一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用，以光伏产业废硅粉和镁粉为原料，通过高能球磨和放电等离子体烧结的工艺优化，同时控制镁粉含量，在镁硅摩尔比为

【技术实现步骤摘要】
一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于固废回收再利用
，具体涉及一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]随着我国光伏产业的不断发展，太阳能单晶
/
多晶硅片在金刚石线切割过程中会伴随有大量的光伏废硅粉产生，占到了原料的百分之四十左右
。
目前国内光伏企业对光伏废硅粉的处理大多采取堆放或低价出售的方式，一方面大量光伏废硅粉的堆放极易造成自燃甚至爆炸等安全事故的频繁发生，另一方面光伏废硅粉未能有效利用还会造成严重的资源浪费和环境污染
。
[0003]光伏产业废硅粉中硅的含量较高
(
大多
90
％以上，有的甚至更高
)
，而且由于其本身先进的金刚石线切割处理工艺，废硅粉中金属杂质含量极低多为
ppm
级，氧和碳元素含量较高
。
此外，相比商业硅粉的微米级粒径，光伏产业废硅粉的粒径分布在纳米至亚微米区域，且光伏废硅粉价格低廉，因此，将光伏废硅粉直接用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅化镁热电半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：将光伏产业废硅粉和镁粉在氩气气氛下球磨后，再进行放电等离子体烧结，最终得到硅化镁热电半导体材料
。2.
根据权利要求1所述的硅化镁热电半导体材料的制备方法，其特征在于，光伏产业废硅粉：镁粉的摩尔比为
1:(1.9
～
2.1)。3.
根据权利要求1所述的硅化镁热电半导体材料的制备方法，其特征在于，所述球磨时间为1～
3h。4.
根据权利要求1所述的硅化镁热电半导体材料的制备方法，其特征在于，所述放电等离子体烧结的温度为
700
～
720℃
，压强为
50
～
55MPa。5.
根据权利要求1所述的硅化镁热电半导体材料的制备方法，其特征在于，所述放电等离子体烧结的时间为
15
～
18min。6.
根据权利要求1所述的硅化镁热...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荔，马烨，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：