防尘薄膜组件的制造方法技术

本发明专利技术之目的在于提供一种防尘薄膜组件，其即使经过长期间使用，透光率也不会降低太多。为达成上述目的，本发明专利技术提供一种防尘薄膜组件的制造方法，包含一照射步骤，其对包含氟树脂的防尘薄膜照射２２０ｎｍ以下之波长的紫外光。在对防尘薄膜照射２２０ｎｍ以下之波长的紫外光的照射步骤中，宜从由低压水银灯、重氢灯、氙准分子灯以及ＡｒＦ准分子雷射所构成之群组中选择至少１种紫外线光源以照射２２０ｎｍ以下之波长的紫外光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种以及防尘薄膜组件。
技术介绍
以往，在LSI、超LSI等半导体装置或是液晶显示板等产品的制造过程中，会用光照射半导体晶圆或液晶用原板以制作形成图案，惟若此时所使用的曝光原版有灰尘附着的 话，由于该灰尘会吸收光，使光反射，除了会让转印的图案变形、使边缘变粗糙之外，还会 损坏尺寸、品质、外观等，导致半导体装置或液晶显示板等产品的性能恶化或制造成品率降 低。因此，吾人在曝光原版的表面贴合对曝光用的光线具有良好透光性的防尘薄膜组 件作为防尘器使用。此时，异物并非直接附着于曝光原版的表面上，而是附着于防尘薄膜 上，故只要在微影时将焦点对准曝光原版的图案，而不要对准防尘薄膜上的异物，就不会对 转印造成影响。该防尘薄膜组件，是将由具备良好透光性的硝化纤维素、醋酸纤维素、氟类树脂等 物质所构成的透明防尘薄膜用接合剂接合在由铝等材料所构成的防尘薄膜组件框架的上 部，防尘薄膜组件框架的下部设置由丙烯酸树脂、硅氧树脂等物质所构成的黏着层(参照 专利文献1 4)。微影的解析度逐渐提高，且为了实现该解析度，逐渐使用短波长光作为光源。具体 而言是向紫外光的g线(436nm)、i线(365nm)、KrF准分子雷射(248nm)移动，近年开始使 用ArF准分子雷射光(193nm)。在此尤其是当以ArF雷射作为曝光光线使用时，偶尔会在遮罩图案表面上产生累 积性异物。吾人认为这是因为在遮罩所放置的环境中存在有机物或无机物气体，其与ArF 雷射光发生反应，而在遮罩表面上以固体方式析出。又也可能是因为洗净遮罩时的洗净残 渣(此时多为离子物质)残留在遮罩上，该残留离子物质与ArF雷射光发生反应，而在遮罩 表面上以固体方式析出。若异物析出在该等图案上，该异物会转印到晶圆上，而成为严重的 瑕疵。因此，管理遮罩使用环境的有机物或无机物气体的浓度，并抑制遮罩的洗净残渣，为 吾人技术检讨的前进方向。上述异物析出到遮罩上的情况，有时会发生在与遮罩图案面相对的里面(一般称 为玻璃面)，有时会发生在防尘薄膜上。此时，当析出的异物在玻璃面上时，由于晶圆上的焦 点偏移了遮罩的厚度这么多，故析出的异物不会转印到晶圆上。又在异物析出到防尘薄膜 上的情况下，焦点也会偏移防尘薄膜与图案面之间的距离这么多，故析出的异物也不会转 印到晶圆上。然而，该等析出在玻璃面、防尘薄膜上的异物，会导致曝光光线的散射，结果导致 遮罩透光率的降低。若遮罩的透光率降低，传达到晶圆的光线量就会减少，晶圆上所描绘之 图案的线幅就会因此产生差异，结果造成半导体元件品质降低。现有技术文献专利文献日本特开昭58-219023号公报美国专利第4861402号说明书日本特公昭63-27707号公报 日本特开平7-168345号公报
技术实现思路
本专利技术之目的在于提供一种长期间使用透光率也不会降低太多的防尘薄膜组件。本专利技术的上述问题，利用以下的<1>、<7>所记载的技术手段解决之。较佳实施态 样<2> <6>亦一并记载如下。<1> 一种，包含一照射步骤，其对包含氟树脂的防尘薄 膜照射220nm以下之波长的紫外光。<2>如<1>所记载之，其中，依序包含成膜步骤，其在基 板上形成包含氟树脂的防尘薄膜；剥离步骤，其从基板剥离防尘薄膜；以及照射步骤，其对 防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光。<3>如<1>或是<2>所记载之，其中，照射该紫外光的步 骤，是利用低压水银灯照射包含185nm波长之光线的紫外光。<4>如<1>或是<2>所记载之，其中，照射该紫外光的步 骤，是利用重氢灯照射包含140nm以上220nm以下波长之光线的紫外光。<5>如<1>或是<2>所记载之，其中，照射该紫外光的步 骤，是利用氙准分子灯照射紫外光。<6>如<1>或是<2>所记载之，其中，照射该紫外光的步 骤，是照射ArF准分子雷射光。<7> 一种防尘薄膜组件，其特征为是利用<1> <6>中任一项之制造方法所制得。若利用本专利技术，便能够提供一种即使长期间使用透光率也不会降低太多的防尘薄 膜组件。具体实施例方式本专利技术之包含一照射步骤，其对包含氟树脂的防尘薄膜 照射220nm以下之波长的紫外光(UV光)。本专利技术人发现若对包含氟树脂的防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光，防尘 薄膜上便不易有异物析出，进而完成本专利技术。以下，详细说明本专利技术。包含氟树脂的防尘薄膜一般是在平滑且干净的基板上成膜，之后从基板剥离而制 得。将该薄膜贴合在防尘薄膜组件框架上，并在框架的相反侧设置粘着层，完成防尘薄膜组件。吾人宜在将防尘薄膜从基板剥离之后，对该防尘薄膜照射220nm以下的UV光。在对防 尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光的步骤中，虽是对基板上的防尘薄膜照射，惟若考 量到对薄膜的两面照射紫外光而将薄膜的两面重阻，则宜在将防尘薄膜从基板剥离之后进 行。对防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光，该防尘薄膜组件在曝光装置内使用时，于 防尘薄膜上便不易有异物析出。 若防尘薄膜上没有异物析出，便不会因为异物而产生散射现象，故能防止透光率 降低。此现象的详细作用过程目前吾人还不是很清楚，吾人推测应该是因为对包含氟树脂 的防尘薄膜照射220nm以下的UV光会让氟树脂的表面重组，即使会产生异物的气体或其他 物质吸附到防尘薄膜表面上，也能防止防尘薄膜上累积异物。对该防尘薄膜照射紫外光所使用的UV光源可使用能够照射220nm以下之波长的 UV光源，例如，可照射出185nm之波长的光线的低压水银灯，包含160 220nm之波长的光 线的重氢灯，准分子灯有可射出172nm之波长的光线的氙准分子灯，以及可照射出193nm之 波长的光线的ArF雷射等。亦即，在本专利技术中，对防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光的步骤，宜从由低 压水银灯、重氢灯、氙准分子灯以及ArF准分子雷射所构成的群组中选择至少1种紫外线光 源，以照射出220nm以下之波长的紫外光线。低压水银灯，是指在点灯中的水银蒸气压为1 IOPa左右者，以184. 9nm、253. 7nm 的紫外光为主的光源。以低压水银灯照射紫外光，可照射出185nm之波长的紫外光。重氢灯，是密封有重氢的氢放电管，从重氢灯可得到紫外光所有波长范围 (ieOnm 400nm)的连续光谱。在本专利技术中，使用重氢灯作为紫外线照射光源，照射出 160nm 220nm之波长的光线。准分子雷射是使用稀有气体或卤素等混合气体产生雷射光的装置，藉由所使用的 稀有气体、混合气体等，可振荡出特定的脉冲。从氙准分子灯可照射出具有172nm之波长的紫外光，从ArF准分子雷射可照射出 具有193nm之波长的紫外光。紫外线光源并无特别限定，惟若从容易取得的观点来考量，则宜选用上述低压水 银灯、重氢灯、氙准分子灯以及ArF准分子雷射，若从可涵盖较大照射面积这个观点考量， 其中特别宜选用低压水银灯以及氙准分子灯。紫外线的强度虽然没有特别的限定，但是宜为0. 1 μ ff/cm2 20m本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防尘薄膜组件的制造方法，其特征为，包含：照射步骤，其对包含氟树脂的防尘薄膜照射２２０ｎｍ以下之波长的紫外光。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：白崎享，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]