一种装置和加工方法制造方法及图纸

本公开涉及一种装置和加工方法

【技术实现步骤摘要】
一种装置和加工方法


[0001]本公开大体上涉及气体分配装置，尤其涉及具有多区多匀气结构的装置
。

技术介绍

[0002]具有气体分配装置的设备可对晶圆进行例如沉积镀膜等工艺
。
例如原子层沉积
(Atomic layer deposition
，
ALD)
镀膜
、
化学气相沉积
(chemical vapor deposition
，
CVD)、
等离子体增强化学气相沉积
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
，
PECVD)
等加工工艺
。
[0003]上述设备或装置可包括喷淋头
(Shower head)(
亦可称作喷淋组件
)。
两种以上反应源
(
亦可称作反应气体或工艺气体
)
可通过喷淋头或喷淋组件对晶圆进行沉积镀膜
。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种装置，包括：第一喷淋板，其经配置以输入第一反应气体和第二反应气体；第一匀气板，其经配置以将所述第二反应气体分配至第二气体第一分配区以及与所述第二气体第一分配区连通的第二气体第二分配区；第二匀气板，其经配置以将所述第一反应气体分配至第一气体第一分配区以及与所述第一气体第一分配区连通的第一气体第二分配区；以及第二喷淋板，其经配置以输出所述第一反应气体和所述第二反应气体
。2.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第二气体第一分配区由所述第一匀气板和所述第一喷淋板围封
。3.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第二气体第二分配区由所述第一喷淋板
、
所述第一匀气板
、
所述第二匀气板以及所述第二喷淋板围封
。4.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一气体第一分配区由所述第一喷淋板和所述第二匀气板围封
。5.
根据权利要求4所述的装置，其中所述第一气体第一分配区包含位于所述第一喷淋板的边缘的环形凹槽，所述环形凹槽围封所述第二气体第二分配区并与所述第二气体第二分配区彼此隔离
。6.
根据权利要求1所述的装置，其中邻近所述第一喷淋板与所述第二匀气板交界面处的所述第一喷淋板中进一步包含密封环
。7.
根据权利要求1所述的装置，其中邻近所述第一喷淋板与所述第二喷淋板交界面处的所述第一喷淋板中进一步包含密封环
。8.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一气体第二分配区由所述第二匀气板和所述第二喷淋板围封
。9.
根据权利要求1‑8任一项所述的装置，其中所述第一反应气体和所述第二反应气体同时或分时输入所述第一喷淋板
。10.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一匀气板密封连接至所述第一喷淋板，且包含多个第一匀气板通孔
。11.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第二匀气板密封连接至所述第一喷淋板和所述第二喷淋板，且包含位于所述第二匀气板边缘的多个第二匀气板通孔
。12.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨德赞，周仁，荒见淳一，吴飚，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：