【技术实现步骤摘要】
基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统
[0001]本技术涉及真空镀膜领域,尤其是基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统
。
技术介绍
[0002]晶控装置是利用石英晶片的谐振频率与膜层厚度之间的关系来控制镀膜的厚度
。
在真空镀膜膜厚控制技术中,作为膜厚实时监测技术使用最普遍的是石英晶体膜厚控制仪,它是利用石英晶体的压电效应,当石英晶振片上镀上了某种膜层材料时,它的固有频率会相应衰减
。
石英膜厚控制仪就是通过测量安装在镀膜机真空室内的探头上石英晶片频率或与频率有关参量的变化而监控沉积薄膜的厚度
。
当石英晶片上沉积的膜层厚度达到一定量时,石英晶片的振荡会停止失效,后续镀膜不能继续进行
。
由于单一晶片上可以沉积的膜层厚度有限,为了镀制多层有时甚至是
100
多层需要用到多晶片探头,当一片晶片失效时,可以通过转换新的晶体继续镀膜
。
[0003]目前市场上所采用的晶控探头,其转动换位动力装置用的是旋转气缸,旋转气缸制作困难
、
成本高,并且在转动换位时,定位精度差,容易造成晶体与通孔之间的位置偏差,影响后续生产
。
技术实现思路
[0004]为了解决晶控探头使用的旋转气缸制作困难
、
成本高,并且在转动换位时,定位精度差的问题,本技术的目的在于提供基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统
。
[0005]本申请是通过以下技术方案实现的:基于多晶片转 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
基于多晶片转换的晶控探头,其特征在于,包括伺服电机
(1)、
探头组件
(2)、
以及连接所述伺服电机
(1)
和所述探头组件
(2)
的转轴
(4)
,所述探头组件
(2)
包括与所述转轴
(4)
连接的探头本体
(21)、
以及套设于所述探头本体
(21)
远离所述伺服电机
(1)
一侧的盖体
(22)
,所述探头本体
(21)
朝向所述盖体
(22)
的一端上设有多个晶片装配位
(23)
,所述盖体
(22)
对应所述晶片装配位
(23)
设有通孔
(24)
,所述伺服电机
(1)
通过所述转轴
(4)
带动多个所述晶片装配位
(23)
相对所述通孔
(24)
转动换位
。2.
根据权利要求1所述的基于多晶片转换的晶控探头,其特征在于,所述探头本体
(21)
包括穿设于所述转轴
(4)
上的水冷座
(211)、
套设于所述水冷座
(211)
上的装配筒
(212)、
装设于所述水冷座
(211)
朝向所述盖体
(22)
一侧上的探头
(213)
和晶片座
(214)
,所述晶片装配位
(23)
设置于所述晶片座
(214)
上,所述转轴
(4)
与所述晶片座
(214)
连接,以带动所述晶片座
(214)
转动
。3.
根据权利要求2所述的基于多晶片转换的晶控探头,其特征在于,所述水冷座
(211)
上设有进水口
(215)、
出水口
(216)、
以及连通所述进水口
(215)
和所述出水口
(216)
且对应所述装配筒
(212)
内壁设置的腔体
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。