苯扎氯铵化合物晶型制造技术

技术编号:39570507 阅读:6 留言:0更新日期:2023-12-03 19:21
本发明专利技术公开了一种苯扎氯铵化合物晶型

【技术实现步骤摘要】
苯扎氯铵化合物晶型、制备方法及组合物


[0001]本专利技术涉及消毒剂
,具体涉及化合物苯扎氯铵的晶型

制备方法及组合物


技术介绍

[0002]苯扎氯铵一种阳离子表面活性剂,属非氧化性杀菌剂,具有广谱

高效的杀菌能力,广泛应用在医疗

工业水处理

染料

养殖等领域的消毒

[0003]目前市面上苯扎氯铵普遍采用
50
%的水溶液或者
95
%的膏状物,但是苯扎氯铵水溶液中含有大量的杂质
(1000

5000ppm
的其他杂质
)
,这些残留的杂质具有一定的刺激性,因此在湿巾等与人类皮肤接触的行业,限制了其应用,同时残留的杂质对环境具有一定的危害

苯扎氯铵制备过程中晶型对其溶解性具有一定的影响,且在制备过程中不同晶型的形成条件也对杂质具有选择,因此现有常规制备方法得到的苯扎氯铵杂质含量较高

因此,急需开发纯度高

杂质含量低的苯扎氯铵晶体


技术实现思路

[0004]为了解决上述问题,本专利技术提出一种新型苯扎氯铵的晶型及制备方法,苯扎氯铵晶体的纯度更高,杂质含量降低至
(0

100ppm)
,且溶解度也更高

[0005]为了实现上述目的,本专利技术是通过以下技术方案来实现的:
[0006]一种苯扎氯铵化合物晶型,所述化合物为式
(I)

[0007]所述式
(I)
的晶型包括晶型
A
,和
/
或晶型
B
,和
/
或晶型
C
,和
/
或晶型
D

[0008]所述晶型
A
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.6
°±
0.2
°
、11.5
°±
0.2
°
、12.9
°±
0.2
°
、14.1
°±
0.2
°
、17.2
°±
0.2
°
、18.9
°±
0.2
°
、20.0
°±
0.2
°
、21.5
°±
0.2
°
、22.2
°±
0.2
°
、23.0
°±
0.2
°
、23.8
°±
0.2
°
、24.4
°±
0.2
°
、26.5
°±
0.2
°
、27.8
°±
0.2
°
、32.5
°±
0.2
°
、35.0
°±
0.2
°
、36.7
°±
0.2
°
、38.3
°±
0.2
°
、39.5
°±
0.2
°
、43.5
°±
0.2
°

53.6
°±
0.2
°
的2θ

[0009]所述晶型
B
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.6
°±
0.2
°
、11.5
°±
0.2
°
、13.0
°±
0.2
°
、14.0
°±
0.2
°
、15.7
°±
0.2
°
、17.3
°±
0.2
°
、18.9
°±
0.2
°
、20.0
°±
0.2
°
、21.5
°±
0.2
°
、23.0
°±
0.2
°
、24.4
°±
0.2
°
、26.5
°±
0.2
°
、27.8
°±
0.2
°

39.5
°±
0.2
°
的2θ

[0010]所述晶型
C
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.8
°±
0.2
°
、11.7
°±
0.2
°
、13.2
°±
0.2
°
、14.3
°±
0.2
°
、17.5
°±
0.2
°
、19.1
°±
0.2
°
、20.2
°±
0.2
°
、21.7
°±
0.2
°
、22.4
°±
0.2
°
、23.3
°±
0.2
°
、24.0
°±
0.2
°
、24.6
°±
0.2
°
、26.7
°±
0.2
°
、28.1
°±
0.2
°
、28.7
°±
0.2
°
、30.5
°±
0.2
°
、35.2
°±
0.2
°
、38.5
°±
0.2
°
、39.8
°±
0.2
°

43.7
°±
0.2
°

45.8
°±
0.2
°
的2θ

[0011]所述晶型
D
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.8
°±
0.2
°
、11.6
°±
0.2
°
、13.1
°±
0.2本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种苯扎氯铵化合物晶型,其特征在于:所述化合物为式
(I)
:所述式
(I)
的晶型包括晶型
A
,和
/
或晶型
B
,和
/
或晶型
C
,和
/
或晶型
D
;所述晶型
A
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.6
°±
0.2
°
、11.5
°±
0.2
°
、12.9
°±
0.2
°
、14.1
°±
0.2
°
、17.2
°±
0.2
°
、18.9
°±
0.2
°
、20.0
°±
0.2
°
、21.5
°±
0.2
°
、22.2
°±
0.2
°
、23.0
°±
0.2
°
、23.8
°±
0.2
°
、24.4
°±
0.2
°
、26.5
°±
0.2
°
、27.8
°±
0.2
°
、32.5
°±
0.2
°
、35.0
°±
0.2
°
、36.7
°±
0.2
°
、38.3
°±
0.2
°
、39.5
°±
0.2
°
、43.5
°±
0.2
°

53.6
°±
0.2
°
的2θ
;所述晶型
B
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.6
°±
0.2
°
、11.5
°±
0.2
°
、13.0
°±
0.2
°
、14.0
°±
0.2
°
、15.7
°±
0.2
°
、17.3
°±
0.2
°
、18.9
°±
0.2
°
、20.0
°±
0.2
°
、21.5
°±
0.2
°
、23.0
°±
0.2
°
、24.4
°±
0.2
°
、26.5
°±
0.2
°
、27.8
°±
0.2
°

39.5
°±
0.2
°
的2θ
;所述晶型
C
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.8
°±
0.2
°
、11.7
°±
0.2
°
、13.2
°±
0.2
°
、14.3
°±
0.2
°
、17.5
°±
0.2
°
、19.1
°±
0.2
°
、20.2
°±
0.2
°
、21.7
°±
0.2
°
、22.4
°±
0.2
°
、23.3
°±
0.2
°
、24.0
°±
0.2
°
、24.6
°±
0.2
°
、26.7
°±
0.2
°
、28.1
°±
0.2
°
、28.7
°±
0.2
°
、30.5
°±
0.2
°
、35.2
°±
0.2
°
、38.5
°±
0.2
°
、39.8
°±
0.2
°
、43.7
°±
0.2
°

45.8
°±
0.2
°
的2θ
;所述晶型
D
显示包含至少一个特征峰的
X
射线粉末衍射图,其中所述特征峰选自
8.8
°±
0.2
°
、11.6
°±
0.2
°
、13.1
°±
0.2
°
、14.3
°±
0.2
°
、17.5
°±
0.2
°
、19.0
°±
0.2
°
、20.1
°±
0.2
°
、21.7
°±
0.2
°
、23.2
°±
0.2
°
、24.6
°±
0.2
°
、28.0
°±
0.2
°
、30.4
°±
0.2
°
、35.2
°±
0.2
°
、38.5
°±
0.2
°
、39.7
°±
0.2
°

53.8
°±
0.2
°
的2θ
...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈海刚车国勇刘一民张豫红
申请(专利权)人:四川科宏达集团有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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