一种滤波吸波结构制造技术

技术编号:39435141 阅读:12 留言:0更新日期:2023-11-19 16:18
本申请提供了一种滤波吸波结构,涉及电磁波干扰抑制技术领域,包括:介质基板、设置于介质基板第一面的第一阵列,及设置于介质基板第二面的第二阵列;第一阵列包括多个第一单元,第一单元包括两个通过变容二极管连接的T型金属片;第二阵列包括多个第二单元,第二单元包括两个通过PIN二极管连接的宽金属片,和分别位于宽金属片两侧的两个窄金属片;通过在PIN二极管断开,且向变容二极管施加反向电压的情况下,形成滤波结构,在PIN二极管导通,且向变容二极管施加反向电压的情况下,形成吸波结构,以实现吸波和滤波,通过控制反向电压的大小,调节滤波结构或吸波结构的工作频率,解决了在先技术中FSS适应性差的问题。了在先技术中FSS适应性差的问题。了在先技术中FSS适应性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波吸波结构


[0001]本申请属于电磁波干扰抑制
,具体涉及一种滤波吸波结构。

技术介绍

[0002]为了实现吸收电磁波和滤除电磁波,需要一种滤波吸波结构。
[0003]在先技术中,采用具有固定的滤波频率(滤除的电磁波的频率固定)、固定的吸波频率(吸收的电磁波的频率固定)的频率选择表面(FSS,Frequency Selective Surface)实现吸收电磁波和滤除电磁波。
[0004]需要说明的是,FSS是一种由人工合成的新型电磁微波结构,其性能相当于空间滤波器、空间吸波器,对入射电磁波具有滤波、吸波或极化等功能,FSS可以用于设计各种传输线、滤波器、耦合器和功分器等器件。
[0005]在实现本申请过程中,专利技术人发现在先技术中至少存在如下问题:由于FSS滤波频率固定、吸波频率固定,导致适应性差。

技术实现思路

[0006]本申请旨在提供一种滤波吸波结构,至少解决在先技术中由于FSS滤波频率固定、吸波频率固定,导致适应性差的问题。
[0007]为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
[0008]本申请实施例提供了一种滤波吸波结构,包括介质基板、设置于所述介质基板的第一面的第一阵列,以及设置于所述介质基板的第二面的第二阵列;
[0009]所述第一阵列包括多个相同的第一单元,每个所述第一单元包括两个通过变容二极管连接的T型金属片;第二阵列包括多个相同的第二单元,每个所述第二单元包括两个通过PIN二极管连接的宽金属片,和分别位于所述宽金属片两侧的两个窄金属片;所述第一单元与所述第二单元一一对应;
[0010]在所有的所述PIN二极管处于断开,且向所有的所述变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元和所述第二单元配合形成用于滤除电磁波的滤波结构;在所有的所述PIN二极管处于导通,且向所有的所述变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元和所述第二单元配合形成用于吸收电磁波的吸波结构;通过控制所述反向电压的大小,调节所述滤波结构或所述吸波结构的工作频率。
[0011]针对在先技术,本专利技术具备如下优点:
[0012]本申请实施例提供的一种滤波吸波结构,包括介质基板、设置于介质基板的第一面的第一阵列,以及设置于介质基板的第二面的第二阵列;第一阵列包括多个相同的第一单元,每个第一单元包括两个通过变容二极管连接的T型金属片;第二阵列包括多个相同的第二单元,每个第二单元包括两个通过PIN二极管连接的宽金属片,和分别位于宽金属片两侧的两个窄金属片;第一单元与第二单元一一对应;通过在所有的PIN二极管处于断开,且向所有的变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对第一单元和第二单元配合形成用于
滤除电磁波的滤波结构,在所有的PIN二极管处于导通,且向所有的变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对第一单元和第二单元配合形成用于吸收电磁波的吸波结构,以实现吸收电磁波和滤除电磁波,通过控制反向电压的大小,可以调节滤波结构或吸波结构的工作频率,解决了在先技术中由于FSS滤波频率固定、吸波频率固定,导致适应性差的问题。
附图说明
[0013]在附图中:
[0014]图1是本申请实施例提供的一种滤波吸波结构的立体透视示意图;
[0015]图2是本申请实施例提供的一种滤波吸波结构的第一面结构示意图;
[0016]图3是本申请实施例提供的一种滤波吸波结构的第二面结构示意图;
[0017]图4是本申请实施例提供的第一单元的结构示意图;
[0018]图5是本申请实施例提供的第二单元的结构示意图;
[0019]图6是本申请实施例提供的第一单元的尺寸示意图;
[0020]图7是本申请实施例提供的第二单元的尺寸示意图;
[0021]图8是实现本申请实施例提供的第一单元与第二单元的立体透视示意图;
[0022]图9是实现本申请实施例提供的一种滤波吸波结构的电极位置示意图;
[0023]图10是实现本申请实施例提供的滤波吸波结构滤波的仿真模拟曲线图;
[0024]图11是实现本申请实施例提供的滤波吸波结构吸波的仿真模拟曲线图;
[0025]图12是实现本申请实施例提供的滤波吸波结构吸波率的仿真模拟曲线图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0027]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施,且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类,并不限定对象的个数,例如第一对象可以是一个,也可以是多个。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0028]参照图1,本申请实施例提供了一种滤波吸波结构,包括介质基板30、设置于所述介质基板30的第一面31的第一阵列,以及设置于所述介质基板30的第二面32的第二阵列;所述第一阵列包括多个相同的第一单元10,每个所述第一单元10包括两个通过变容二极管11连接的T型金属片;第二阵列包括多个相同的第二单元20,每个所述第二单元20包括两个通过PIN(Positive

Intrinsic

Negative,正

本征

负)二极管21连接的宽金属片22,和分别位于所述宽金属片22两侧的两个窄金属片23;参照图8,所述第一单元10与所述第二单元20一一对应;在所有的所述PIN二极管21处于断开,且向所有的所述变容二极管11施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元10和所述第二单元20配合形成用于滤除电磁波的滤
波结构;在所有的所述PIN二极管21处于导通,且向所有的所述变容二极管11施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元10和所述第二单元20配合形成用于吸收电磁波的吸波结构;通过控制所述反向电压的大小,调节所述滤波结构或所述吸波结构的工作频率。
[0029]在本申请实施例中,通过在所有的PIN二极管21处于断开,且向所有的变容二极管11施加反向电压的情况下,使得每对第一单元10和第二单元20配合形成用于滤除电磁波的滤波结构,在所有的PIN二极管21处于导通,且向所有的变容二极管11施加反向电压的情况下,使得每对第一单元10和第二单元20配合形成用于吸收电磁波的吸波结构,以实现吸收电磁波和滤除电磁波,通过控制反向电压的大小,可以调节变容二极管11的等效电容,进而可以调节滤波结构或吸波结构的工作频率,解决了在先技术中本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波吸波结构,其特征在于,包括介质基板、设置于所述介质基板的第一面的第一阵列,以及设置于所述介质基板的第二面的第二阵列;所述第一阵列包括多个相同的第一单元,每个所述第一单元包括两个通过变容二极管连接的T型金属片;第二阵列包括多个相同的第二单元,每个所述第二单元包括两个通过PIN二极管连接的宽金属片,和分别位于所述宽金属片两侧的两个窄金属片;所述第一单元与所述第二单元一一对应;在所有的所述PIN二极管处于断开,且向所有的所述变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元和所述第二单元配合形成用于滤除电磁波的滤波结构;在所有的所述PIN二极管处于导通,且向所有的所述变容二极管施加反向电压的情况下,使得每对所述第一单元和所述第二单元配合形成用于吸收电磁波的吸波结构;通过控制所述反向电压的大小,调节所述滤波结构或所述吸波结构的工作频率。2.根据权利要求1所述的滤波吸波结构,其特征在于,所述第一阵列中的第一单元呈矩阵形式排列,所述第一阵列的同一行中的第一单元依次连接。3.根据权利要求2所述的滤波吸波结构,其特征在于,所述T型金属片包括横向金属片和纵向金属片;在同一所述T型金属片中,所述纵向金属片的第一短边与所述横向金属片的第一长边的中点连接,所述纵向金属片与所述横向金属片相互垂直;在同一所述第一单元中,所述T型金属片的纵向金属片的第二短边与所述变容二极管的一端连接;在所述第一阵列的同一行中,所述T型金属片中的横向金属片的短边,与相邻的T型金属片中的横向金属片的短边连接;在所述第一阵列的同一列中,所述T型金属片中的横向金属片的第二长边,与相邻的T型金属片中的横向金属片的第二长边间隔预设距离且相互平行。4.根据权利要求3所述的滤波吸波结构,其特征在于,所述横向金属片和所述纵向金属片均为矩形,所述横向金属片的短边的边长小于所述纵向金属片的短边的边长;在同一所述第一单元中,两个所述横向金属片的第二长边之间的距离与所述预设距离之和,与所述横向金属片的第二长边的长度相等。5.根据权利要求3所述的滤波吸波结构,其特征在于,所述第二单元中宽金属片的第一中心线,与对应的所述第一单元中纵向金属片的第二中心线重合;所述第一中心线为所述宽金属片的相对的两个长边之间的中心线,所述第二中心线为所述纵向金属片的相对的两个长边之间的中心线;所述第二单元中两个窄金属片的外侧的长边之间的距离,与对应的所述第一单元中所述横向金属片的第二长边的长度相等;所述外侧的长边为所述窄金属片的远离所述宽金属片一侧的长边。6.根据权利要求3所述的滤波吸波...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁玉林梁鳕李潭芳余海波
申请(专利权)人:中国电信股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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