半导体加工用粘合带制造技术

提供耐热性优异的半导体加工用粘合带

【技术实现步骤摘要】
半导体加工用粘合带


[0001]本专利技术涉及半导体加工用粘合带。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor)等功率半导体出于电力转换及马达控制等目的而被广泛使用。功率半导体是大型的，为了提高器件的特性，有时对背面进行磨削直到厚度为100μm以下。对于功率半导体，例如，进行将背面研磨带贴附于晶圆进行磨削、其后通过溅射或蒸镀形成金属层而设置电极的背面金属工序来制作(专利文献1)。背面金属工序是在高真空下并且200℃以上的高温区域下进行，因此有时磨削得较薄的半导体晶圆中发生翘曲，产生晶圆的破裂。另外，为了在背面研磨工序后成为轻剥离，背面研磨带中使用紫外线固化型粘合剂。紫外线固化型粘合剂在真空并且高温环境下有时在粘合剂层产生孔(void)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
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169704号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术是为了解决上述以往的课题而作出的，其目的在于，提供耐热性优异的半导体加工用粘合带。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]1.本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合带依次具备粘合剂层、缓和层和基材。该缓和层的排气量为4000μg/g以下、并且应力缓和率为70％以上。该基材的热收缩率为3.0％以下。
[0010]2.上述1.所述的半导体加工用粘合带中，形成上述缓和层的组合物包含基础聚合物，该基础聚合物可以是使丙烯酸的含有比例为5摩尔％以下的单体组合物进行聚合而得到的聚合物。
[0011]3.上述2.的半导体加工用粘合带中，形成上述缓和层的组合物可以包含使上述基础聚合物与具有聚合性碳
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碳双键的化合物加成聚合而得到的聚合物。
[0012]4.上述3.的半导体加工用粘合带中，上述具有聚合性碳
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碳双键的化合物的加成量可以为5摩尔％以下。
[0013]5.上述1.～4.中任一项所述的半导体加工用粘合带中，形成上述缓和层的组合物包含基础聚合物，该基础聚合物可以为使丙烯酸丁酯的含有比例为50摩尔％以上的单体组合物聚合而得到的聚合物。
[0014]6.上述1.～5.中任一项所述的半导体加工用粘合带中，其中，上述粘合剂层可以为由紫外线固化型粘合剂形成的层。
[0015]7.上述1.～6.中任一项所述的半导体加工用粘合带中，上述缓和层的拉伸模量可以为0.1MPa以上。
[0016]8.上述1.～7.中任一项所述的半导体加工用粘合带中，上述半导体加工用粘合带可以用于背面研磨工序。
[0017]9.上述1.～8.中任一项所述的半导体加工用粘合带中，上述半导体加工用粘合带可以用于包括真空下并且200℃以上的加热工序的半导体制造工序。
[0018]专利技术的效果
[0019]根据本专利技术的实施方式，能够提供耐热性优异的半导体加工用粘合带。本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合带即使在用于包括真空且高温(例如，200℃以上)加热工序的半导体制造工序的情况下，也可抑制半导体晶圆及半导体加工用粘合带的翘曲、及粘合剂层的孔的产生。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的1个实施方式的半导体加工用粘合带的截面示意图。
[0021]附图标记说明
[0022]10 基材
[0023]20 粘合剂层
[0024]30 缓和层
[0025]100 半导体加工用粘合带
具体实施方式
[0026]A.半导体加工用粘合带的整体构成
[0027]图1为本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合带的截面示意图。半导体加工用粘合带100依次具备：基材10、缓和层30和粘合剂层20。基材10的热收缩率为3.0％以下。缓和层30的排气量为4000μg/g以下、并且应力缓和率为70％以上。具备这样的基材10及缓和层30时，能够提供耐热性优异的半导体加工用粘合带。具有这样的基材及缓和层的半导体加工用粘合带即使是在贴附于磨削为薄型的半导体晶圆的状态下置于高温(例如200℃以上)环境的情况下，也可抑制翘曲的产生。另外，即使在使用紫外线固化型粘合剂作为形成粘合剂层的粘合剂组合物的情况下，也可抑制孔的产生。因此，例如，可以在贴附于半导体晶圆并进行背面研磨工序后，不重新粘贴于其他粘合片或支撑体地供于真空下并且高温(例如，200℃以上)加热工序(例如，背面金属工序)。图示例中，基材10为单一的层，但也可以为2层以上的层叠体。对于半导体加工用粘合带，出于保护粘合剂层的目的，可以在直到供于使用之前在粘合剂层的外侧设置有分隔件。
[0028]缓和层30的排气量为4000μg/g以下，优选为3800μg/g以下、更优选为3100μg/g以下、进一步优选为3000μg/g以下、特别优选为2800μg/g以下。排气量为上述范围时，能够抑制粘合剂层的孔的产生，能够提供耐热性优异的半导体加工用粘合带。排气量越少越优选，例如为1300μg/g以上。本说明书中，缓和层的排气量是指有机成分的排气量和水分的排气量的合计。本说明书中，有机成分的排气量是指通过以下的方法测定的排气量。从在厚度50μm的缓和层的两侧层叠有分隔件的层叠体中切出5cm2(1cm
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5cm)，将两侧的分隔件剥离而
作为评价样品，进行称量。接着，将评价样品放入小瓶并盖严。接着，使用顶空进样器(HSS)对装有评价样品的小瓶进行加热，采取加热状态的气体1mL并注入至气相色谱(GC)，测定总的排气量(μg/g)。本说明书中，水分的排气量是指，从在厚度50μm的缓和层的两侧层叠有分隔件的层叠体中切出10cm2(2张1cm
×
5cm的试样)并从缓和层的两侧剥离了分隔件的评价样品的通过卡尔费休法测定的水分量。
[0029]缓和层30的应力缓和率为70％以上，优选为71％以上、更优选为75％以上、进一步优选为78％以上、特别优选为80％以上。缓和层的应力缓和率优选为95％以下。应力缓和率为上述范围时，即使在置于高温环境的情况下，也会缓和基材的热收缩、可抑制翘曲的产生。本说明书中，应力缓和率是指根据通过以下的方法测定的试验力并通过下式算出的值。在1对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)分隔件间形成缓和层(厚度20μm)，在干燥机内在50℃下进行48小时熟化。其后，将由分隔件夹持的缓和层切成长度50mm、宽度30mm的尺寸。接着，将分隔件剥离，以使气泡不进入的方式进行卷绕，制作长度30mm、直径1.13mm的棒状试样。对棒状试样使用拉伸试验机(例如，ORIENTEC公司制、制品名：“RTC
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1150A”)、在测定温度22度、卡盘间距离10mm、速度10mm/分钟的条件下拉伸至50％，其后在拉伸的状态下进行600秒钟固定。根据各个试验力(N)通过下式算出应力缓和率。
[0030]应力缓和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用粘合带，其依次具备：粘合剂层、缓和层和基材，该缓和层的排气量为4000μg/g以下、并且应力缓和率为70％以上，该基材的热收缩率为3.0％以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合带，其中，形成所述缓和层的组合物包含基础聚合物，该基础聚合物是使丙烯酸的含有比例为5摩尔％以下的单体组合物聚合而得到的聚合物。3.根据权利要求2所述的半导体加工用粘合带，其中，形成所述缓和层的组合物包含使所述基础聚合物与具有聚合性碳
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碳双键的化合物加成聚合而得到的聚合物。4.根据权利要求3所述的半导体加工用粘合带，其中，所述具有聚合性碳
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【专利技术属性】
技术研发人员：河野广希，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：