化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物制造技术

本发明专利技术公开化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物。本发明专利技术提供由式（Ｉ）表示的化合物；包含衍生自由式（Ｉ）表示的化合物的结构单元的聚合物；和，包含所述聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂的化学放大型正性抗蚀剂组合物，在式（Ｉ）中，Ｒ１表示氢原子等，Ｒ２和Ｒ３各自独立地表示氢原子等，Ｒ４表示Ｃ１－Ｃ８二价烃基，Ｒ５表示单键等，并且Ｒ６表示未取代或取代的Ｃ６－Ｃ２０芳族烃基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物和化学放大型正性抗蚀剂组合物。
技术介绍
将化学放大型正性抗蚀剂组合物用于采用光刻法的半导体微型制造，所述的光刻 法使用i_射线、KrF、ArF和电子束；用于在半导体器件的生产中形成突出块或厚膜抗蚀剂 图案；在电路板的生产中形成配线图案或厚膜抗蚀剂层压体；等。期望化学放大型抗蚀剂组合物产生具有高分辨率和良好图案轮廓的图案。US 2002/147259 Al公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大 型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自羟基苯乙烯的结构单元和 衍生自甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯的结构单元。WO 2006/126433 Al公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大 型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自4-羟基苯乙烯的结构单 元、衍生自苯乙烯的结构单元、衍生自甲基丙烯酸叔丁酯的结构单元和衍生自甲基丙烯酸 4-(4_羟基苯基硫氧基(sufoxy))苯基酯的结构单元。WO 2006/126433 Al也公开了一种化 学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂， 所述树脂包含衍生自4-羟基苯乙烯的结构单元、衍生自4-(1_乙氧基乙氧基)苯乙烯的结 构单元、衍生自甲基丙烯酸4- (4-羟基苯基硫氧基)苯基酯的结构单元和衍生自甲基丙烯 酸4-苯基酯的结构单元。
技术实现思路
本专利技术涉及下列各项<1> 一种由式(I)表示的化合物 (I)其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷 基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8 二价烃基，R5表 示单键，C1-C4 二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基；<2>根据<1>所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是 苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直 链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基；<3>根据<1>所述的化合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是可以含有C1-C6直链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基的蒽基；<4>根据<3>所述的化合物，其中所述蒽基是9-蒽基；<5>—种聚合物，所述聚合物包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元 其中R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷 基，R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基，R4表示C1-C8 二价烃基，R5表 示单键，C1-C4 二价烃基或羰基，并且R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基；<6>根据<5>所述的聚合物，其中R6中的所述未取代或取代的C6-C20芳族烃基是 苯基、萘基、蒽基或菲基，并且所述苯基、所述萘基、所述蒽基和所述菲基可以含有C1-C6直 链或支链烷基或C1-C6直链或支链烷氧基；<7>根据<5>或<6>所述的聚合物，其中所述聚合物还包含衍生自含有一个或多个 酚式羟基的苯乙烯的结构单元；<8>根据<7>所述的聚合物，其中所述衍生自含有一个或多个酚式羟基的苯乙烯 的结构单元是由式(II)表示的结构单元 其中R41表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷 基，R42, R43, R44, R45和R46各自独立地表示氢原子，羟基或C1-C4直链或支链烷基，条件是R42 至R46中的1至3个基团是羟基，并且R42至R46中的O至2个基团是C1-C4直链或支链烷 基；<9>根据<5>至<8>中任何一项所述的聚合物，其中所述聚合物还包含在其侧链 含有酸不稳定基团的结构单元；<10>根据<9>所述的聚合物，其中所述在其侧链含有酸不稳定基团的结构单元是由式(III)表示的结构单元 其中R47表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷 基，并且R48表示由下式表示的基团 R50, R51和R52各自独立地表示C1-C6烷基或C3-C12脂环族烃基，并且R51和R52可 以结合以形成可以被取代的C3-C20环状烃基；<11>根据<7>至<10>中任何一项所述的聚合物，其中所述由式(I)表示的结构单 元的含量是0. 1至50摩尔/100摩尔的所有结构单元；<12> 一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物包 含根据<5>至<11>中任何一项的聚合物、至少一种酸生成剂和至少一种溶剂；<13>根据<12>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中至少一种酸生成剂包 含含有磺酰基的重氮甲烷化合物；<14>根据<12>或<13>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大 型正性抗蚀剂组合物还包含碱性含氮有机化合物。具体实施例方式首先，说明本专利技术的由式(I)表示的化合物 由式⑴表示的化合物是一种新的化合物。式(I)中，R1表示氢原子，氟原子，C1-C4直链或支链烷基或C1-C4氟化直链或支链烷基。C1-C4直链或支链烷基的实例包括甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，仲-丁 基和叔-丁基，优选甲基和乙基，并且更优选甲基。C1-C4氟化直链或支链烷基的实例包括C1-C4直链或支链全氟烷基，如三氟甲基， 五氟乙基，七氟丙基，七氟异丙基，九氟丁基，九氟异丁基，九氟-仲-丁基和九氟_叔-丁基。R1优选是氢原子或C1-C4直链烷基，并且更优选氢原子或甲基。R2和R3各自独立地表示氢原子或C1-C4直链或支链烷基。C1_C4直链或支链烷基 的实例包括与上所述实例相同的那些。R2和R3优选为相同的基团，并且更优选为甲基。R4表示C1-C8 二价烃基，并且其实例包括亚甲基，二亚甲基，三亚甲，亚乙基，1-甲 基-1，2-亚乙基，亚丙基，1，2-亚丙基，亚异丙基，四亚甲基，五亚甲基，六亚甲基，八亚甲基 和2-甲基环己烯-3，5- 二基；优选C1-C4 二价烃基；并且，更优选亚甲基，二亚甲基和三亚 甲基。R5表示单键，C1-C4 二价烃基或羰基，并且C1-C4 二价烃基的实例包括亚甲基，二 亚甲基，三亚甲基，亚乙基，1-甲基-1，2-亚乙基，亚丙基，1，2-亚丙基，亚异丙基和四亚甲 基。R5优选是单键，亚甲基或羰基，更优选单键或羰基，并且特别优选为羰基。R6表示未取代或取代的C6-C20芳族烃基。未取代的C6-C20芳族烃基的实例包括 苯基，茚基，萘基，甘菊环基(azurenyl)，庚搭烯基，联苯基基，indacenyl，蒽基，并四苯基， 菲基，芴基，9，10-苯并菲基，芘基和1，2-苯并醋蒽基(l，2-benzacenaphthyl)，优选苯基， 萘基，蒽基和菲基，更优选苯基和蒽基，并且特别优选蒽基。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由式（Ⅰ）表示的化合物：　　＊＊＊　（Ⅰ）　　其中Ｒ↑［１］表示氢原子，氟原子，Ｃ１－Ｃ４直链或支链烷基或Ｃ１－Ｃ４氟化直链或支链烷基，Ｒ↑［２］和Ｒ↑［３］各自独立地表示氢原子或Ｃ１－Ｃ４直链或支链烷基，Ｒ↑［４］表示Ｃ１－Ｃ８二价烃基，Ｒ↑［５］表示单键，Ｃ１－Ｃ４二价烃基或羰基，并且Ｒ↑［６］表示未取代或取代的Ｃ６－Ｃ２０芳族烃基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋田诚，吉田勋，桥本和彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]