【技术实现步骤摘要】
用于锂电池的负极片及包含其的锂离子二次电池
[0001]本专利技术涉及锂离子二次电池领域,具体而言,涉及一种用于锂离子电池的负极片及包含其的锂离子二次电池
。
技术介绍
[0002]近年来,随着电子技术的不断更新,人们对用于支持电子设备的能源供应的电池装置的需求也在不断增加
。
现如今,需要能够存储更多电量且能够输出高功率的电池
。
传统铅酸电池以及镍氢电池等已经不能满足新型电子制品的需求
。
因此,锂电池引起了人们的广泛关注
。
在对锂电池的开发过程中,已经较为有效地提高了其容量和性能
。
[0003]为了提高锂离子电池的能量密度,现有技术已经将石墨与氧化亚硅合并使用作为负极活性物质,使用的氧化亚硅为碳包覆的氧化硅
。
氧化亚硅经碳包覆后,在一定程度上提高了锂离子电池的首次效率及循环性能,但相应降低了电池的首次容量,增加了电池的负极膨胀效应且增加了材料成本,并且氧化亚硅碳包覆层的均匀性难以控制,导致电池负极与电解质的副反 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于锂电池的负极片,其特征在于,所述负极片包括集流体和负极材料,所述负极材料包含石墨
、
未经碳包覆的氧化亚硅
SiOx
和含有碳纳米管的导电剂,其中
1.6>x>0。2.
根据权利要求1所述的负极片,其特征在于,所述氧化亚硅处于非晶态或低结晶态
。3.
根据权利要求1所述的负极片,其特征在于,所述氧化亚硅中的
SiO2的含量按摩尔计
<55
%,优选
<45
%
。4.
根据权利要求2所述的负极片,其特征在于,当所述氧化亚硅处于低晶态时,所述氧化亚硅中的
Si
晶体的尺寸
≤5nm
,优选
≤1nm。5.
根据权利要求2或3所述的负极片,其特征在于,当所述氧化亚硅处于低晶态时,所述氧化亚硅中的
SiO2晶体的
XRD
在2θ
为
26
‑
27
°
处的半峰宽
<1.5
°
。6.
根据权利要求1‑4中任一项所述的负极片,其特征在于,所述氧化亚硅的粒径
D
50
为1μ
m<D
50
<10
μ
m
,并且当所述氧化亚硅的粒径
D
50
为4μ
m<D
50
<10
μ
m
时,粒径
<2
μ
m
的颗粒占
20
%
‑
50
%,或者当所述氧化亚硅的粒径
D
50
为2μ
m<D
50
<4
μ
m
时,粒径
<2
μ
m
的颗粒占
70
%
‑
80
%
。7.
根据权利要求1‑4中任一项所述的负极片,其特征在于,所述氧化亚硅的...
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