彩膜基板及液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种彩膜基板，包括衬底基板及设置于衬底基板上的透明导电薄膜层、导电金属层和色阻层，透明导电薄膜层包括辅助电极，导电金属层包括金属降阻线路，金属降阻线路与辅助电极上下相邻层叠设置，且金属降阻线路与辅助电极电连接；色阻层位于透明导电薄膜层和导电金属层远离衬底基板的一侧。本实用新型专利技术提供的彩膜基板，其能够减少或解决彩膜基板与阵列基板成盒后进行ODF光箱试验时出现气泡的现象，提高液晶显示面板的生产良率。本实用新型专利技术还提供一种液晶显示面板。新型还提供一种液晶显示面板。新型还提供一种液晶显示面板。

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板及液晶显示面板


[0001]本技术涉及显示
，特别是涉及一种彩膜基板及液晶显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)以其优异的性能与成熟的技术成为市场上的主流产品。液晶显示面板一般包括相对设置的彩膜基板(color filter，CF)和阵列基板(TFT array substrate)以及夹设在两者之间的液晶层(LC layer)。液晶显示面板工作时，通过分别加载驱动电压和公共电压至像素电极和公共电极以在液晶层之间产生电场，液晶分子的偏转方向会随着所加载的驱动电压和公共电压之差而改变，从而控制通过液晶层的光通过率，进而控制液晶显示面板的每个像素单元的亮度。
[0003]目前部分具有宽窄视角切换功能的液晶显示面板是通过在彩膜基板上设置辅助电极(也称为视角控制电极)，辅助电极给液晶分子施加一个垂直电场，实现窄视角模式，并通过辅助电极与像素电极和公共电极相配合以实现液晶显示面板的宽窄视角切换。由于辅助电极一般为具有狭缝的梳状结构(其具体结构可参考图3和图4)，且辅助电极一般采用与像素电极和公共电极类似的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料制成，其电阻率相对较大，故辅助电极远近端的Loading(负载)差异较大，其远近端的响应速度差异较大(如图4所示，辅助电极的远端A相较于近端B距离电连接部更远，两者之间的Loading差异较大)，从而容易导致画面闪烁。为了避免该问题，故设置一层金属层与辅助电极电连接，以增加辅助电极的导通性，即形成如图1所示的彩膜基板的结构。
[0004]如图1所示，现有的彩膜基板一般包括衬底基板50及依次设置于衬底基板50上的色阻/黑矩阵层51、第一平坦层52、金属层53、辅助电极54和第二平坦层55。该彩膜基板虽然能够解决上述辅助电极54远近端的Loading差异大的问题，但是，由于该结构在制作时是先在衬底基板50上形成色阻/黑矩阵层51，再形成平坦层(包括第一平坦层52和第二平坦层55)和金属层53，而平坦层和金属层53的制程温度较高(平坦层的镀膜温度为230℃，金属层53的镀膜温度为120℃)，色阻/黑矩阵层51在经过多道高温制程后会挥发出气体(色阻/黑矩阵层51一般采用树脂类有机材质，其在高温环境中容易挥发产生气体)，而且金属层53镀膜为真空环境，不利于气体的释放，使得该彩膜基板在与阵列基板成盒并注入液晶(ODF)后在进行光箱试验时出现气泡(bubble)现象(色阻/黑矩阵层51挥发产生的气体进入液晶层中产生气泡)，不良比例接近100％，从而严重影响液晶显示面板的生产良率。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本技术提出一种彩膜基板，能够减少或解决彩膜基板与阵列基板成盒后进行ODF光箱试验时出现气泡的现象，提高液晶显示面板的生产良率。
[0006]本技术提供一种彩膜基板，包括衬底基板及设置于所述衬底基板上的透明导电薄膜层、导电金属层和色阻层，所述透明导电薄膜层包括辅助电极，所述导电金属层包括金属降阻线路，所述金属降阻线路与所述辅助电极上下相邻层叠设置，且所述金属降阻线
路与所述辅助电极电连接；所述色阻层位于所述透明导电薄膜层和所述导电金属层远离所述衬底基板的一侧。
[0007]在一种可实现的方式中，所述彩膜基板还包括设置于所述衬底基板上的黑矩阵，所述黑矩阵位于所述透明导电薄膜层和所述导电金属层远离所述衬底基板的一侧。
[0008]在一种可实现的方式中，所述导电金属层位于所述透明导电薄膜层与所述衬底基板之间，所述透明导电薄膜层形成于所述导电金属层上，所述色阻层位于所述透明导电薄膜层远离所述导电金属层的一侧。
[0009]在一种可实现的方式中，所述导电金属层与所述衬底基板之间设有第一平坦层，所述导电金属层形成于所述第一平坦层上；所述色阻层远离所述衬底基板的一侧设有第二平坦层，所述第二平坦层形成于所述色阻层上。
[0010]在一种可实现的方式中，所述透明导电薄膜层位于所述导电金属层与所述衬底基板之间，所述导电金属层形成于所述透明导电薄膜层上，所述色阻层位于所述导电金属层远离所述透明导电薄膜层的一侧。
[0011]在一种可实现的方式中，所述导电金属层的厚度为
[0012]在一种可实现的方式中，所述辅助电极为具有狭缝的梳状结构，所述金属降阻线路为与所述辅助电极形状相仿的具有狭缝的梳状结构。
[0013]在一种可实现的方式中，所述辅助电极为具有狭缝的双侧交叉式梳状结构，所述金属降阻线路为与所述辅助电极形状相仿的具有狭缝的双侧交叉式梳状结构。
[0014]本技术还提供一种液晶显示面板，包括如以上所述的彩膜基板、与所述彩膜基板相对设置的阵列基板以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层。
[0015]在一种可实现的方式中，所述阵列基板上设有公共电极和呈阵列排布的多个子像素，每个所述子像素内设有像素电极，所述辅助电极对应所述像素电极和所述公共电极设置，所述辅助电极与所述像素电极和所述公共电极相配合以实现所述液晶显示面板的宽窄视角切换。
[0016]本技术提供的彩膜基板，通过设置金属降阻线路，金属降阻线路与辅助电极电连接，从而提高辅助电极的导通性，减少辅助电极远近端的Loading差异，避免液晶显示面板出现画面闪烁的问题。同时，由于色阻层位于透明导电薄膜层和导电金属层远离衬底基板的一侧，能够减少或避免色阻层经过高温制程产生气体，并有利于色阻层产生的气体的挥发，从而减少或避免彩膜基板与阵列基板成盒后进行ODF光箱试验时出现气泡的现象，提高液晶显示面板的生产良率。
附图说明
[0017]图1为现有技术中彩膜基板的截面示意图。
[0018]图2为本技术实施例中彩膜基板的截面示意图。
[0019]图3为本技术实施例中金属降阻线路与辅助电极对应设置的结构关系示意图。
[0020]图4为本技术实施例中辅助电极的平面结构示意图。
[0021]图5为本技术实施例中金属降阻线路的平面结构示意图。
[0022]图6为本技术另一实施例中彩膜基板的截面示意图。
[0023]图7为本技术实施例中液晶显示面板的截面示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0025]本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0026]本技术的说明书和权利要求书中所涉及的上、下、左、右、前、后、顶、底等(如果存在)方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。
[0027本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括衬底基板(11)及设置于所述衬底基板(11)上的透明导电薄膜层(12)、导电金属层(13)和色阻层(14)，所述透明导电薄膜层(12)包括辅助电极(121)，所述导电金属层(13)包括金属降阻线路(131)，所述金属降阻线路(131)与所述辅助电极(121)上下相邻层叠设置，且所述金属降阻线路(131)与所述辅助电极(121)电连接；所述色阻层(14)位于所述透明导电薄膜层(12)和所述导电金属层(13)远离所述衬底基板(11)的一侧。2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板(1)还包括设置于所述衬底基板(11)上的黑矩阵(15)，所述黑矩阵(15)位于所述透明导电薄膜层(12)和所述导电金属层(13)远离所述衬底基板(11)的一侧。3.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电金属层(13)位于所述透明导电薄膜层(12)与所述衬底基板(11)之间，所述透明导电薄膜层(12)形成于所述导电金属层(13)上，所述色阻层(14)位于所述透明导电薄膜层(12)远离所述导电金属层(13)的一侧。4.如权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电金属层(13)与所述衬底基板(11)之间设有第一平坦层(16)，所述导电金属层(13)形成于所述第一平坦层(16)上；所述色阻层(14)远离所述衬底基板(11)的一侧设有第二平坦层(17)，所述第二平坦层(17)形成于所述色阻层(14)上...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗建芳，段明爽，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：