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液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件制造技术

技术编号:39566635 阅读:11 留言:0更新日期:2023-12-03 19:17
本发明专利技术提供一种涂布性优异且可获得残像的产生得到抑制的液晶元件的液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。本发明专利技术使液晶取向剂含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。部分结构I:*1‑

【技术实现步骤摘要】
液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件


[0001]本专利技术涉及一种液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。

技术介绍

[0002]液晶元件被应用于从大型的液晶电视到智能手机等小型的显示装置的广范围的器件或用途中。另外,随着液晶元件的多用途化,要求液晶元件的进一步高品质化。作为使液晶元件进一步高品质化的手段之一,尝试了改善对液晶分子的取向进行控制的液晶取向膜的各种特性(例如,参照专利文献1)。
[0003]在专利文献1中公开了:通过使液晶取向剂含有具有源自具有羧基的二胺的结构的聚合物、及具有源自具有三级氮原子的二胺的结构的聚合物,来改善涂膜的摩擦耐性及液晶取向膜的电特性(电压保持率及残留电压)。
[0004][现有技术文献][0005][专利文献][0006][专利文献1]日本专利特开2015

92222号公报

技术实现思路

[0007][专利技术所要解决的问题][0008]根据专利文献1的液晶取向剂,认为通过聚合物所具有的羧基与三级氮原子的酸

碱相互作用而使液晶取向膜中的电荷效率良好地转移,由此能够抑制对液晶元件施加直流电压时残留电荷蓄积于液晶单元内。然而,在聚合物成分中包含羧基与三级氮原子的情况下,有因羧基与三级氮原子的酸

碱相互作用而聚合物容易凝聚的倾向,担心液晶取向剂的涂布性降低。另一方面,当因对液晶元件施加电压而电荷蓄积于液晶单元内时,以残像(直流(Direct Current,DC)残像)的形式被观察者视认到,会产生液晶元件的品质降低。就实现液晶元件的进一步高品质化的观点或抑制制品的良率降低的观点而言,作为液晶取向剂,要求在涂布性良好的同时可制造残像的产生得到充分抑制的液晶元件。
[0009]本专利技术是鉴于所述课题而成,主要目的在于提供一种涂布性优异且可获得残像的产生得到抑制的液晶元件的液晶取向剂。
[0010][解决问题的技术手段][0011]本专利技术人等人为了解决所述课题而进行了努力研究,发现,通过使用具有特定的结构单元的聚合物而可解决所述课题,从而完成了本专利技术。具体而言,通过本专利技术,可提供以下的手段。
[0012]<1>一种液晶取向剂,含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
[0013]部分结构I:“*1‑
COOH”所表示的结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)
[0014]部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式
中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构
[0015][化1][0016][0017](式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结)
[0018]<2>一种液晶取向膜,使用所述<1>的液晶取向剂而形成。
[0019]<3>一种液晶元件,包括所述<2>的液晶取向膜。
[0020][专利技术的效果][0021]通过本专利技术的液晶取向剂,可在使液晶取向剂的涂布性优异的同时获得残像的产生得到抑制的液晶元件。
具体实施方式
[0022]以下,对本公开的液晶取向剂中所含的各成分及视需要任意调配的其他成分进行说明。
[0023]此外,在本说明书中,所谓“烃基”是包含链状烃基、脂环式烃基及芳香族烃基的含义。所谓“链状烃基”,是指不含环状结构,仅包含链状结构的直链状烃基及分支状烃基。其中,链状烃基可为饱和也可为不饱和。所谓“脂环式烃基”,是指仅包含脂环式烃的结构作为环结构,不含芳香环结构的烃基。其中,脂环式烃基无需仅包含脂环式烃的结构,也包括在其一部分中具有链状结构的基。所谓“芳香族烃基”,是指包含芳香环结构作为环结构的烃基。其中,芳香族烃基无需仅包含芳香环结构,也可在其一部分中包含链状结构或脂环式烃的结构。“脂肪族烃基”是包含链状烃基及脂环式烃基的含义。“芳香环”是包含芳香族烃环及芳香族杂环的含义。所谓“有机基”,是指从包含碳的化合物(即,有机化合物)中去除任意的氢原子而成的原子团。
[0024]《液晶取向剂》
[0025]本公开的液晶取向剂含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
[0026]部分结构I:“*1‑
COOH”所表示的结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)
[0027]部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构
[0028][化2][0029][0030](式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结)
[0031]以下,对本公开的液晶取向剂中所包含的聚合物(P)及任意调配的成分进行说明。
[0032]<聚合物(P)>
[0033]聚合物(P)只要包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元,则并无特别限定。这里,所谓“包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元”,是指在聚合物(P)中,具有部分结构I的二胺与具有部分结构II的二胺可相同也可不同。即,聚合物(P)只要构成聚合物(P)的二胺中的一种以上具有部分结构I且构成聚合物(P)的二胺中的一种以上具有部分结构II即可。此外,在具有部分结构I的二胺具有部分结构II的情况下,聚合物(P)包含源自在同一分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
[0034]作为聚合物(P)的具体形态,可列举<1>包含源自具有部分结构I且不具有部分结构II的二胺(以下,也称为“特定二胺D1”)的结构单元及源自具有部分结构II且不具有部分结构I的二胺(以下,也称为“特定二胺D2”)的结构单元的形态;<2>包含源自具有部分结构I及部分结构II的二胺(以下,也称为“特定二胺D3”)的结构单元的形态。此外,在<1>及<2>的各形态中,聚合物(P)也可还包含其他结构单元。例如,在<1>的形态中,聚合物(P)也可还具有源自特定二胺D3的结构单元或源自不具有部分结构I及部分结构II中的任一者的二胺的结构单元。另外,在<2>的形态中,聚合物(P)也可还具有源自特定二胺D1的结构单元或源自特定二胺D2的结构单元、源自不具有部分结构I及部分结构II中的任一者的二胺的结构单元。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶取向剂,含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元;部分结构I:“*1‑
COOH”所表示的结构,且*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式中去除n个氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构,且n为1以上的整数式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结。2.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自具有所述部分结构I的二胺的结构单元(A)及源自具有所述部分结构II的二胺的结构单元(B),且所述结构单元(B)与所述结构单元(A)不同。3.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在侧链具有所述部分结构II。4.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在主链中具有所述部分结构II。5.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯及聚酰亚胺所组成的群组中的至少一种。6.根据权利要求5所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自芳香族四羧酸衍生物的结构单元。7.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚...

【专利技术属性】
技术研发人员:西村达哉安池伸夫菅野尚基
申请(专利权)人:JSR株式会社
类型:发明
国别省市:

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