占空比过渡区掩模校正制造技术

此处所述的实施方式提供形成具有连续增加或减少的占空比的光学器件结构的方法

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】占空比过渡区掩模校正
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的实施方式一般涉及用于增强
、
虚拟及混合现实的光学器件
。
更具体而言，此处所述的实施方式提供形成具有连续增加或减少的占空比的光学器件结构的方法
。
[0004]相关技术的描述
[0005]虚拟现实一般考虑为计算机产生的模拟环境，其中用户具有明显的实体存在感
。
虚拟现实体验可在
3D
中产生，且以头戴固定的显示器
(HMD)
检视，例如眼镜或具有近眼显示面板作为镜片的其他可穿戴显示器件，以显示取代实际环境的虚拟现实环境
。
[0006]然而，增强现实能够使得其中使用者仍可看穿眼镜或其他
HMD
器件的显示镜片以检视周遭环境的体验，而仍还看到产生用于显示器且出现作为环境的部分的虚拟对象的图像
。
增强现实可包括任何类型的输入，例如音频及触觉输入，以及虚拟图像
、
图形及视频，而强化或增强使用者体验的环境
。
作为新兴技术，增强现实具有许多挑战及设计限制
。
[0007]一个此挑战为在周围环境上覆盖地显示虚拟图像
。
包括波导组合器的光学器件，例如增强现实波导组合器，及平面光学器件，例如元表面
(metasurface)
，用以辅助图像的覆盖
。
产生的光传播穿过光学器件，直到光离开光学器件且覆盖在周围环境上r/>。
光学器件的光学器件结构包括多重离散区
。
然而，光由于在两个离散区之间突然的过渡而耗损，且因此减少光学器件的光学性能
。
[0008]因此，本领域中需要形成具有连续增加或减少占空比的光学器件结构的改善的方法
。
[0009]概述
[0010]在一个实施方式中，提供一种器件
。
器件包括多个光学器件结构
。
该多个光学器件结构具有横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度的临界尺寸
。
该多个光学器件结构的各个光学器件结构包括多个离散区
。
器件进一步包括多个过渡区，设置于该多个离散区的两个离散区之间
。
该多个过渡区的各个过渡区的该临界尺寸横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的该长度连续增加或减少
。
[0011]在另一实施方式中，提供一种器件
。
器件包括多个光学器件结构
。
该多个光学器件结构具有横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度的临界尺寸
。
该多个光学器件结构的各个光学器件结构包括多个离散区
。
器件进一步包括多个过渡区，设置于该多个离散区的两个离散区之间
。
该多个过渡区的各个过渡区的该临界尺寸横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度连续增加或减少
。
该多个光学器件结构的邻接光学器件结构包括间距
。
器件进一步包括占空比，以该多个光学器件结构的该临界尺寸除以该间距界定
。
该占空比横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的该长度连续增加或减少
。
[0012]仍在另一实施方式中，提供一种方法
。
方法包括编辑设计文件
。
该设计文件相对应至掩模
。
该掩模包括多个开口
。
该多个开口具有横跨该多个开口的长度连续增加或减少的宽度
。
方法进一步包括产生该掩模
。
该掩模待设置于设置于基板上的光刻胶上
。
方法进一步
包括透过定位于该光刻胶上的该掩模的该多个开口使光通过
。
方法进一步包括显影该光刻胶以形成图案化的光刻胶
。
该图案化的光刻胶相对应至该掩模的该多个开口
。
方法进一步包括图案化该基板或器件材料，以形成多个光学器件结构
。
该光学器件结构相对应至该掩模的该多个开口
。
该多个光学器件结构具有横跨该多个光学器件结构的长度连续增加或减少的临界尺寸
。
[0013]附图简要说明
[0014]以此方式可详细理解本公开内容以上所记载特征，且以上简要概述的本公开内容的更特定说明可通过参考实施方式而获得，某些实施方式图示于随附附图中
。
然而，应理解随附附图仅图标范例实施方式，且因此不应考虑为其范围的限制，且可认可其他均等效果的实施方式
。
[0015]图1根据此处所述的实施方式，为光学器件的透视
、
正面视图
。
[0016]图
2A
及图
2B
根据此处所述的实施方式，为多个光学器件结构的示意性顶部视图
。
[0017]图
3A
及图
3B
根据此处所述的实施方式，为基板的示意性截面视图
。
[0018]图
3C
根据此处所述的实施方式，为掩模的示意性顶部视图
。
[0019]图4根据此处所述的实施方式，为用于形成多个光学器件结构的方法的流程图
。
[0020]为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表共通附图中相同的元件
。
应考虑一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方式中而无须进一步说明
。
[0021]具体描述
[0022]本公开内容的实施方式一般涉及用于增强
、
虚拟及混合现实的光学器件
。
更具体而言，此处所述的实施方式提供形成具有连续增加或减少的占空比的光学器件结构的方法
。
在一个实施方式中，提供一种器件
。
器件包括多个光学器件结构
。
该多个光学器件结构具有横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度的临界尺寸
。
该多个光学器件结构的各个光学器件结构包括多个离散区
。
器件进一步包括多个过渡区，设置于该多个离散区的两个离散区之间
。
该多个过渡区的各个过渡区的该临界尺寸横跨该多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度连续增加或减少
。
[0023]图1图标光学器件
100
的透视
、
正面视图
。
在可与此处所述的其他实施方式结合的一个实施方式中，光学器件
100
为波导组合器，例如增强现实波导组合器
。
在可与此处所述的其他实施方式结合的另一实施方式中，光学器件
100
为平面光学器件，例如元表面
(metasurface)。
光学器件...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种器件，包含：多个光学器件结构，所述多个光学器件结构具有横跨所述多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度的临界尺寸，所述多个光学器件结构的各个光学器件结构具有：多个离散区；和多个过渡区，设置于所述多个离散区的两个离散区之间，所述多个过渡区的各个过渡区的临界尺寸横跨所述多个光学器件结构的各个光学器件结构的所述长度连续增加或减少
。2.
如权利要求1所述的器件，其中所述多个光学器件结构相对应至一个或多个光栅或母版的母版图案
。3.
如权利要求2所述的器件，其中所述一个或多个光栅包括输入耦合光栅
、
输出耦合光栅及中间光栅
。4.
如权利要求1所述的器件，其中所述多个光学器件结构的邻接光学器件结构的间距为恒定的
。5.
如权利要求4所述的器件，其中以所述多个光学器件结构的临界尺寸除以邻接光学器件结构的所述间距界定的占空比横跨所述多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度连续增加或减少
。6.
如权利要求5所述的器件，其中所述间距为介于约
280nm
及约
450nm
之间
。7.
如权利要求1所述的器件，其中所述多个光学器件结构在基板上形成，所述基板包括以下一者或多者：硅
(Si)、
二氧化硅
(SiO2)、
锗
(Ge)、
硅锗
(SiGe)、InP、GaAs、GaN、
熔融的硅石
、
石英
、
蓝宝石及高指数透明材料
。8.
如权利要求1所述的器件，其中所述多个光学器件结构以器件材料形成，所述器件材料包括以下一者或多者：含有碳化硅
(SiC)、
碳氧化硅
(SiOC)、
二氧化钛
(TiO2)、
二氧化硅
(SiO2)、
氧化钒
(IV)(VOx)、
氧化铝
(Al2O3)、
铝掺杂的氧化锌
(AZO)、
铟锡氧化物
(ITO)、
二氧化锡
(SnO2)、
氧化锌
(ZnO)、
五氧化二钽
(Ta2O5)、
氮化硅
(Si3N4)、
二氧化锆
(ZrO2)、
氧化铌
(Nb2O5)、
锡酸镉
(Cd2SnO4)
或碳氮化硅
(SiCN)
的材料
。9.
如权利要求1所述的器件，其中所述多个离散区的第一临界尺寸
、
第二临界尺寸及第三临界尺寸横跨所述多个光学器件结构的所述长度增加或减少
。10.
一种器件，包含：多个光学器件结构，所述多个光学器件结构具有横跨所述多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度的临界尺寸，所述多个光学器件结构的各个光学器件结构具有：多个离散区；多个过渡区，设置于所述多个离散区的两个离散区之间，所述多个过渡区的各个过渡区的所述临界尺寸横跨所述多个光学器件结构的各个光学器件结构的所述长度连续增加或减少，所述多个光学器件结构的邻接光学器件结构包括间距；和以所述多个光学器件结构的临界尺寸除以间距界定的占空比，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：江靖，傅晋欣，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：