【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属纳米线泡沫
[0001]本专利技术涉及可变形多孔弹性导体及其制备领域
。
[0002]在一种形式中,本专利技术涉及适合用作传感器的可变形多孔弹性导体
。
[0003]在某些形式中,本专利技术涉及可变形的多孔弹性导体,其应用范围广泛,从电极
、
超级电容器
、
天线和电催化剂到医疗设备
、
软电子设备和可穿戴传感器
。
[0004]应当理解,本专利技术不仅限于本文描述的特定用途,而且它可以应用于广泛的医疗
(
包括兽医
)
和非医疗用途,包括工业用途
。
技术介绍
[0005]以下对
技术介绍
的讨论旨在便于理解本专利技术
。
讨论并不承认或承认所提及的任何材料在申请优先权日是或曾经是常识的一部分
。
[0006]软电子产品需要变形性和导电性的无缝结合,需要设计软
/
硬材料界面,由于机械不匹配,这些界面往往会失败导致分层和
/
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种可变形的多孔弹性导体,其包括;一种
3D
多孔弹性体基材,其中所述
3D
多孔弹性体基材的多个表面与络合部分共价官能化;和多个金属纳米线,每个所述金属纳米线络合到至少一个络合部分,其中所述金属纳米线相对于它们通过其各自络合部分而附着的所述表面是直立的
。2.
根据权利要求1所述的可变形多孔弹性导体,其中所述金属纳米线包括纳米颗粒头和纳米线尾部
。3.
根据任何前权利要求所述的可变形多孔弹性导体,其中所述金属纳米线包括;
(i)
一种选自金
、
铂
、
钯
、
铑
、
铜
、
银
、
钌
、
锇
、
铱
、
铼
、
铁
、
钴
、
镍
、
锌
、
锰
、
钛
、
钒
、
铬
、
钼
、
钨
、
镁
、
铅和铝的金属;和
/
或
(ii)
贵金属;和
/
或
(iii)
金
。4.
根据任何前述权利要求所述的可变形多孔弹性导体,其具有;
(i)
压缩性;和
/
或
(ii)
生物相容性;和
/
或
(iii)
化学惰性
。5.
根据任何前权利要求所述的可变形多孔弹性导体,其特征在于;
(i)
所述
3D
多孔弹性体基材为海绵,或合成聚合物海绵,或聚氨酯海绵;和
/
或
(ii)
所述络合部分是胺基团
。6.
根据任何前权利要求所述的可变形多孔弹性导体,其中;
(i)
所述
3D
多孔弹性体基材的多个所述表面与
(
氨基烷基
)
三烷基氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三甲氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三乙氧基硅烷共价官能化;和
/
或
(ii)
所述
3D
多孔弹性体基材的多个所述表面与
(
氨基烷基
)
三烷基氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三甲氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三乙氧基硅烷的醇溶液共价官能化;和
/
或
(iii)
所述
3D
多孔弹性体基材的多个所述表面与
(
氨基烷基
)
三烷基氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三甲氧基硅烷或
(3
‑
氨丙基
)
三乙氧基硅烷的水性溶液共价官能化
。7.
根据任何前述权利要求所述的可变形多孔弹性导体;
(i)
具有对拉伸
、
压缩
、
弯曲或扭曲不敏感的导电性;或
(ii)
当测量为电阻随应变的相对变化
(
Δ
R/R
ο
)
或电流随应变的相对变化
(
Δ
I/I
ο
)
时具有对应变的线性响应区域
。8.
根据任何前述权利要求所述的可变形多孔弹性导体具有以下两者之一;
A.(i)
电导率为
1500Sm
‑1或更好,优选电导率为
5500Sm
‑1或更好;和
/
或
(ii)
对拉伸应变不敏感,当测量为相对电阻
(R/R0)
时,在高达
44
%的应变下为
15
%或更低;和
/
或
(iii)
对压缩应变不敏感,当测量为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
时,在高达
80
%的压缩应变下为
42
%或更低;和
/
或
(iv)
对弯曲不敏感,当测量为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
时,在高达
180
°
弯曲时为8%或更低;和
/
或
(v)
对扭曲不敏感,当测量为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
时,在高达
1080
°
扭转时为
21
%或更低;和
/
或
(vi)
对用水性洗涤剂溶液洗涤不敏感,当测量为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
时,在用水性洗涤剂溶液洗涤多达
10
个循环时为
26
%或更低;和
/
或
(vii)
对胶带剥离测试不敏感,当测试为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
时,在多达
10
个循环的胶带剥离测试中达到
14
%或更低;和
/
或
(viii)
对划痕测试不敏感,当测试为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
,在多达
10
个循环的划痕测试中为
41
%或更低;和
/
或
(ix)
对摩擦测试不敏感,当测试为电阻的相对变化
(
Δ
R/R
o
)
,在多达
10
个循环的摩擦测试中达到
50
%或更低;或
B.(i)
对拉伸应变的线性响应区域,当测量为电阻随应变的相对变化
(
Δ
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