后，所述方法还包括：在所述第二栅极介质层之上，形成所述第二栅极结构；在所述第二栅极结构之上进行后道工艺，以形成所述第二晶体管
。6.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述衬底以及所述浅槽隔离的第二部分，包括：去除所述衬底；以及，刻蚀所述浅槽隔离的第二部分至预设高度，以形成浅槽隔离层，所述浅槽隔离层用于隔离所述第一晶体管和所述第二晶体管
。7.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成有源结构之后，所述方法还包括：在所述第一有源结构和所述第二有源结构的连接处进行离子注入，形成电学隔离层，所述电学隔离层用于对所述第一有源结构和所述第二有源结构进行电学隔离
。8.
根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子包括
P
型离子
、N
型离子或氧离子
。
9.
根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：