一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法技术

一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。其组分及摩尔百分比含量为ＣａＣｕ（１－ｘ）ＭｇｘＴｉ４Ｏ１２＋ｙ?ＳｒＣＯ３其中，ｘ＝０．１６６７，０．１１３３，０．１０６７，０．１，０．０９３３，０．０８６７，０．０５，ｙ＝０．３，０．２，０．１，０．０５，０。以ＣａＣＯ３、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＳｒＣＯ３为原料，按化学配比混合，得混合料，研磨成粉末，烘干，预烧，球磨，烘干；在球磨烘干后的混合料粉末中加入粘结剂干压成形，再烧结，得烧结后的陶瓷体；将烧结后的陶瓷体打磨，在陶瓷体上下表面被覆Ａｇ电极，再热处理，使Ａｇ电极与陶瓷介质紧密结合，得双掺杂高介电常数的陶瓷材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷材料，尤其是涉及一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其 制备方法。
技术介绍
CaCu3Ti4012(CCT0)于1979年由Bochu课题组通过固相烧结法制备(1、Bochu B， Deschizeaux M N, Jouberta Collomb JC, et al. Synthesis and characterization of a series ofperovskite is o2t ropes ofCaCu3Mn4012. J Solid State Chem, 1979, 29 :291), 它为类钙钛矿结构，是一种高介材料，其相对介电常数在104 105量级，它无铁电一顺电相 变，因此在100 600K温度范围内有较好的热稳定性。随着微电子工业的发展，电子元器 件的微型化正迫切需要这种高介电常数的电介质材料。目前，制备CCT0的方法主要有固相法、溶胶凝胶法、柠檬酸盐法等，采用激光脉 7中MIR (PLD) (2、 Si ff, Cruz E M, Johnson P D, et al. Epitaxial thin films of the g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料，其特征在于其组分及摩尔百分比含量为ＣａＣｕ↓［（１－ｘ）］Ｍｇ↓［ｘ］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１２］＋ｙＳｒＣＯ↓［３］其中，ｘ＝０．１６６７，０．１１３３，０．１０６７，０．１，０．０９３３，０．０８６７，０．０５，ｙ＝０．３，０．２，０．１，０．０５，０。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊兆贤，曹泽亮，喻荣，薛昊，洪礼清，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]