【技术实现步骤摘要】
振荡器、电路控制方法以及电子设备
[0001]本申请涉及电子电路领域,并且更具体地,涉及电子电路领域中一种振荡器
、
电路控制方法以及电子设备
。
技术介绍
[0002]如图1所示,图1示出了现有技术中振荡器的电路结构示意图
。
现有的抖频技术是通过时钟技术改变振荡器的参数来实现频率的改变,在实现数字电路抖频时,频谱不能完全展开,由于数字电路只有0和1两种状态,一位二进制所能产生的阻值和频率点也只有两种状态,存在频率点受数字电路的限制,例如4位二进制只能产生
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个频率点,从而导致振荡器的输出波形的频率点很少,得到的频谱较窄,抗电磁干扰能力差
。
技术实现思路
[0003]本申请提供了一种振荡器
、
电路控制方法以及电子设备,该方法能够增加振荡器的输出波形的频率点,扩宽输出波形的频谱,减小电磁干扰
。
[0004]第一方面,提供了一种振荡器,所述振荡器包括:
[0005]M
个串联的反相器,其中< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种振荡器,其特征在于,所述振荡器包括:
M
个串联的反相器,其中
M
为大于或者等于2的偶数;非门电路,所述非门电路的输入端与第
M
个反相器的输出端连接;反馈回路,所述反馈回路包括振荡电阻和振荡电容,所述振荡电阻的第一端与第1个反相器的输入端连接,所述振荡电阻的第二端与所述非门电路的输出端连接,所述振荡电容与所述振荡电阻并联;波形发生模块,所述波形发生模块用于向所述非门电路施加第一电信号和
/
或第二电信号,所述第一电信号和所述第二电信号的信号参数的大小不同;
N
个模拟开关电路,
N
个所述模拟开关电路并联,每个所述模拟开关电路与所述振荡电阻的第一端连接,其中
N
大于或者等于2;
N
个控制模块,每个所述控制模块连接一个所述模拟开关电路,每个所述控制模块用于在各自对应的预设时间周期内,向各自连接的所述模拟开关电路施加控制信号,以调整各自连接的所述模拟开关电路的等效电阻,使得所述振荡器的输出波形的频率保持在预设频率区间内,其中
N
个所述控制模块各自输出的控制信号的波形周期不同;输出电路,所述输出电路的输入端与所述非门电路的输出端连接,所述输出电路的输出端为所述振荡器的输出端,所述输出电路用于调整所述振荡器的输出波形
。2.
根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,
N
个所述控制模块各自对应的预设时间周期相同或者不相同
。3.
根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述非门电路包括第一
PMOS
管和第一
NMOS
管,所述第一
PMOS
管的栅极和所述第一
NMOS
管的栅极为所述非门电路的输入端,所述第一
PMOS
管的漏极和所述第一
NMOS
管的漏极为所述非门电路的输出端,所述第一
PMOS
管的源极和所述第一
NMOS
管的源极与所述波形发生模块连接
。4.
根据权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述波形发生模块包括:第一波形发生电路,用于产生第三电信号;第二波形发生电路,具有第一信号输出端和第二信号输出端,所述第二波形发生电路与所述第一波形发生电路连接,所述第一信号输出端与所述第一
PMOS
管的源极连接,所述第二信号输出端与所述第一
NMOS
管的源极连接;所述第二波形发生电路用于根据所述第一波形发生电路产生的所述第三电信号生成所述第一电信号和所述第二电信号,并由所述第一信号输出端输出所述第一电信号,由所述第二信号输出端输出所述第二电信号
。5.
根据权利要求4所述的振荡器,其特征在于,所述第一波形发生电路包括第一电流源
、
第二电流源
、
第一电容
、
第二
PMOS
管和第二
NMOS
管;其中,所述第一电流源的正极接电源,所述第一电流源的负极与所述第二
PMOS
管的源极连接,所述第二
PMOS
管的栅极与所述第二
NMOS
管的栅极连接,所述第二
NMOS
管的栅极为所述第一波形发生电路的输入端,所述第一波形发生电路的输入端的输入信号为预设开关控制信号;其中,所述第一电信号
、
所述第二电信号以及所述第三电信号的波形与所述预设开关控制信号的波形不相同;所述第二
PMOS
管的漏极和所述第二
NMOS
管的漏极均与所述第一电容的第一端连接,所述第一电容的第一端与所述第二波形发生电路连接,所述第二
NMOS
管的源极与所述第二电
流源的正极连接,所述第二电流源的负极和所述第一电容的第二端接地
。6.
根据权利要求5所述的振荡器,其特征在于,所述第二波形发生电路包括第一运算放大器
、
第三
PMOS
管
、
第四
PMOS
管
、
第五
PMOS
管
、
第三
NMOS
管
、
第四
NMOS
管
、
第五
NMOS
管和第一电阻;其中,所述第一运算放大器的正向输入端与所述第一电容的第一端连接,所述第一运算放大器的反向输入端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地;所述第三
PMOS
管的源极接电源,所述第三
PMOS
管的漏极与所述第三
NMOS
管的漏极连接,所述第三
NMOS
管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接,所述第三
NMOS
管的源极与所述第一电阻的第一端连接;所述第三
PMOS
管的栅极和所述第三
PMOS
管的漏极均与所述第四
PMOS
管的栅极连接,所述第四
PMOS
管的源极接电源,所述第四
PMOS
管的漏极为所述第一信号输出端;所述第五
PMOS
管的栅极与所述第四
PMOS
管的栅极连接,所述第五
PMOS
管的源极接电源,所述第四
NMOS
管的漏极
、
所述第四
NMOS
管的栅极和所述第五
NMOS
管的栅极均与所述第五
PMOS
管的漏极连接,所述第四
NMOS
管的源极和所述第五
NMOS
管的源极均接地,所述第五
NMOS
管的漏极为所述第二信号输出端
。7.
根据权利要求5所述的振荡器,其特征在于,所述第二波形发生电路包括第六
PMOS
管
、
第七
PMOS
管
、
第八
PMOS
管
、
第六
NMOS
管
、
第七
NMOS
管
、
第八
NMOS
管和第二电阻;其中,所述第六
PMOS
管的栅极与所述第一电容的第一端连接,所述第六
PMOS
管的源极与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端接电源,所述第六
NM...
【专利技术属性】
技术研发人员:林晓明,
申请(专利权)人:拓尔微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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