压电元件及压电元件的制造方法技术

在压电元件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电元件及压电元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种压电元件及压电元件的制造方法
。

技术介绍

[0002]作为具有优异的压电性及强介电性的材料，已知有锆钛酸铅
(Pb(Zr
，
Ti)O3，以下称为
PZT。)。PZT
利用其强介电性而使用于非易失性存储器即
FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory
：铁电随机存取存储器
)。
此外，近年来，通过融合
MEMS(Micro Electro
‑
Mechanical Systems
：微机电系统
)
技术，具备
PZT
膜的
MEMS
压电元件逐渐被实际应用
。PZT
膜作为在基板上具备下部电极
、
压电膜及上部电极的压电元件中的压电膜来适用
。
该压电元件被开发成喷墨头
(
致动器
)、
微镜器件
、<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种压电元件，其在基板上依次具备下部电极层
、
以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜及上部电极层，其中，所述上部电极层的至少最靠所述压电膜侧的区域由氧化物导电层构成，在所述压电膜与所述上部电极层的所述氧化物导电层之间具备界面层，该界面层包含所述氧化物导电层的构成元素和
OH
基，所述界面层具有非晶态结构
、
且厚度为
1nm
以上
5nm
以下，在通过
X
射线光电子能谱测定而获得的所述界面层中的结合能的强度分布中，设源自与金属键合的氧的
1s
轨道的结合能的峰值强度为
α
、
设源自构成所述
OH
基的氧的
1s
轨道的结合能的峰值强度为
γ
时的峰值强度比
γ
/
α
满足下述式
(1)
，
0.35≤
γ
/
α
ꢀꢀꢀ
(1)。2.
根据权利要求1所述的压电元件，其中，所述氧化物导电层是以
ITO、IrO2或
SrRuO3为主成分的层
。3.
根据权利要求1或2所述的压电元件，其中，在所述结合能的强度分布中，所述峰值强度比
γ
/
α
满足下述式
(2)
，
0.55≤
γ
/
α
ꢀꢀꢀ
(2)。4.
根据权利要求1至3中的任意一项所述的压电元件，其中，所述界面层的所述厚度为
3nm
以上且
5nm
以下
。5.
根据权利要求1至4中的任意一项所述的压电元件，其中，所述压电膜的表面凹凸的高低差为
100nm
以下
。6.
根据权利要求1至5中的任意一项所述的压电元件，其中，所述钙钛矿型...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林宏之，中村诚吾，望月文彦，田中秀明，井上健一郎，豊岛安志，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：