【技术实现步骤摘要】
一种缩径生长高质量4英寸SiC的结构
[0001]本技术属于碳化硅晶体生长
，涉及生长碳化硅的结构，尤其涉及一种缩径生长高质量4英寸
SiC
的结构
。
技术介绍
[0002]碳化硅
(SiC)
是第三代半导体材料，具有较大的禁带宽度
、
较高的热导率以及较高的饱和电子迁移率等优良的物理性质，常被用于高温
、
高频
、
抗辐射
、
节能
、
通信等领域
。
制作出的
SiC
基电子器件具有尺寸小
、
正向导通电阻小
、
开关损耗低
、
响应频率高等优点
。
因此
SiC
具有很高的应用价值，已经应用的领域有
5G
通信
、
智能电网
、
轨道交通
、
雷达探测等，特别是
SiC
基
MOSFET
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种缩径生长高质量4英寸
SiC
的结构，其特征在于，包括坩埚本体，缩颈环与籽晶托，所述缩颈环与所述籽晶托通过螺纹可拆卸连接；设生长晶体的直径为
D
，所述缩颈环的内直径为
D
～
D+5
，所述缩颈环的底部为向外逐渐扩大的喇叭口形状
。2.
根据权利要求1所述的一种缩径生长高质量4英寸
SiC
的结构，其特征在于，所述缩颈环外缘的下侧均设有缺口
。3.
根据权利要求2所述的一种缩径生长高质量4英寸
SiC
的结构，其特征在于，所述缺口的高度为所述缩颈环整体高度的
1/5。4.
根据权利要求2所述的一种缩径生长高质量4英寸
SiC
的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨孝泽，蒋琳，朱鑫煌，张龙昌，王明华，
申请(专利权)人：乾晶半导体衢州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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