基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，能够迅速地从载体向处理块转移基板。将在晶片搬入部（２１１）已转移晶片的载体（Ｃ）移载至退避用载置部（２２），并且将收纳有未处理的晶片（Ｗ）的新的载体移载至晶片搬入部（２１１），当将晶片（Ｗ）从该新的载体交接至处理块（Ｓ２）时，准备例如呈搁板状地保持１００个晶片（Ｗ）的基板保持部（４），通过晶片移载机构（Ａ１）将５个晶片（Ｗ）一并从载体（Ｃ）移载至该基板保持部（４），接着通过移载机构（Ａ２）将晶片（Ｗ）逐个地从基板保持部（４）交接至处理块（Ｓ２）。一次将５个晶片（Ｗ）交接至基板保持部（４），另一方面，从基板保持部（４）逐个取出晶片（Ｗ），因此，能够不中断向处理块（Ｓ２）转移晶片（Ｗ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行 抗蚀剂液的涂敷处理或曝光后的显影处理等的基板处理的基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件或IXD基板的制造工艺中，通过被称为光刻术的技术，在基板上形 成抗蚀剂图案。该技术通过一系列工序来进行，即，在例如半导体晶片(以下称为晶片)等 的基板上涂敷抗蚀剂液而在该晶片的表面形成液膜，使用光掩膜将该抗蚀剂膜曝光后，通 过实施显影处理获得期望的图案。这样的处理，一般使用在进行抗蚀剂液的涂敷、显影的涂敷显影装置上连接有曝 光装置的抗蚀剂图案形成装置来进行。在该装置中，例如如图13所示那样，将收纳有多个 晶片的载体10搬入载体块IA的载体台11上，通过交接臂12将载体10内的晶片交接至处 理块1B。然后，在处理块IB内，进行涂敷模块13的抗蚀剂膜的形成后，通过接口块IC搬送 至曝光装置1D。另一方面，将曝光处理后的晶片再次送回处理块1B，通过显影模块14进行 显影处理，然后被送回原来的载体10内。在上述抗蚀剂膜的形成处理的前后和显影处理的 前后，进行晶片的加热处理和冷却处理，这些进行加热处理的加热模块和进行冷却处理的 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括交接用载置部，该交接用载置部载置收纳多个基板的载体且按照每个载体准备，在对从载置于该交接用载置部的载体转移的基板在处理块中逐个地进行处理后，将该基板送回至所述交接用载置部上的原来的载体，所述基板处理装置的特征在于，包括：退避用载置部，其用于载置所述载体，与所述交接用载置部分别地设置；载体移载机构，其将在所述交接用载置部已转移基板的载体移载至所述退避用载置部，并且将收纳有未处理的基板的新的载体移载至所述交接用载置部；基板保持部，其将至少收纳于一个载体的最大个数的基板呈搁板状地保持；基板移载机构，其为了从载置于所述交接用载置部的载体一并地接收多个基板并移载至所述基板保持部，具...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：月野木涉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]