一种具有复合光栅结构的制造技术

本申请涉及激光器技术领域，特别涉及一种具有复合光栅结构的

【技术实现步骤摘要】
一种具有复合光栅结构的GaAs DFB激光器及其制备方法


[0001]本申请涉及激光器
，特别涉及一种具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器及其制备方法
。

技术介绍

[0002]GaAs
基大功率半导体激光器现已被广泛应用于生产加工
、
激光通信
、
医疗美容
、
自动控制以及军事武器等众多领域
。
在进一步提高大功率
GaAs
激光器的性能方面，主要从两方面提升，一是尽可能的提高激光器的功率，另外就是提高激光器的光学质量如实现单模，改善光斑质量等
。
一个很好的方法能实现单模激射是通过分布式光栅对
DFB
激光器里存在的光学模式进行调控，此种激光器也称之为
DFB(Distribute Feedback
，分布式反馈
)
激光器
。DFB
激光器可以实现单纵模工作
,
使其具有较好的时间相干性
。
而为了提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器，其特征在于，包括：衬底；下限制层，所述下限制层设置于所述衬底上；光栅，所述光栅设置于所述下限制层上，所述光栅内部以柱阵列形式设置有低折射率材料；第一下波导层，所述第一下波导层设置于所述下限制层，并位于所述光栅内；第二下波导层，所述第二下波导层设置于所述第一下波导层及所述光栅上；量子阱有源区，所述量子阱有源区设置于所述第二下波导层上；上波导层，所述上波导层设置于所述量子阱有源区上；上限制层，所述上限制层设置于所述上波导层上；和脊波导层，所述脊波导层设置于所述上限制层上
。2.
根据权利要求1所述的具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器，其特征在于，所述低折射率材料为空气，并以空气柱阵列形式设置在所述光栅内部
。3.
根据权利要求2所述的具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器，其特征在于，所述光栅由
GaAs
化合物组成
。4.
根据权利要求2所述的具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器，其特征在于，所述光栅内部的空气柱具有相同的高度
、
间距以及周期
。5.
根据权利要求1‑4任意一项所述的具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器，其特征在于，所述第一下波导层的掺杂浓度大于所述第二下波导层的掺杂浓度
。6.
一种具有复合光栅结构的
GaAs DFB
激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：设置一衬底；在所述衬底上生长下限制层；在所述下限制层上生长
GaAs
化合物层；在所述
GaAs
化合物层上刻蚀光栅；在所述下限制层上生长第一下波导层，所述第一波导层位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周少丰，陈华为，丁亮，
申请(专利权)人：深圳市星汉激光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：