一种TLVR双导体电感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TLVR双导体电感器，电感器包括第一导体、第二导体以及磁体，磁体内开设有穿孔槽，磁体为一体结构，磁体包括侧面、顶面和底面，侧面没有间隙，穿孔槽从顶面延伸至底面。本实用新型专利技术使用一个磁体，在磁体中开设有穿孔槽，第一导体和第二导体上下叠合穿过穿孔槽，形成一个双导体电感器，解决了现有技术中由于两片磁体之间的空隙所导致的漏磁体的问题，省略了沾粘两片磁芯的工序，优化电感组装工艺。感组装工艺。感组装工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种TLVR双导体电感器


[0001]本技术涉及电感器
，特别涉及一种TLVR双导体电感器。

技术介绍

[0002]TLVR(Trans
‑
inductor Voltage Regulator)双导体电感器的结构是由两个n型的导体装置在两片磁芯合围的空间内组合起来，形成一个底部四端子的立式结构电感。
[0003]由于电感器的结构外围磁芯是由两片磁芯合围而成，两片磁芯之间具有空隙，虽然两片磁芯通过胶沾粘成型填补了该空隙，但是胶并不能屏蔽磁通，仍然有少部分的磁通从这空隙中漏出，在元件密集的电路板上，这少部分的磁通从这空隙中漏出，也会对周边元件形成电磁干扰(EMI)。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能降低漏磁通干扰的TLVR双导体电感器。
[0005]一种TLVR双导体电感器，所述电感器包括：
[0006]第一导体；
[0007]第二导体；以及
[0008]磁体，所述磁体内开设有穿孔槽，所述磁体为一体结构，所述磁体包括侧面、顶面和底面，所述侧面没有间隙，所述穿孔槽从所述顶面延伸至所述底面，所述第一导体和所述第二导体叠合穿过所述穿孔槽。
[0009]优选地，所述第一导体包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子相对向内设置，所述第二导体包括第三端子、第四端子，所述第三端子和所述第四端子相对向外设置。
[0010]优选地，所述第一导体包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子的端面与所述磁体的底部表面平行，所述第二导体包括第三端子、第四端子，所述第三端子和所述第四端子的端面与所述磁体的底部表面平行。
[0011]优选地，所述第一导体还包括第一主体、第一连接部和第二连接部，所述第一导体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述第一主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第一端子，所述第二连接部垂直延伸形成所述第二端子；所述第二导体还包括第二主体、第三连接部和第四连接部，所述二导体的一端垂直延伸形成所述第三连接部，所述第二主体的另一端垂直延伸形成所述第四连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第三端子，所述第四连接部垂直延伸形成所述第四端子。
[0012]优选地，所述第一导体还包括第一主体、第一连接部和第二连接部，所述第一导体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述第一主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部延伸形成所述第一端子，所述第二连接部延伸形成所述第二端子；所述第二导体还包括第二主体、第三连接部和第四连接部，所述二导体的一端垂直延伸形成所述第三连接部，所述第二主体的另一端垂直延伸形成所述第四连接部，所述第一连接部延
伸形成所述第三端子，所述第四连接部延伸形成所述第四端子。
[0013]优选地，所述穿孔槽包括顶面凹槽和通孔，所述第二主体嵌入所述顶面凹槽，所述第二主体与所述磁体的顶面平齐，所述第三连接部和所述第四连接部穿过所述通孔。
[0014]优选地，所述第一主体和所述第二主体叠合，所述第一导体主体和所述第二导体之间绝缘且具有空隙；
[0015]所述第一连接部和所述第三连接部叠合，所述第一连接部和所述第三连接部之间绝缘且具有空隙；
[0016]所述第二连接部和所述第四连接部叠合，所述第二连接部和所述第四连接部之间绝缘且具有孔隙。
[0017]优选地，所述第一端子、所述第二端子、所述第一主体、所述第一连接部和所述第二连接部为一体结构；
[0018]所述第三端子、所述第四端子、所述第二主体、所述第三连接部和所述第四连接部为一体结构。
[0019]优选地，所述第一端子、所述第二端子、所述第一主体、所述第一连接部和所述第二连接部的内层均为导体，所述第一主体、所述第一连接部和所述第二连接部的导体上设有绝缘层；
[0020]所述第三端子、所述第四端子、所述第二主体、所述第三连接部和所述第四连接部均为导体上电镀有镍层、锡层。
[0021]优选地，所述第一端子、所述第二端子、所述第一主体、所述第一连接部和所述第二连接部的内层均为导体，所述第一端子和所述第二端子内层的导体上电镀有镍层和锡层，所述第一主体、所述第一连接部和所述第二连接部的导体上设有绝缘层；
[0022]所述第三端子、所述第四端子、所述第二主体、所述第三连接部和所述第四连接部的内层均为导体，所述第三端子和所述第四端子导体上电镀有镍层和锡层。
[0023]本技术的有益效果
[0024]本技术使用一个磁体，在磁体中开设有穿孔槽，第一导体和第二导体上下叠合穿过穿孔槽，形成一个双导体电感器，解决了现有技术中由于两片磁体之间的空隙所导致的漏磁体的问题，省略了沾粘两片磁芯的工序，优化电感组装工艺。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0026]图1为TLVR双导体电感器结构示意图；
[0027]图2为一实施例中第一导体和第二导体结构示意图；
[0028]图3为磁体结构示意图；
[0029]图4为一实施例中的第一导体的结构示意图；
[0030]图5为一实施例中TLVR双导体电感器结构示意图。
[0031]图中部件名称及序号：100、第一导体；110、第一端子；120、第二端子；130、第一主
体；140、第一连接部；150、第二连接部；200、第二导体；210、第三端子；220、第四端子；230、第二主体；240、第三连接部；250、第四连接部；300、磁体；310、穿孔槽；311、凹槽；312、通孔；321、侧面；322、顶面；323、底面。
[0032]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0033]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0034]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0035]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TLVR双导体电感器，其特征在于，所述电感器包括：第一导体；第二导体；以及磁体，所述磁体内开设有穿孔槽，所述磁体为一体结构，所述磁体包括侧面、顶面和底面，所述侧面没有间隙，所述穿孔槽从所述顶面延伸至所述底面，所述第一导体和所述第二导体叠合穿过所述穿孔槽。2.根据权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述第一导体包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子相对向内设置，所述第二导体包括第三端子、第四端子，所述第三端子和所述第四端子相对向外设置。3.根据权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述第一导体包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子的端面与所述磁体的底部表面平行，所述第二导体包括第三端子、第四端子，所述第三端子和所述第四端子的端面与所述磁体的底部表面平行。4.根据权利要求2所述的电感器，其特征在于，所述第一导体还包括第一主体、第一连接部和第二连接部，所述第一导体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述第一主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第一端子，所述第二连接部垂直延伸形成所述第二端子；所述第二导体还包括第二主体、第三连接部和第四连接部，所述二导体的一端垂直延伸形成所述第三连接部，所述第二主体的另一端垂直延伸形成所述第四连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第三端子，所述第四连接部垂直延伸形成所述第四端子。5.根据权利要求3所述的电感器，其特征在于，所述第一导体还包括第一主体、第一连接部和第二连接部，所述第一导体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述第一主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部延伸形成所述第一端子，所述第二连接部延伸形成所述第二端子；所述第二导体还包括第二主体、第三连接部和第四连接部，所述二导体的一端垂直延伸形成所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：周玮，
申请(专利权)人：联振电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：