一种钼和钼合金金相样品的制样方法技术

本发明专利技术提供了一种钼和钼合金金相样品的制样方法，所述制样方法包括依次进行的粗磨

【技术实现步骤摘要】
一种钼和钼合金金相样品的制样方法


[0001]本专利技术属于金属材料金相制样的
，尤其涉及一种钼和钼合金金相样品的制样方法
。

技术介绍

[0002]随着显示面板的世代线发展越来越高，导电材料由铝向铜的趋势正在形成，钼
/
钼合金和铜有着优异的附着性，因此，钼
/
钼合金的使用量也越来越大，性能要求也越来越高
。
[0003]金相指金属或合金的化学成分以及各种成分在合金内部的物理状态和化学状态，材料的微观组织结构与其宏观性能
(
硬度
、
强度
、
韧性
、
溅射速率
)
有着直接密切的关系，以钼及钼合金靶材而言，需要控制产品有合适尺寸的晶粒，从而保证能正常使用溅射
。
[0004]CN114438580A
公开了一种适用于镍钼合金的金相侵蚀剂及侵蚀方法，所述金相侵蚀剂按照质量份计，包括以下各组分：
36
‑
38
％盐酸
10
‑
25
份，磷酸
10
‑
20
份，甲醇
15
‑
25
份，对甲苯磺酸
10
‑
15
份，二苯乙醇酸
10
‑
20
份，水
20
‑
30
份
。
所述金相侵蚀剂可对镍钼合金进行电解腐蚀并达到金相组织中晶界和碳化物清晰的技术效果
。
[0005]CN112284866A
公开了一种钼粉烧结材料晶粒度的腐蚀检测方法，，包括如下步骤：
(1)
将待测试样进行机械打磨和抛光；
(2)
将抛光后的试样浸入腐蚀液中，进行腐蚀；所述的腐蚀液为包含铁氰化钾和碱的水溶液；
(3)
将腐蚀后的试样清除其表面的腐蚀产物，干燥后在光学显微镜下进行观察
。
所述方法效率较低，一个样品需要十数分钟进行制备，且铁氰化钾遇酸会生成氰化物，危险性较大
。
[0006]目前对于钼和钼合金样品的金相检测方式，均存在制样效率较低，腐蚀液环境污染严重等问题
。
因此，开发一种成本低
、
效率高
、
晶粒腐蚀清晰的钼和钼合金样品金相样品制样方法，是本领域技术人员亟需解决的问题
。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种钼和钼合金金相样品的制样方法，所述制样方法以较高效率完成金相样品的制备，得到理想的微观腐蚀效果，获得其清晰的组织形貌图像
。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供了一种钼和钼合金金相样品的制样方法，所述制样方法包括依次进行的粗磨
、
电解抛光和腐蚀；
[0010]所述电解抛光使用的电解液为高氯酸
、
乙酸
、
乙醇和水的混合溶液
。
[0011]本专利技术中，首先对钼和钼合金表面进行粗磨，然后采用电解抛光与化学腐蚀相结合的腐蚀工艺，腐蚀工艺操作简便
、
高效，微观腐蚀效果显著，能够得到清晰的组织形貌
。
本专利技术选用适当的电解液进行电解抛光，不仅提高了电解效率，还得到了平整且光亮的抛光面，有利于获得钼和钼合金金相样品的清晰显微组织相貌
。
[0012]作为本专利技术优选的技术方案，所述粗磨使用的砂纸型号依次为
180#、400#、1000#。
[0013]优选地，每一目数所述粗磨后，旋转
90
°
后进行下一目数粗磨
。
[0014]本专利技术中，所述粗磨使用研磨机进行，设置相邻两次粗磨的纹路方向垂直，确保上一次的研磨纹路能完全打磨掉
。
[0015]作为本专利技术优选的技术方案，所述高氯酸
、
乙酸
、
乙醇和水的体积比为
(2
‑
3):(1
‑
2):(3
‑
5):(4
‑
7)
，例如可以是
2:1.5:3:5、2.5:1:4:6、3:1:5:7
或
2.5:1.5:4:6
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0016]优选地，所述高氯酸的浓度为
58
％
‑
62
％，例如可以是
59
％
、60
％
、61
％或
62
％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0017]值得说明的是，本专利技术采用特定配比的电解液以及适当浓度的高氯酸，可电解掉样品表面划痕，使样品表面光滑，呈金属亮色表面，同时避免了电解抛光过程中样品表面被氧化
。
[0018]本专利技术中，所述乙醇包括无水乙醇；所述乙酸为纯乙酸
。
[0019]作为本专利技术优选的技术方案，所述电解抛光包括：将电解液置于电解槽中，然后将粗磨后的样品浸入电解液中，设置阳极和阴极，之后进行电解
。
[0020]优选地，所述阳极为样品，所述阴极为碳棒或石墨棒
。
[0021]本专利技术中，要求电解抛光后样品表面无划痕，若存在划痕则重新进行电解抛光
。
[0022]作为本专利技术优选的技术方案，所述电解抛光的电压为
40
‑
50V
，例如可以是
41V、42V、43V、44V、45V、46V、47V、48V
或
49V
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0023]优选地，所述电解抛光的温度为
20
‑
30℃
，例如可以是
21℃、22℃、23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃
或
29℃
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0024]优选地，所述电解抛光的时间为
20
‑
30s
，例如可以是
21s、22s、23s、24s、25s、26s、27s、28s
或
29s
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0025]作为本专利技术优选的技术方案，所述电解抛光后还包括依次进行的清洗和吹干
。
[0026]本专利技术中，电解抛光后依次进行清洗和吹干，防止样品表面氧化
。
[0027]优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种钼和钼合金金相样品的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括依次进行的粗磨
、
电解抛光和腐蚀；所述电解抛光使用的电解液为高氯酸
、
乙酸
、
乙醇和水的混合溶液
。2.
根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，所述粗磨使用的砂纸型号依次为
180#、400#、1000#
；优选地，每一目数所述粗磨后，旋转
90
°
后进行下一目数粗磨
。3.
根据权利要求1或2所述的制样方法，其特征在于，所述高氯酸
、
乙酸
、
乙醇和水的体积比为
(2
‑
3):(1
‑
2):(3
‑
5):(4
‑
7)
；优选地，所述高氯酸的浓度为
58
％
‑
62
％
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的制样方法，其特征在于，所述电解抛光包括：将电解液置于电解槽中，然后将粗磨后的样品浸入电解液中，设置阳极和阴极，之后进行电解；优选地，所述阳极为样品，所述阴极为碳棒或石墨棒
。5.
根据权利要求1‑4任一项所述的制样方法，其特征在于，所述电解抛光的电压为
40
‑
50V
；优选地，所述电解抛光的温度为
20
‑
30℃
；优选地，所述电解抛光的时间为
20
‑
30s。6.
根据权利要求1‑5任一项所述的制样方法，其特征在于，所述电解抛光后还包括依次进行的清洗和吹干；优选地，所述清洗包括依次采用水和乙醇对样品进行清洗
。7.
根据权利要求1‑6任一项所述的制样方法，其特征在于，所述腐蚀包括：使用腐蚀液对电解抛光后的样品表面进行擦拭；优选地，所述腐蚀液为高锰酸钾
、
硫酸和水的混合溶液
。8.
根据权利要求7所述的制样方法，其特征在于，所述高锰酸钾
、
硫酸和水的质量比为
(3

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，廖培君，陈勇军，李建，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：