一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片技术

本发明专利技术涉及氧化镓技术领域，特别是涉及一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片。一种氧化镓纳米片包括如下步骤：A、将三(二甲酰胺)镓和溶剂置于在高温高压反应釜中，反应后冷却至室温得到白色溶液；B、将A步骤所得白色溶液进行离心收集得到白色沉淀物，将白色沉淀分散在极性溶剂中，得到纳米氧化镓的分散液。电极片，在碳布上涂覆有氧化镓纳米颗粒与乙炔黑和聚偏氟乙烯(PVDF)按重量比8:1:1的混合物。该制备方法采用一次合成，中间不需要添加其他的反应物，并且在封闭容器中低温即可进行，可操作性、安全性和制备成本都大大降低。本发明专利技术的电极片，该电极片导电性好，使用该电极片制备的电池电学性能优。池电学性能优。池电学性能优。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片


[0001]本专利技术涉及氧化镓
，特别是涉及一种氧化镓纳米片的制备方法及电极片。

技术介绍

[0002]氧化镓(Ga2O3)纳米材料在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲紫外探测器和功率器件等领域具有巨大的应用潜力,以氧化镓材料制作的功率器件，相较于碳化硅和氮化镓所制成的产品，更加耐热且高效、成本更低、应用范围更广，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。因此，实现高结晶质量和尺寸形貌可控的Ga2O3纳米材料是关键。
[0003]近年来，人们对各种Ga2O3纳米结构的合成和性能进行了大量研究，如纳米线、纳米棒、纳米带和纳米壁。专利技术专利CN111439778A公开了一种纳米级氧化镓的制备方法，采用硝酸镓与表面活性剂混合后使用沉淀剂沉淀，后经过离心600
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900度煅烧，得到纳米级的氧化镓，平均粒径在700 1000nm。但该方法煅烧温度高，所得产物微观颗粒易结团，产品均匀性降低。
[0004]专利技术专利CN116282134A公开了一种羟基氧化镓煅烧制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：A、将三(二甲酰胺)镓和溶剂置于在高温高压反应釜中，反应后冷却至室温得到白色溶液；B、将A步骤所得白色溶液进行离心收集得到白色沉淀物，将白色沉淀分散在极性溶剂中，得到纳米氧化镓的分散液。2.根据权利要求1所述的氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于：在步骤A中，溶剂为正己烷，正辛烷，异辛酸，乙二醇，丙三醇，正辛醇或异辛醇中的一种或几种。3.根据权利要求2所述的氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于：在步骤A中，反应温度为80
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300摄氏度，反应时间为2
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔正星，
申请(专利权)人：东莞意可新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：