一种印刷型场发射显示器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种印刷型场发射显示器及其制作方法，按照以下三个步骤进行：（一）制作下基板，其中又分为：ａ）制作栅极；ｂ）制作绝缘介质层；ｃ）制作ＳｉＯ２绝缘层，ＳｉＯ２绝缘层厚度为２００ｎｍ；ｄ）制作阴极；ｅ）制作阴极发射体；ｆ）制作支撑体。（二）制作上基板，其中又分为：Ａ）制作黑矩阵；Ｂ）制作ＲＧＢ三色荧光粉。（三）封排及老练。本发明专利技术的改进印刷型ＦＥＤ的制作工艺，提高了下栅极结构ＦＥＤ栅极与阴极之间的绝缘性能，保证整个ＦＥＤ的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光显示面板制备
，。
技术介绍
场发射显示器(Field Emission Display)是一种新型的平板显示器件。该显示器采用场致发射体作为电子源。如果对场致发射体施加一很强的电场，由于隧道效应，电子可由发射体逸出至真空，产生场致发射。从电子源发射出的电子经过聚焦后轰击到荧光粉，激发荧光粉发光，实现图象显示。由于场致发射显示器件的图象显示机理与传统的阴极射线管(CathodeRay Tube)非常接近，因此场致发射显示器件可以达到与CRT相同的图像显示质量。 众所周知，下栅极场发射显示器(FED)结构中，栅极与阴极图形呈正交排布，栅极与阴极中间由绝缘介质隔离，并且在阴栅电极的正交区域上方制作发射源材料。当在阴极与栅极之间施加电压时，每个阴极与栅极交汇处便产生电场，当电场强度足够大时，发射源中的电子便被引出发射体。随后在阳极电场作用下，电子向阳极加速，轰击阳极荧光粉实现发光。 FED的整体性能要得到保障，发射体必须能够在电场下均匀地发射电子，于是就要保证下基板阴极与栅极之间的介质具有足够高的抗压强度。如果介质材料性能不好或者制备的介质存在缺陷，那么在电场作用下介质就很容易被击穿，使得阴极与栅极之间短路。现在普遍采用的是印刷法制备介质，不论采用普通的印刷性介质浆料，还是感光性介质浆料，还是刻蚀型介质浆料，其中都包含着不同比例的有机助剂或载体，而这些有机物在烧结过程中就会被烧掉或者挥发掉，留下许多的孔洞或缺陷在介质中间，而这些孔洞与缺陷在下一制程中就会存在隐患即上层的电极浆料印刷后其中的高导电成份银颗粒就会渗入这些孔洞与缺陷中，增加了上下电极短路的可能性，也使得介质耐击穿强度大大降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是改进印刷型FED的制作工艺，并制作该印刷型场发射显示器，以提高下栅极结构FED栅极与阴极之间的的绝缘性能，保证整个FED的可靠性和稳定性。 本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的，一种印刷型场发射显示器，包括下基板及与下基板相封装的上基板及其上、下基板之间的支撑体，其特征在于所述下基版包括玻璃基板、印制在玻璃基板上的栅极、栅极上的绝缘介质层和绝缘介质层上设置的阴极，阴极上设有阴极发射体；在所述下基板绝缘介质层和阴极之间设置有Si02绝缘层。 所述上基板包括ITO玻璃基板、印刷在ITO玻璃基板下端面的黑矩阵及RGB荧光粉；所述的RGB荧光粉分别嵌套在黑矩阵之间，并且该RGB荧光粉与下基板上的阴极发射体正对应。 1)制作下基板 a)、制作栅极用去污粉和去离子水分别超声清洗玻璃基板并用气枪吹干，然后用精密丝网印刷机在玻璃基板上印刷栅极，玻璃基板上的印刷栅极在10(TC干燥20min后升温至370。C烧结，烧结温度为370。C保温20min，570。C保温20min，升温速率5°C /min，得到栅极； b)、制作绝缘介质层在栅极上印刷绝缘介质层，印刷好的绝缘介质层在IO(TC干燥20min后烧结，烧结温度为370。C保温20min， 580。C保温20min，升温速率5°C /min，得到绝缘介质层； c)、制作Si02绝缘层利用磁控溅射法，用镍合金片制作掩膜，在绝缘介质层上溅射Si02膜，获得带Si02绝缘层，Si02绝缘层厚度为200nm ;所述磁控溅射法采用Si02陶瓷靶作靶材，衬底温度为40(TC，工作气体为Ar气，背底真空度为4X10—卞a，工作气压为0. 8Pa，溅射功率为350W，溅射时间为10min ; d)、制作阴极在Si02绝缘层上印刷阴极银浆料，印刷好的阴极银浆料在IO(TC干燥20min后烧结，烧结温度为370。C保温20min， 570。C保温20min，升温速率5°C /min，得到阴极； e)、制作阴极发射体碳纳米管、有机载体和金属填料混合均匀配制成浆料，其中碳纳米管的质量百分比为8%-20%，金属填料的质量百分比为4%_10%，余量为有机载体70% -88% ; 将上述制备好的浆料印刷在阴极上并在12(TC干燥20min后烧结，烧结制度为340。C保温20min，450。C保温20min，升温速率5°C /min，得到阴极发射体； f)、制作支撑体用隔离子散布装置在阴极发射体间隙处均匀布置直径为70微米的支撑体； 2)制作上基板 a)、制作黑矩阵在ITO基板玻璃上印刷黑介质浆料，并在IO(TC干燥20min后升温至590。C烧结，烧结温度为590。C保温20min，升温速率5°C /min，得到黑矩阵； b)、制作RGB三色荧光粉图形在烧结好的黑矩阵间隙依次印刷RGB三色荧光粉，并干燥，干燥温度为180°C ; 3)封排及老练 a)、封装在上下基板周围分别均匀涂布低玻浆料，然后在上下基板之间放置封接框，将上下基板对合好之后，进行低玻烧结，烧结温度为430°C ; b)、排气在排气台上对封装好的FED进行排气，使其真空度^ 104Pa ; c)、进行老练，得到印刷型场发射显示器。 所述制作下基板步骤e)碳纳米管浆料中的有机载体由松油醇和乙基纤维素按照质量比9:1的比例构成。 所述金属填料为银纳米颗粒。 本专利技术的改进印刷型FED的制作工艺，提高了下栅极2结构FED栅极2与阴极5之间的绝缘性能，保证了整个FED的可靠性和稳定性。附图说明 图1为本专利技术FED下基板制作示意 图2为本专利技术FED上基板制作示意 图3为本专利技术FED的截面图。 图中1为玻璃基板；2为栅极；3为绝缘介质层；；4为Si02绝缘层；5为阴极；6为阴极发射体；7为支撑体；8为封接框；9为ITO玻璃基板；10为黑矩阵；11为RGB荧光粉。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述。 —种印刷型场发射显示器的制作方法，按照以下步骤 参见图1所示，( — )制作下基板 a)、制作栅极2 :用去污粉和去离子水分别超声清洗玻璃基板1并用气枪吹干，然后用精密丝网印刷机在玻璃基板1上印刷栅极2，玻璃基板1上的印刷栅极2在IO(TC干燥20min后升温至370。C烧结，烧结温度为370。C保温20min， 570。C保温20min，升温速率5°C /min，得到栅极2 ; b)、制作绝缘介质层3 :在栅极2上印刷绝缘介质层3，印刷好的绝缘介质层3在100。C干燥20min后升温至370。C烧结，烧结温度为370。C保温20min， 580。C保温20min，升温速率5°C /min，得到绝缘介质层3 ; c)、制作Si02绝缘层4 :利用磁控溅射法，用镍合金片制作掩膜，在绝缘介质层3上溅射Si02膜，获得Si02绝缘层4， Si02绝缘层4厚度为200nm ; 所述磁控溅射法采用Si02陶瓷靶作靶材，衬底温度为400°C ，工作气体为Ar气，背底真空度为4X 10—3pa，工作气压为0. 8Pa，溅射功率为350W，溅射时间为10min ; d)、制作阴极5 :在Si02绝缘层4上印刷阴极5银浆料，印刷好的阴极5银浆料在IO(TC干燥20min后升温至370。C烧结，烧结温度为370。C保温20min， 570。C保温20min，升温速率5t: /min，得到阴极5 ; e)、制作阴极发射体6 : 首先将碳纳米管、有机载体和金属填料混合均匀配制成浆料，其中碳纳米管的质量百分比为8%本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种印刷型场发射显示器，包括下基板及与下基板相封装的上基板及其上、下基板之间的支撑体（７），其特征在于：所述下基板包括玻璃基板（１）、印制在玻璃基板（１）上的栅极（２）、栅极（２）上的绝缘介质层（３）和绝缘介质层（３）上设置的阴极（５），阴极（５）上设有阴极发射体（６）；在所述下基板绝缘介质层（３）和阴极（５）之间设置有ＳｉＯ↓［２］绝缘层（４）；所述上基板包括ＩＴＯ玻璃基板（９）、印刷在ＩＴＯ玻璃基板（９）下端面的黑矩阵（１０）及ＲＧＢ荧光粉（１１）；所述的ＲＧＢ荧光粉（１１）分别嵌套在黑矩阵（１０）之间，并且该ＲＧＢ荧光粉（１１）与下基板上的阴极发射体（６）相对应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李军，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]