半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备：基板主体，具有第一面以及与该第一面背对背的第二面；功率半导体元件，安装于所述第一面；冷却器，与所述第二面接触；以及温度传感器，测定所述功率半导体元件的温度，所述温度传感器设置于比所述基板主体靠安装有所述功率半导体元件的一侧即第一侧，并且设置于比所述功率半导体元件远离所述基板主体的所述第一面的位置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置
。
[0002]本申请对在
2021
年4月6日在日本申请的日本特愿
2021
‑
064731
号主张优先权，在此援用其内容
。

技术介绍

[0003]在专利文献1中，公开了用于逆变器等电力变换器的功率半导体元件
。
功率半导体元件承担电力的转换
、
升压以及降压的电路的一部分，处理较大的电流，因此产生大量的热量
。
因此，在利用冷却器对功率半导体元件进行冷却的同时，电力转换器的控制装置需要使用温度传感器对功率半导体元件的温度进行监控
。
[0004]例如在与安装功率半导体元件的基板相同的基板中，有时在面内侧方向上与功率半导体元件分离地安装温度传感器
。
温度传感器在安装的部位测定从功率半导体元件传导的热量的温度
。
根据该温度传感器的测定结果，控制装置能够间接地监控功率半导体元件的温度
。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开
2015
‑
122876
号公报

技术实现思路

[0008]‑
专利技术所要解决的课题
‑
[0009]然而，近来希望提高对功率半导体元件进行冷却的冷却器的冷却性能，以使功率半导体元件能够处理更大的电流
。
功率半导体元件的冷却器的冷却性能越提高，功率半导体元件的热量越难以向面内侧方向扩散
。
这样，若功率半导体元件的热量难以向面内侧方向扩散，则传导至安装温度传感器的部位的热量减少，因此温度传感器相对于功率半导体元件的温度上升的测定精度有可能劣化
。
[0010]本公开是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制温度传感器的测定精度的劣化的半导体装置
。
[0011]‑
用于解决课题的手段
‑
[0012]为了解决上述课题，本公开所涉及的半导体装置具备：基板主体，具有第一面以及与该第一面背对背的第二面；功率半导体元件，安装于所述第一面；冷却器，与所述第二面接触；以及温度传感器，测定所述功率半导体元件的温度，所述温度传感器设置于比所述基板主体靠安装有所述功率半导体元件的一侧即第一侧，并且设置于比所述功率半导体元件远离所述基板主体的所述第一面的位置
。
[0013]‑
专利技术效果
‑
[0014]根据本公开，能够提供一种能够抑制温度传感器的测定精度的劣化的半导体装置
。
附图说明
[0015]图1是从横向观察本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置的图
。
[0016]图2是从横向观察本公开的第二实施方式所涉及的半导体装置的图
。
[0017]图3是从层叠方向观察本公开的第二实施方式所涉及的半导体装置的图
。
[0018]图4是从层叠方向观察本公开的第二实施方式所涉及的半导体装置的变形例的图
。
具体实施方式
[0019][
第一实施方式
][0020](
半导体装置
)
[0021]以下，参照附图对本公开的第一实施方式所涉及的半导体装置进行说明
。
本实施方式的半导体装置例如构成逆变器
、
转换器等电力转换器所具备的电力转换电路的一部分
。
[0022]本实施方式中的半导体装置用于将直流电流作为输入
、
将交流电流作为输出的逆变器
。
[0023]图1是从横向观察第一实施方式所涉及的半导体装置的图
。
如图1所示，本实施方式的半导体装置1具备基板
10、
功率半导体元件
20、
冷却器
30、
引线框
40、
绝缘基板
50
以及温度传感器
60。
[0024](
基板
)
[0025]基板
10
具有基板主体
11、
输入电路
Ci、
输出电路
Co、
控制电路
Cn
以及接合图案
Cb。
[0026]基板主体
11
是呈平板状的构件
。
基板主体
11
具有第一面
11a
以及位于该第一面
11a
的背侧的第二面
11b。
即，基板主体
11
的第一面
11a
与第二面
11b
背对背
。
[0027]以下，在本实施方式中，将基板主体
11
延伸的方向
(
图1中的纸面进深方向以及上下方向
)
称为面内侧方向
A。
[0028]在本实施方式中，基板主体
11
例如采用陶瓷等
。
[0029]另外，基板主体
11
也可以采用纸酚醛
、
纸环氧树脂
、
玻璃复合材料
、
玻璃环氧树脂
、
玻璃聚酰亚胺
、
氟树脂等
。
[0030]输入电路
Ci、
输出电路
Co
以及控制电路
Cn
是在基板主体
11
的第一面
11a
上沿面内侧方向
A
相互分离地分别形成的铜箔等图案
。
更详细而言，这些电路在基板主体
11
的第一面
11a
通过钎焊等而与基板主体
11
形成为一体，在基板主体
11
上分别形成独立的电路图案
。
[0031]经由从基板主体
11
的一部分延伸的输入用的汇流条
(
省略图示
)
从基板
10
外部向输入电路
Ci
输入作为向半导体装置1的输入的直流电流
。
[0032]输出电路
Co
在面内侧方向
A
上与输入电路
Ci
分离地形成
。
输出电路
Co
经由从基板主体
11
的一部分延伸的输出用的汇流条
(
省略图示
)
，向设置于基板
10
的外部的装置输出由半导体装置1转换后的交流电流
。
[0033]后面将对本实施方式中的控制电路
Cn
的详细结构进行叙述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置，具备：基板主体，具有第一面以及与该第一面背对背的第二面；功率半导体元件，安装于所述第一面；冷却器，与所述第二面接触；以及温度传感器，测定所述功率半导体元件的温度，所述温度传感器设置于比所述基板主体靠安装有所述功率半导体元件的一侧即第一侧，并且设置于比所述功率半导体元件远离所述基板主体的所述第一面的位置
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：引线框，与所述功率半导体元件连接；以及绝缘构件，能够导热地与所述引线框和所述温度传感器连接，将所述引线框与所述温度传感器电绝缘
...

【专利技术属性】
技术研发人员：江积匡彦，
申请(专利权)人：三菱重工业株式会社，
类型：发明
国别省市：