发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光装置及其制造方法，该发光装置可靠地给在支撑基底上的发光元件提供电源并保证散热。该发光装置包括：发光元件，设置在第一支撑基底上；封装，覆盖第一支撑基底和发光元件，并支撑第一支撑基底；以及导热构件，具有分别接合到发光元件和封装的端部，从而也具有配线功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括容放在封装中的发光元件的封装型发光装置及该发光装置的制 造方法。
技术介绍
近年来，在半导体激光器领域中，一直在积极开发公共基板(或公共基底)上包括 多个具有不同发射波长的发光部分的多波长激光器。例如，多波长激光器用作光盘装置的 光源。在这样的光盘装置中，700纳米波段激光用于重放⑶(光盘)，并且将数据记录到 可记录光盘或从可记录光盘再现数据，该可记录光盘例如为⑶-R(可记录⑶)、⑶-RW(可重 写⑶)或MD(迷你光盘)。而且，600纳米波段激光用于将数据记录到DVD(数字式多功能 光盘)或从DVD再现数据。当多波长激光器安装在光盘装置上时，光盘装置可以将数据记 录到已有的多种商用光盘或从这些光盘再现数据。此外，已经开发了利用以GaN、AlGaN和 GaInN为代表的氮化物基III-V族化合物半导体(以下简称“GaN基化合物半导体”)的短 波长(400纳米波段)激光器以用作高密度光盘的光源。当包括短波长激光器的激光器具 有更多的波长时，扩大了激光器的应用。作为包括这样的氮化镓基激光振荡器的三波长激光元件(发光装置)，例如，现有 技术中已经提出通过下面的方法制造的三波长激光元件。就是说，首先，具有400纳米波段 波长的第一发光元件通过在GaN基板上生长GaN基化合物半导体而形成。而且，通过生长 AlGaInP基化合物半导体形成的600纳米波段的元件和通过生长AlGaAs基化合物半导体形 成的700纳米波段的元件平行设置在GaAs基板上，以形成第二发光元件。然后，第一发光 元件和第二发光元件依次层叠在支撑基底上。三波长激光元件在现有技术中以这样的方式 形成。在现有技术的三波长激光元件中，第二发光元件中产生的热量通过两者都具有良好 热传导性的氮化镓基板或支撑基底消散，如此获得好的散热效率。日本未审查专利申请公开No. 2007-234643公开了这样的发光装置，其中第一发 光元件设置在支撑基底上，并且宽度大于第一发光元件的第二发光元件接合到第一发光元 件上，且通过多个凸起支撑在支撑基底上。在这样的发光装置中，第二发光元件中产生的热 量通过第一发光元件或通过凸起传导到支撑基底。
技术实现思路
在日本未审查专利申请公开No. 2007-234643中描述的发光装置中，在安装第二 发光元件时，必须将第二发光元件接合到第一发光元件和设置在支撑基底上的凸起。然而， 第一发光元件的高度很大程度上与凸起的高度不同，所以在技术上难于将第二发光元件稳 固地接合到第一发光元件和凸起。而且，为了将发光元件安装到支撑基底上，具有将第一发光元件和第二发光元件 接合到一起，然后安装发光元件到支撑基底上的方法。然而，同样在此方法中，与上面所述的情况一样，第一发光元件的高度很大程度上与凸起的高度不同，所以在技术上难以将第 二发光元件稳固地接合到第一发光元件和凸起。在第二发光元件没有稳固地接合到第一发光元件或凸起的情况下，存在难以给第 二发光元件供电的问题。而且，即使第二发光元件接合到第一发光元件和凸起，从而允许给 第二发光元件供电，也存在第二发光元件中产生的热不能充分地传导到支撑基底的问题。所希望的是，提供可靠地给支撑基底上的发光元件供电且保证散热的发光装置以 及制造该发光装置的方法。根据本专利技术的实施例，所提供的发光装置包括发光元件，设置在第一支撑基底 上；封装，覆盖第一支撑基底和发光元件，并且支撑第一支撑基底；以及导热构件，具有分 别接合到发光元件和封装的端部，从而兼具配线功能。在根据专利技术实施例的发光装置中，导热构件接合到发光元件和封装。因此，例如， 即使在发光元件中的热产生区域远离第一支撑基底，或即使导热性差的区域存在于发光元 件中的热产生区域和第一支撑基底之间，发光元件中产生的热量也可以传导到导热构件。 此外，例如，即使发光元件中产生的热量非常高，发光元件中产生的大量热量不仅可以传导 到第一个支撑基底，而且也可以传导到导热构件。此外，在本专利技术的实施例中，导热构件还 有配线功能，因此通过导热构件等给发光元件提供电源。根据本专利技术的实施例，所提供的制造发光装置的方法包括以下步骤(A)和(B)(A)准备模块的第一步骤，该模块包括第一支撑基底、第二支撑基底和发光元件， 该第二支撑基底支撑第一支撑基底，该发光元件相对于第二支撑基底设置在第一支撑基底 的侧面上；及(B)第二步骤，在倾斜模块而使由第一支撑基底和第二支撑基底形成的拐角部分 向下移动的状态下，设置兼具配线功能的导热构件横跨发光元件和第二支撑基底，并且在 将导热构件设置在发光元件和导热构件之间以及在第二支撑基底和导热构件之间的状态 下，将导热构件固定到发光元件和第二支撑基底。在根据本专利技术实施例的发光装置的制造方法中，在接合导热构件时，整个模块是 倾斜的。因此，产生使导热构件趋于接合到发光元件和第二支撑基底的力，因此导热构件可 靠地接合到发光元件和第二支撑基底。因此，例如，即使发光元件中的热产生区域远离第 一支撑基底，或即使是导热性差的区域存在于发光元件中的热产生区域和第一支撑基底之 间，产生在发光元件中的热量也可以传导到导热构件。此外，例如，即使产生在发光元件中 的热量非常高，发光元件中产生的大量热量也不仅可以传导到第一个支撑基底，而且可以 传导到导热构件。此外，在本专利技术的实施例中，导热构件还具有配线功能，因此通过导热构 件等给发光元件提供电源。在根据本专利技术实施例的发光装置中，兼具配线功能的导热构件接合到发光元件和 封装，因此给支撑基底(第一支撑基底)上的发光元件可靠地提供电源，并且保证散热。在根据专利技术实施例的发光装置的制造方法中，在接合导热构件时，整个模块是倾 斜的，因此给支撑基底(第一支撑基底)上的发光元件可靠地提供电源，并且保证散热。通过下面的描述，本专利技术的其他和进一步的目标、特征和优点将更加明显易懂。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的发光装置的分解透视图。图2A和2B是在图1中图解的发光装置的截面图。图3A和3B是根据本专利技术第二实施例的发光装置的截面图。图4是当导热构件接合到第一发光元件和热沉时的发光装置的截面图。图5是图3中图解的发光装置的第一修改的截面图。图6是图3中图解的发光装置的第二修改的截面图。图7是图3中图解的发光装置的第三修改的截面图。图8是图3中图解的发光装置的第四修改的截面图。图9是图3中图解的发光装置的第五修改的截面图。图10是根据本专利技术第三实施例的发光装置的截面图。具体实施例方式下面，将参考附图详细描述优选实施例。说明将以下列顺序给出。1、第一实施例(包括两个发光元件，并采用带状物作为导热构件)2、第二实施例(包括两个发光元件，并采用引线框作为导热构件)3、第三实施例(包括一个发光元件，并采用带状物或引线框作为导热构件)4、修改第一实施例发光装置的结构图1图解了根据本专利技术第一实施例的发光装置1的分解透视图。根据第一实施例 的发光装置1适宜用作将数据记录到光盘或从光盘再现数据的光盘装置的光源。如图1所 示，例如，发光装置1是多波长激光器，其中第一发光元件10和第二发光元件20容放在封 装40中。第一发光元件10和第二发光元件20是边发射半导体激光器，并设置在将在后面 介绍的管芯焊垫(di印ad)43(第一支撑基底)上，使它们的发光面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：发光元件，设置在第一支撑基底上；封装，覆盖所述第一支撑基底和所述发光元件，并且支撑所述第一支撑基底；以及导热构件，具有分别接合到所述发光元件和所述封装的端部，从而也具有配线功能。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：深泽博之，西田浩，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]