【技术实现步骤摘要】
一种多层结构的聚合物基复合薄膜及其制备方法
[0001]本专利技术属于聚合物储能
,具体涉及一种多层结构的聚合物基复合薄膜及其制备方法
。
技术介绍
[0002]随着现代科学技术的飞速发展,电力电子系统领域迫切需要性能更为卓越的介电材料
。
其中,包括栅介质
、
高储能密度电容器以及电活性材料等在内的微电子器件均要求纳米复合材料在具有高介电常数和介电强度的同时,依然拥有低介电损耗
、
高的击穿场强和良好的韧性
。
传统聚合物材料如聚酰亚胺
(PI)、
聚偏氟乙烯
(PVDF)、
环氧树脂等,具有体积小
、
易加工等特点,但是介电常数很低,难以满足实际使用要求
。
[0003]为进一步提升聚合物材料的电位移和储能密度,具有高介电常数的纳米陶瓷颗粒被选为填料加入聚合物基体中,由此构成陶瓷
/
聚合物复合材料
。
通过一方面选取高介电常数陶瓷为填料可有效提高复合材料的介电常数,另一方面聚合物基体又保留了其较高的耐击穿场强,从而实现对储能密度的显著提高
。
目前,常用于制备
PVDF
基复合材料的陶瓷填料主要有钛酸钡
(BaTiO3)、
二氧化钛
(TiO2)、
锆钛酸铅
(PbZrTiO3)
等
。
然而,随着陶瓷
/
聚合物储能复合材料的发
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种多层结构的聚合物基复合薄膜,其特征在于,所述多层结构的聚合物基复合薄膜包括
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3/PVDF
复合层和
PVDF
层,所述
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3/PVDF
复合层和所述
PVDF
层循环交替,且最外层为
PVDF
层,所述
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3/PVDF
复合层为晶须
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3与
PVDF
的复合层
。2.
根据权利要求1所述的多层结构的聚合物基复合薄膜,其特征在于,所述
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3/PVDF
复合层中晶须
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3的体积分数为2%~
10
%
。3.
权利要求1或2所述的多层结构的聚合物基复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将
Na2CO3和
TiO2进行混合,得到混合物
A
,混合物
A
与
NaCl
熔盐进行球磨,保温
、
煅烧
、
洗涤
、
干燥,获得一维
Na2Ti6O
13
模板;步骤2,将
Na2Ti6O
13
模板
、Na2CO3、TiO2、Bi2O3和
SrCO3混合,得到混合物
B
,混合物
B
与
NaCl
熔盐搅拌混合均匀,保温
、
煅烧
、
洗涤
、
干燥,获得一维
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3晶须;步骤3,将一维
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3晶须分散到
DMF
中,得到悬浊液,在悬浊液中加入
PVDF
粉末,分散,得到均匀共混的
0.15SrTiO3‑
0.85Na
0.5
Bi
0.5
TiO3/PVDF
悬浊液;将
PVDF
粉末均匀分散在
DMF
中,得到
PVDF
溶液;步骤4,将
PVDF
...
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