一种高压输入低损耗自供电启动电路制造技术

本发明专利技术提供一种高压输入低损耗自供电启动电路，包括直流电源

【技术实现步骤摘要】
一种高压输入低损耗自供电启动电路


[0001]本专利技术涉及开关电源领域，特别涉及一种高压输入低损耗自供电启动电路
。

技术介绍

[0002]开关电源在各行各业中占据着越来越重要的地位，在电焊
、
冶金
、
加热
、
航天
、
航海等领域得到了广泛应用
。
同时随着
MOSFET、IGBT
等大功率半导体技术的发展，以及各种控制技术的研究和应用，开关电源正朝着高频化
、
模块化
、
小型化方向发展
。
高压模块电源在一些特殊的应用场合譬如雷达
、
航天
、
航空中需要将
180
～
420V
的输入电压转换成其他等级的电压
。
而高压模块电源中辅助供电电路是不可或缺的，其控制芯片需要额外的自供电启动电路使芯片的供电电压上升到启动工作电压，从而使辅助供电电路正常工作
。
而一般控制芯片的启动工作电压为7～
15V
，所以一个稳定可靠的高压宽范围输入自供电启动电路至关重要
。
[0003]传统的控制芯片自供电启动电路中：一种如图1所示组成的无源自供电电路，包括直流电源
Vin
′
、
电阻
R1
′
、
电阻
R 2
′
、
稳压二极管
D1<br/>′
、
电容
C1
′
、
电容
C2
′
、
电容
C3
′
、
变压器
T1
′
、
控制芯片
U1
′
、
供电电源
Vcc
′
；其中电阻
R1
′
和电阻
R 2
′
并联后一端分别与直流电源
Vin
′
正极
、
电容
C3
′
一端连接，另一端与稳压二极管
D1
′
的阴极
、
电容
C1
′
和电容
C2
′
并联后的一端连接；电容
C3
′
一端和变压器
T1
′
输入端的同名端连接，另一端与变压器
T1
′
输入端的异名端连接并接地；控制芯片
U1
′
一端连接于电阻
R 2
′
和电容
C1
′
之间，并与供电电源
Vcc
′
连接；电容
C1
′
和电容
C2
′
并联后的另一端分别与稳压二极管
D1
′
的阳极
、
控制芯片
U1
′
的另一端连接并接地；直流电源
Vin
′
负极与稳压二极管
D1
′
的阳极连接；控制芯片
U1
′
的驱动信号输出端与变压器
T1
′
的信号接收输入端连接；变压器
T1
′
输出端与供电电源
Vcc
′
连接；但是该电路结构会使电阻
R1
′
和电阻
R 2
′
一直承受高压，从而产生较大的损耗，无法长时间工作，可靠性低；
[0004]另一种如图2所示组成的三端稳压自供电电路，包括直流电源
Vin"、
电阻
R1"、
电阻
R 2"、
稳压二极管
D1"、
电容
C1"、
电容
C2"、
电容
C3"、
变压器
T1"、
控制芯片
U1"、
供电电源
Vcc"、
三极管
Q1"
；其中电阻
R1"
和电阻
R 2"
并联后一端分别与直流电源
Vin"
的正极
、
电容
C3"
的一端连接；电容
C3"
的一端与变压器
T1"
输入端的同名端连接，另一端与变压器
T1"
输入端的异名端连接并接地；电阻
R1"
另一端与稳压二极管
D1"
阴极
、
三极管
Q1"
基极连接；电阻
R 2"
另一端与三极管
Q1"
集电极连接；电容
C1"
和电容
C2"
并联后一端分别与三极管
Q1"
发射极
、
控制芯片
U1"
一端连接，另一端与稳压二极管
D1"
阳极
、
控制芯片
U1"
另一端连接并接地；控制芯片
U1"
一端连接于三极管
Q1"
发射极和电容
C1"
之间并与供电电源
Vcc"
连接；稳压二极管
D1"
阳极与直流电源
Vin"
负极连接；控制芯片
U1"
的驱动信号输出端与变压器
T1"
的信号接收输入端连接；该电路结构是利用三极管
Q1"
的电流放大特性将基极电流放大，快速给供电电容充电，然后利用基极端的稳压二极管
D1"
将电压稳定为控制芯片的启动工作电压
。
当三极管
Q1"
发射极电压高于基极电压时，三极管就会关掉，以此减少电路的损耗
。
但是此电路结构的基极电阻会一直承受高压，产生损耗，尤其是在高电压输入时，会影响电路工
作的可靠性，无法长时间工作
。
[0005]现有技术授权公号为
CN214626795U
的中国专利公开了一种开关电源自供电电路，如其图1所示：包括
PWM
时序控制芯片
U1
，变压器
T1
，二极管
D1
，二极管
D2
，二极管
D3
，稳压二极管
ZV1
，三极管
Q1
，三极管
Q2
，
P
‑
MOS
管
Q3
，一端与变压器
T1
的1管脚相连接
、
另一端与二极管
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高压输入低损耗自供电启动电路，其特征在于：包括直流电源
Vin、
延时电路
、
充电电路
、
控制芯片
U2、
变压器电路
、
供电电源
Vcc
；所述充电电路和变压器电路一端连接后与直流电源
Vin
正极连接，充电电路另一端与延时电路和控制芯片
U2
连接；所述延时电路一端与供电电源
Vcc
连接，另一端与直流电源
Vin
负极连接并接地；所述控制芯片
U2
与变压器电路和供电电源
Vcc
连接；所述变压器电路输出端与供电电源
Vcc
连接；所述充电电路包括耗尽型
N
‑
MOS
管
Q1、
稳压二级管
D1、
电阻
R3、
电阻
R4、
电阻
R5、
电容
C3、
电容
C6
，所述延时电路包括增强型
N
‑
MOS
管
Q2、
电阻
R6、
电阻
R7、
电容
C5
，所述变压器电路包括电容
C4
和变压器
T2。2.
如权利要求1所述的一种高压输入低损耗自供电启动电路，其特征在于：所述耗尽型
N
‑
MOS
管
Q1
的漏极
、
源极
、
栅极分别与所述直流电源
Vin
的正极
、
电阻
R5
和电阻
R3
连接，所述的电阻
R3
另一端分别与稳压二极管
D1
的阴极和电阻
R4
连接，电阻
R4
的另一端分别与电阻
R5
的另一端
、
电容
C3
和电容
C6
并联后的一端连接，电容
C3
和电容
C6
并联后的另一端和稳压二级管
D1
的阳极连接并接地
。3.
如权利要求1所述的一种高压输入低损耗自供电启动电路，其特征在于：所述电阻
R6
和电阻
R7
串联后一端与供电电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：游文杰，龙江，廖鸣宇，李中原，章治国，
申请(专利权)人：贵州航天林泉电机有限公司，
类型：发明
国别省市：