一种同轴耦合器制造技术

技术编号:3947222 阅读:276 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种同轴耦合器,包括主同轴线内导体及外导体,耦合输出内导体与外导体,主同轴线内导体与耦合输出内导体通过信号耦合导体及信号耦合导体内部的环状四氟连接,所述的信号耦合导体为与主同轴线内导体同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体与信号耦合导体通过螺栓垂直连接。所述的耦合输出内导体与信号耦合导体连接处,在信号耦合导体外侧设有凸环。本实用新型专利技术提供了一种频宽可实现4倍或更高频程,且容易实现输入端口低驻波比,低互调,低耦合起伏的同轴耦合器。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种通讯用耦合器,尤其涉及一种宽频耦合器。
技术介绍
同轴耦合器类似于无隔离的功率分配器,也可视作不等分二功率分配器的一种。 其主要用于微波信号按特定比例分配或合成功率,是微波
中常用的元件之一,多 以同轴结构出现。一般为在主传输线上增加一用于耦合输出的部件,从而实现从主传输线 中分配出特定的功率从另一端口输出。由于其结构和原理也耦合器相似,一般也可视作无 隔离的耦合器,同样定义输入功率与耦合输出功率之间的关系为耦合度。同轴耦合器的特 点是结构简单、承载功率大、互调低。目前常见的同轴耦合器,其耦合部件的典型结构为设置一与主线垂直的空心圆 柱,通过控制空心圆柱内径大小来控制耦合度。受同轴线外导体内径尺寸的限制,耦合区 长度一般较短,直接导致在实现宽频或超宽频时耦合度起伏较大;如工作带宽为800MHZ 2500MHZ的-5DB的同轴耦合器,其耦合起伏在_4. 2DB -5. 8DB ;而同时为保证在宽频或 超宽频时带宽内输入端口有较小的驻波比,需加入匹配单元,该匹配单元受耦合区域的影 响。由于这种结构的耦合区长度较短且比较固定,想实现更宽频应用及更小耦合起伏十分 困难。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足,提供了一种频宽可实现4倍或更高频程,且容 易实现输入端口低驻波比,低互调,低耦合起伏的同轴耦合器。本技术是通过以下技术方案实现的一种同轴耦合器,包括主同轴线内导体及外导体,耦合输出内导体与外导体,主同 轴线内导体与耦合输出内导体通过信号耦合导体及信号耦合导体内部的环状四氟连接,所 述的信号耦合导体为与主同轴线内导体同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体与信号耦合 导体通过螺栓垂直连接。—种同轴耦合器,所述的耦合输出内导体与信号耦合导体连接处,在信号耦合导 体外侧设有凸环。本技术同轴耦合器中信号耦合导体与主线平行,故可根据带宽与耦合度起伏 要求任意选择其长度,即耦合区长度,由于耦合区域较长,可以在较宽的带宽内实现较小的 耦合起伏;不同的耦合度需求,可通过调整信号耦合导体中金属空心圆柱的内径和外径,主 同轴线在耦合装置内部分的直径来实现;通过调整信号耦合导体的长度来调整耦合度起 伏,通过调整主同轴线内导体在信号耦合导体附近的圆柱直径与长度来实现耦合度起伏的 微调;在耦合度及起伏确定后调整主传输线中不同圆柱的直径和长度来实现输入端口的低 驻波比。耦合输出内导体与信号耦合导体连接处,在信号耦合导体外侧设有凸环可以加固 耦合输出内导体与信号耦合导体连接处,同时也能起到调节指标的作用。本技术结构简单,牢固,使用中不宜发生移动变形,加工方便,在宽频带内输入端口低驻波比,耦合起伏 小,低互调。附图说明图1为剖视结构示意图。图2为耦合输出内导体与信号耦合导体连接处剖视结构示意图。具体实施方式参见附图1、2所示。本技术包括主同轴线内导体5及外导体6,耦合输出内导体3与外导体4,主 同轴线内导体5与耦合输出内导体3通过信号耦合导体2及信号耦合导体2内部的环状四 氟1连接,信号耦合导体2为与主同轴线内导体5同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体3 与信号耦合导体2通过螺栓垂直连接。耦合输出内导体3与信号耦合导体2连接处,在信 号耦合导体2外侧设有凸环7。本技术同轴耦合器中信号耦合导体2与主线平行,故可根据带宽与耦合度起 伏要求任意选择其长度,即耦合区长度,由于耦合区域较长,可以在较宽的带宽内实现较小 的耦合起伏;不同的耦合度需求,可通过调整信号耦合导体2中金属空心圆柱的内径和外 径,主同轴线在耦合装置内部分的直径来实现;通过调整信号耦合导体2的长度来调整耦 合度起伏,通过调整主同轴线内导体5在信号耦合导体附近的圆柱直径与长度来实现耦合 度起伏的微调;在耦合度及起伏确定后调整主传输线中不同圆柱的直径和长度来实现输入 端口的低驻波比。耦合输出内导体3与信号耦合导体2连接处,在信号耦合导体2外侧设 有凸环7可以加固耦合输出内导体3与信号耦合导体2连接处,同时也能起到调节指标的 作用。权利要求一种同轴耦合器,包括主同轴线内导体及外导体,耦合输出内导体与外导体,主同轴线内导体与耦合输出内导体通过信号耦合导体及信号耦合导体内部的环状四氟连接,其特征在于所述的信号耦合导体为与主同轴线内导体同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体与信号耦合导体通过螺栓垂直连接。2.根据权利要求1所述的一种同轴耦合器,其特征在于所述的耦合输出内导体与信号 耦合导体连接处,在信号耦合导体外侧设有凸环。专利摘要本技术涉及一种同轴耦合器,包括主同轴线内导体及外导体,耦合输出内导体与外导体,主同轴线内导体与耦合输出内导体通过信号耦合导体及信号耦合导体内部的环状四氟连接,所述的信号耦合导体为与主同轴线内导体同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体与信号耦合导体通过螺栓垂直连接。所述的耦合输出内导体与信号耦合导体连接处,在信号耦合导体外侧设有凸环。本技术提供了一种频宽可实现4倍或更高频程,且容易实现输入端口低驻波比,低互调,低耦合起伏的同轴耦合器。文档编号H01P5/04GK201623252SQ20102012661公开日2010年11月3日 申请日期2010年3月9日 优先权日2010年3月9日专利技术者李嘉国 申请人:合肥威科电子技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴耦合器,包括主同轴线内导体及外导体,耦合输出内导体与外导体,主同轴线内导体与耦合输出内导体通过信号耦合导体及信号耦合导体内部的环状四氟连接,其特征在于所述的信号耦合导体为与主同轴线内导体同一轴线的空心圆柱,耦合输出内导体与信号耦合导体通过螺栓垂直连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李嘉国
申请(专利权)人:合肥威科电子技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]

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