【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属氧化物细粒。更具体地,本专利技术涉及经特定化合物表面处理的金属氧化物细粒,通过使所述金属氧化物细粒反应而获得的硅树脂组合物,含有所述硅树脂组合物的光半导体元件封装材料,以及包含用所述硅树脂组合物或光半导体元件封装材料封装的半导体元件的光半导体装置。
技术介绍
近年来,发光二极管(LED)作为实现显著节能的新照明光源已引起关注。因为与显示LED不同,照明LED每个芯片具有非常高的亮度,封装照明LED所用的透明树脂需要优异的耐光性和耐热性。从这样的观点看,对于照明LED,已普遍利用比广泛用于显示LED的环氧树脂具有更高耐光性的硅树脂作为封装材料(参见JP-A-2000-198930、JP-A-2004-186168和JP-A-2008-150437)。 然而,硅树脂通常具有如约1.4这样低的折射率,因此与LED元件的折射率(约2.5)差异变大。因此,存在的问题是在树脂和元件之间界面处的总反射光增加,因此光提取效率降低。 为解决该问题,需要提高硅树脂的折射率,同时保持透明度和耐热性。作为一种方法,提出将金属氧化物细粒分散到硅树脂中的方法,所 ...
【技术保护点】
一种金属氧化物细粒,其经含有硅化合物的表面处理剂处理,所述硅化合物具有碳原子数2~20的烯基。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤井春华,尾崎孝志,片山博之,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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