阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及显示面板

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板
。

技术介绍

[0002]随着显示技术的快速发展，有机发光器件
(Organic Light Emitting Display
，
OLED)
的显示产品应用越来越发广泛
。
[0003]但目前的
OLED
显示面板的显示均一性有待提升
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种阵列基板及显示面板，以提升显示面板的显示均一性
。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种阵列基板，阵列基板包括：衬底及位于衬底上的驱动电路层，驱动电路层中设置有像素电路和发光控制信号线，像素电路包括驱动晶体管
、
第一初始化晶体管和第一连接部，第一连接部连接于驱动晶体管的第一极与第一初始化晶体管之间；第一连接部与发光控制信号线在衬底上的正投影存在交叠部分；
[0006]驱动电路层中还设置有屏蔽部，屏蔽部在衬底上的正投影与交叠部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底及位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层中设置有像素电路和发光控制信号线，所述像素电路包括驱动晶体管
、
第一初始化晶体管和第一连接部，所述第一连接部连接于所述驱动晶体管的第一极与所述第一初始化晶体管之间；所述第一连接部与所述发光控制信号线在所述衬底上的正投影存在交叠部分；所述驱动电路层中还设置有屏蔽部，所述屏蔽部在所述衬底上的正投影与所述交叠部分存在交叠；所述屏蔽部所在的膜层位于所述发光控制信号线所在的膜层与所述第一连接部所在的膜层之间；和
/
或，所述第一连接部所在的膜层和所述发光控制信号线所在的膜层之间设置有至少一层有机绝缘层；和
/
或，所述第一连接部所在的膜层和所述发光控制信号线所在的膜层之间的绝缘层厚度大于3微米
。2.
根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽部接入直流电位；优选地，所述驱动电路层中还设置有第一电源线和
/
或初始化信号线，所述屏蔽部与第一电源线或初始化信号线电连接
。3.
根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层包括层叠设置的第一导电层
、
第二导电层
、
第三导电层
、
第四导电层和第五导电层；所述发光控制信号线设置于所述第一导电层；所述像素电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板设置于所述第二导电层；所述像素电路还包括开关管，所述开关管与所述驱动晶体管的栅极连接，所述开关管的第一栅极设置于所述第三导电层；所述第一连接部设置于所述第四导电层或所述第四导电层远离所述衬底的一侧；所述第五导电层设置有第一电源线，所述第一电源线用于为所述像素电路提供第一电源电压
。4.
根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接部设置于所述第五导电层；优选地，所述第四导电层和所述第五导电层之间设置有所述有机绝缘层；优选地，所述第一导电层
、
所述第二导电层
、
所述第三导电层和所述第四导电层中任意相邻两者之间设置有无机绝缘层
。5.
根据权利要求1‑4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述交叠部分位于所述屏蔽部在所述衬底的正投影内；优选地，所述发光控制信号线所在的膜层
、
所述屏蔽部所在的膜层
、
所述第一连接部所在的膜层沿远离所述衬底的方向依次层叠设置
。6.
根据权利要求1‑4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括第二初始化晶体管；所述驱动电路层还设置有第一初始化信号线和第二初始化信号线，所述第一初始化晶体管连接于所述第一初始化信号线与所述驱动晶体管的第一极之间，所述第二初始化晶体管连接于所述第二初始化信号线和发光器件的第一端之间；所述屏蔽部与所述第一初始化信号线或所述第二初始化信号线电连接；
优选地，所述第一初始化晶体管的栅极和所述第二初始化晶体管的栅极电连接至相同的扫描信号线；优选地，所述驱动电路层还包括第三导电层；所述像素电路还包括开关管；所述开关管与所述驱动晶体管的栅极连接；所述第三导电层设置有所述开关管的第一栅极；优选地，所述屏蔽部设置于所述第三导电层；优选地，所述第一初始化信号线和
/
或所述第二初始化信号线设置于所述第三导电层；优选地，所述第一初始化信号线在所述衬底上的正投影位于所述第二初始化信号线所述衬底上的正投影和所述屏蔽部所述衬底上的正投影之间；所述第一初始化信号线在所述衬底上的正投影位于所述第二初始化信号线所述衬底上的正投影和所述发光控制信号线所述衬底上的正投影之间；优选地，所述第一初始化信号线
、
所述第二初始化信号线和所述发光控制信号线的延伸方向为第一方向，且沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向相交；优选地，所述第二初始化信号线经第二连接部与所述屏蔽部电连接，所述第二连接部与所述第一初始化信号线交叉绝缘设置；优选地，所述第二连接部所在的膜层位于所述第一初始化信号线所在的膜层远离所述衬底的一侧；优选地，所述第一连接部和所述第二连接部同层设置
。7.
根据权利要求1‑4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板与第一电源线连接；所述第一极板与所述屏蔽部电连接为一体结构且同层设置；优选地，所述驱动电路层还包括第二导电层，所述第二导电层设置有所述存储电容的第一极板；优选地，所述存储电容的第二极板复用为所述驱动晶体管的栅极
。8.
根据权利要求1‑4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层设置有第一电源线，所述第一电源线包括电连接的第一子线和第二子线；所述像素电路还包括第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管与所述第二子线电连接；所述第二子线与所述屏蔽部电连接；优选地，所述屏蔽部沿第一方向延伸，所述第一子线沿第一方向延伸，所述第二子线的延伸方向和所述第一方向相交；所述第一子线和所述第二子线同层设置；优选地，所述第一发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的第一极和所述第二子线之间，或者，所述第一发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的第二极和所述第二子线之间；所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接；优选地，所述驱动电路层还包括第四导电层和第五导电层，所述屏蔽部设置于第四导电层；所述第一子线和所述第二子线设置于第五导电层；所述第二子线通过过孔与所述屏蔽部电连接；优选地，沿第一方向相邻的三个所述像素电路中，位于中间的所述像素电路中的所述屏蔽部与位于一侧的所述像素电路中的所述屏蔽部连接；位于中间的所述像素电路中的所
述第一连接部与位于一侧的所述像素电路中的所述第一连接部的距离小于位于中间的所述像素电路中的所述第一连接部与位于另一侧的所述像素电路中的所述第一连接部的距离；优选地，沿第一方向相邻的两个像素电路镜像对称设置
。9.
根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光控制信号线包...

【专利技术属性】
技术研发人员：史峰勃，何艳兵，许骥，张露，吴忠厚，张金方，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：