不良制造技术

技术编号:39421855 阅读:12 留言:0更新日期:2023-11-19 16:10
本申请提供一种具有不良

【技术实现步骤摘要】
不良K值电芯的筛选方法和装置


[0001]本申请涉及电池
,尤其涉及一种不良
K
值电芯的筛选方法

装置


技术介绍

[0002]K
值指的是单位时间内的电池的电压降,通常单位用
mV/d

mV/h
表示,是用来衡量电芯自放电率的一种指标

电芯出售前需要进行不良
K
值电芯的筛选,不良
K
值电芯通常为自放电严重,电芯内部存在严重漏电流的电芯

而现有技术对不良
K
值电芯的筛选的方法是对电芯满充后进行首次开路电压测试,获得第一开路电压
OCV1
;静止预设时间
t(
例如,3天
)
后再次进行开路电压测试,获得第二开路电压
OCV2。
进而通过第一开路电压
OCV1
与第二开路电压
OCV2
的差值除以相应的静止时间
t
得到电芯的
K



K
值落入异常
K
值范围,则为不良
K
值电芯

但该方法需要较长的预设静止时间,导致对不良
K
值电芯的筛选效率较低


技术实现思路

[0003]有鉴于此,本申请提供一种不良
K
值电芯的筛选方法

装置,以提高不良
K
值电芯的筛选效率

[0004]根据本申请的第一方面,提供了一种不良
K
值电芯的筛选方法,所述方法包括:获得所述待筛选电芯的低频阻抗相位角,所述低频阻抗相位角的频率为
0.01hz

10hz
;根据不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,确定所述待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内;若所述待筛选电芯的低频阻抗相位角处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内,则所述待筛选电芯为不良
K
值电芯

[0005]在一些实施方式中,所述根据不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,确定所述待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内,之前还包括:测量多个样品电芯的
K
值;获得所述多个样品电芯的低频阻抗相位角;建立所述多个样品电芯中具有不良
K
值的样品电芯的不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系

[0006]在一些实施方式中,所述低频阻抗相位角的测量包括:对所述样品电芯施加交流电压,并对反馈的交流电流信号进行信号处理,获得所述样品电芯的低频阻抗相位角

[0007]在一些实施方式中,所述交流电压为
1mv

30mv
交流电压

[0008]在一些实施方式中,所述交流电流信号的采集时间为
1s

50s。
[0009]在一些实施方式中,所述信号处理的方法为傅里叶转换

[0010]在一些实施方式中,所述不良
K
值为大于或等于
0.05mv/h。
[0011]在一些实施方式中,所述建立所述多个样品电芯中具有不良
K
值的样品电芯的不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,包括:建立具有一级不良
K
值的样品电芯的一级不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系;建立具有二级不良
K
值的样品电芯的二级不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系;其中,所述一级不良
K
值小于二级不良
K


[0012]在一些实施方式中,所述一级不良
K
值为大于或等于
0.05mv/h、
且小于
0.1mv/h
,所述二级不良
K
值为大于或等于
0.1mv/h。
[0013]在一些实施方式中,对于纽扣电芯,所述不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围为小于或等于
70
°

[0014]在一些实施方式中,对于电芯容量大于或等于
50Ah
的电芯,所述不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围为小于或等于
18
°

[0015]根据本申请的第二方面,提供了一种不良
K
值电芯的筛选装置,所述装置包括:相位角获得模块,用于获得所述待筛选电芯的低频阻抗相位角,所述低频阻抗相位角的频率为
0.01hz

10hz
;相位角确定模块,用于根据不良
K
值对应的低频阻抗角范围,确定所述待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内;
K
值筛选模块,用于若所述待筛选电芯的低频阻抗相位角处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内,则所述待筛选电芯为不良
K
值电芯

[0016]根据本申请实施例的第三方面,提供了一种不良
K
值电芯的筛选装置,包括:处理器

存储器

通信接口和通信总线,处理器

存储器和通信接口通过通信总线完成相互间的通信;存储器用于存放至少一可执行指令,可执行指令使处理器执行如第一方面的方法对应的操作

[0017]本申请提供的不良
K
值电芯的筛选方案,其获得频率为
0.01hz

10hz
的低频阻抗相位角,进而根据不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,确定待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内

若待筛选电芯的低频阻抗相位角处于不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内,则待筛选电芯为不良
K
值电芯

因此,本申请对不良
K
值电芯的筛选无需间隔较长的静止预设时间以测量静止前后的两次开路电压,提高了对不良
K
值电芯的筛选效率

附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请实施例中记载的一些实施例,对于本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种不良
K
值电芯的筛选方法,所述方法包括:获得待筛选电芯的低频阻抗相位角,所述低频阻抗相位角的频率为
0.01hz

10hz
;根据不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,确定所述待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于所述不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内;若所述待筛选电芯的低频阻抗相位角处于所述不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内,则所述待筛选电芯为不良
K
值电芯
。2.
根据权利要求1所述的方法,其中,所述根据不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系,确定所述待筛选电芯的低频阻抗相位角是否处于所述不良
K
值对应的低频阻抗相位角范围内的步骤,之前还包括:测量多个样品电芯的
K
值;获得所述多个样品电芯的低频阻抗相位角;建立所述多个样品电芯中具有不良
K
值的样品电芯的不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系
。3.
根据权利要求2所述的方法,其中,所述低频阻抗相位角的测量包括:对所述样品电芯施加交流电压,并对反馈的交流电流信号进行信号处理,获得所述样品电芯的低频阻抗相位角
。4.
根据权利要求3所述的方法,其中,所述方法满足如下条件中的至少一者:
(1)
所述交流电压为
1mv

30mv
交流电压;
(2)
所述交流电流信号的采集时间为
1s

50s

(3)
所述信号处理的方法为傅里叶转换
。5.
根据权利要求2所述的方法,其中,所述不良
K
值为大于或等于
0.05mv/h。6.
根据权利要求2所述的方法,其中,所述建立所述多个样品电芯中具有不良
K
值的样品电芯的不良
K
值与低频阻抗相位角范围的对应关系的步骤,包括:建立具有一级不良
...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉登粤孟晋磊苏宇戴璐
申请(专利权)人:宁德新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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