一种雷管芯片测试系统和方法技术方案

本发明专利技术提供了一种雷管芯片测试系统和方法，其可针对不同型号芯片满足不同测试需求，通用性好；所述上位机，与被配置有待测芯片代号的数据服务平台连接，用于向所述下位机发送操作指令，并根据所述下位机返回的信息和调用的所述待测芯片代号获得测试结果，以及根据测试结果下发分管信号；所述下位机包括：测试设备，与所述上位机连接，用于根据操作指令向至少一个待测芯片发送测试指令，并根据所述待测芯片的回应信息确定测试参数，并将测试参数发送至所述上位机；其中，测试参数包括通讯检测参数、电流检测参数和频率检测参数；分选机，与所述上位机连接，用于根据所述分管信号对所述待测芯片进行良率分选。待测芯片进行良率分选。待测芯片进行良率分选。

【技术实现步骤摘要】
一种雷管芯片测试系统和方法


[0001]本专利技术涉及雷管芯片测试
，具体涉及一种雷管芯片测试系统和方法。

技术介绍

[0002]作为数码电子雷管核心控制部件，电子控制模块专用芯片决定了爆破的时间精度和爆破效果，一般电子控制模块专用芯片在中测封装后，为了减少不良率，降低损耗成本，避免不良产品模块流到客户终端，需对芯片进行电流、通讯、桥丝、起爆、延时精度、发火能力等功能检测，用来判断芯片是否合格；但随着电子控制模块专用芯片的更新升级换代，需针对不同型号芯片进行不同测试，而现有的市场设备无法通用使用，即目前市场上还没有针对不同芯片的测试系统，也就无法满足测试需求，使得企业发展受限。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提供了一种雷管芯片测试系统和方法，其可针对不同型号芯片满足不同测试需求，通用性好。
[0004]本专利技术采用如下技术方案：一种雷管芯片测试系统，包括上位机和下位机，其特征在于：所述上位机，与被配置有待测芯片代号的数据服务平台连接，用于向所述下位机发送操作指令，并根据所述下位机返回的信息和调用的所述待测芯片代号获得测试结果，以及根据测试结果下发分管信号；
[0005]所述下位机包括：
[0006]测试设备，与所述上位机连接，用于根据操作指令向至少一个待测芯片发送测试指令，并根据所述待测芯片的回应信息确定测试参数，并将测试参数发送至所述上位机；其中，测试参数包括通讯检测参数、电流检测参数和频率检测参数；
[0007]分选机，与所述上位机连接，用于根据所述分管信号对所述待测芯片进行良率分选。
[0008]进一步地，所述测试设备具备电源板、测试板、接口板；所述电源板，与所述测试板连接，用于为所述测试板提供电源；所述测试板，与所述接口板、待测芯片均相连接，用于提供所述待测芯片的功能测试；所述接口板，与所述分选机、上位机均相连接，用于提供信号接口，实现与所述分选机和所述上位机的信号传递；
[0009]进一步地，所述测试板上布置有控制模块、驱动模块、检测模块、总线交换模块，其中，所述驱动模块，与所述控制模块、检测模块、总线交换模块均相连接，用于为所述检测模块、总线交换模块提供驱动信号；所述检测模块，与所述控制模块、驱动模块、总线交换模块均相连接，用于对所述待测芯片进行功能检测，并将检测参数反馈至所述控制模块；所述总线交换模块，与所述待测芯片连接，用于进行总线信号交换；
[0010]进一步地，所述控制模块采用的单片机，所述驱动模块、检测模块均连接于所述单片机，所述单片机通过所述接口板与所述分选机、上位机均相连接；
[0011]进一步地，所述驱动模块包括MOS管驱动器U1、电阻R1～R5、电容C1、C2，所述电阻
R1的一端与所述MOS管驱动器U1的2、4脚均相连接，所述电阻R1的另一端连接电源3.3V，所述电阻R2的一端接于所述MOS管驱动器U1的1脚，所述电阻R3的一端接于所述MOS管驱动器U1的8脚，所述电阻R2、R3的另一端均接于总线电压VBUS，所述电容C2的一端接于总线电压VBUS，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R5的一端与所述MOS管驱动器U1的5脚连接，所述电阻R5的另一端与所述电阻R4的一端、电容C1的一端均相连接，所述电阻R4、电容C1的另一端相连后接地，所述MOS管驱动器U1的4脚接于所述单片机；
[0012]进一步地，所述检测模块包括电流感应放大器U2、运算放大器U3、滤波器U4、比较器U5、电阻R6～R22、电容C3～C11、熔断器F1、F2；所述MOS管驱动器U1的5脚与所述电阻R6、R7的一端均相连接，所述MOS管驱动器U1的7脚与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R6的另一端与所述电流感应放大器U2的12脚均相连接，所述电流感应放大器U2的4脚经连接所述电阻R10后接地，所述电阻R7的另一端与所述电阻R9的一端、熔断器F1的一端、电流感应放大器U2的8脚均相连接，所述电阻R9的另一端接地，所述电阻R8的另一端与所述熔断器F2的一端连接，所述电容C3的一端与所述电容C4的一端、电流感应放大器U2的7脚均相连后接于电压V
‑
6102，所述电容C3的另一端接于所述电流感应放大器U2的6脚；所述电流感应放大器U2的4脚与所述运算放大器U3的3脚连接，所述运算放大器U3的5脚与所述电阻R11的一端连接，所述运算放大器U3的6脚与所述电阻R12、R13的一端均相连接，所述电阻R13的另一端接地，所述运算放大器U3的7脚与所述电阻R14的一端、电阻R12的另一端均相连接，所述电阻R14的另一端连接所述电容C6的一端，所述电容C6、电阻R13的另一端均接地，所述运算放大器U3的8脚与所述电容C5的一端相连后接电源3.3V，所述电容C5的另一端接地；所述电阻R15的一端与运算放大器U3的1、2脚、电阻R11的另一端均相连接，所述电阻R15的另一端连接所述电容C11的一端连接，所述电容C11的另一端与所述电阻R16的一端、滤波器U4的3脚均相连接，所述电阻R16的另一端与所述滤波器U4的4脚相连后接地，所述电阻R17连接于所述滤波器U4的1、8脚之间，所述电阻R18的一端接于所述滤波器U4的6脚，所述电阻R18的另一端与所述电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端接地，所述滤波器U4的7脚与所述电容C7的一端连接后接电源5V，所述电容C7的另一端接地；所述电阻R21的一端连接所述电阻R22的一端，所述电阻R21的另一端连接电源3.3V，所述电阻R22的另一端接地，所述比较器U5的4脚与所述电阻R19、R20的一端均相连接，所述电阻R20的另一端连接所述电源3.3V，所述电阻R19的另一端连接所述电容C10后接地，所述比较器U5的5脚与所述电容C9的一端连接后接电源5V，所述比较器U5的2脚与所述电容C9的另一端连接后接地；
[0013]进一步地，所述总线交换模块包括继电器JD1、电阻R23、R24、MOS管Q1、二极管D1、发光二极管LED1；所述继电器JD1的6脚连接所述熔断器F1的另一端，所述继电器JD1的3脚连接所述熔断器F2的另一端，所述继电器JD1的2、4、5、7脚均接于所述待测芯片，所述继电器JD1的1脚与所述二极管D1的负极、电阻R24的一端均相连接后接电源5V，所述电阻R24的另一端连接所述发光二极管LED1的正极，所述发光二极管LED1的负极与所述二极管D1的正极、继电器JD1的8脚、MOS管Q1的漏极均相连接，所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R23的一端相连后接于所述单片机，所述MOS管Q1的源极与所述电阻R23的另一端相连后接地；
[0014]一种雷管芯片测试方法，其特征在于，其包括以下步骤：
[0015]根据获取的操作指令向至少一个待测芯片发送测试指令，并根据所述待测芯片的回应信息确定测试参数；其中，测试参数包括通讯检测参数、电流检测参数和频率检测参
数；
[0016]基于所述测试参数与预设条件的比较，判断所述待测芯片的测试是否合格；
[0017]根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种雷管芯片测试系统，包括上位机和下位机，其特征在于：所述上位机，与被配置有待测芯片代号的数据服务平台连接，用于向所述下位机发送操作指令，并根据所述下位机返回的信息和调用的所述待测芯片代号获得测试结果，以及根据测试结果下发分管信号；所述下位机包括：测试设备，与所述上位机连接，用于根据操作指令向至少一个待测芯片发送测试指令，并根据所述待测芯片的回应信息确定测试参数，并将测试参数发送至所述上位机；其中，测试参数包括通讯检测参数、电流检测参数和频率检测参数；分选机，与所述上位机连接，用于根据所述分管信号对所述待测芯片进行良率分选。2.根据权利要求1所述的一种雷管芯片测试系统，其特征在于：所述测试设备具备电源板、测试板、接口板；所述电源板，与所述测试板连接，用于为所述测试板提供电源；所述测试板，与所述接口板、待测芯片均相连接，用于提供所述待测芯片的功能测试；所述接口板，与所述分选机、上位机均相连接，用于提供信号接口，实现与所述分选机和所述上位机的信号传递。3.根据权利要求2所述的一种雷管芯片测试系统，其特征在于：所述测试板上布置有控制模块、驱动模块、检测模块、总线交换模块，其中，所述驱动模块，与所述控制模块、检测模块、总线交换模块均相连接，用于为所述检测模块、总线交换模块提供驱动信号；所述检测模块，与所述控制模块、驱动模块、总线交换模块均相连接，用于对所述待测芯片进行功能检测，并将检测参数反馈至所述控制模块；所述总线交换模块，与所述待测芯片连接，用于进行总线信号交换。4.根据权利要求3所述的一种雷管芯片测试系统，其特征在于：所述控制模块采用的单片机，所述驱动模块、检测模块均连接于所述单片机，所述单片机通过所述接口板与所述分选机、上位机均相连接。5.根据权利要求4所述的一种雷管芯片测试系统，其特征在于：所述驱动模块包括MOS管驱动器U1、电阻R1～R5、电容C1、C2，所述电阻R1的一端与所述MOS管驱动器U1的2、4脚均相连接，所述电阻R1的另一端连接电源3.3V，所述电阻R2的一端接于所述MOS管驱动器U1的1脚，所述电阻R3的一端接于所述MOS管驱动器U1的8脚，所述电阻R2、R3的另一端均接于总线电压VBUS，所述电容C2的一端接于总线电压VBUS，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R5的一端与所述MOS管驱动器U1的5脚连接，所述电阻R5的另一端与所述电阻R4的一端、电容C1的一端均相连接，所述电阻R4、电容C1的另一端相连后接地，所述MOS管驱动器U1的4脚接于所述单片机。6.根据权利要求5所述的一种雷管芯片测试系统，其特征在于：所述检测模块包括电流感应放大器U2、运算放大器U3、滤波器U4、比较器U5、电阻R6～R22、电容C3～C11、熔断器F1、F2；所述MOS管驱动器U1的5脚与所述电阻R6、R7的一端均相连接，所述MOS管驱动器U1的7脚与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R6的另一端与所述电流感应放大器U2的12脚均相连接，所述电流感应放大器U2的4脚经连接所述电阻R10后接地，所述电阻R7的另一端与所述电阻R9的一端、熔断器F1的一端、电流感应放大器U2的8脚均相连接，所述电阻R9的另一端接地，所述电阻R8的另一端与所述熔断器F2的一端连接，所述电容C3的一端与所述电容C4的一端、电流感应放大器U2的7脚均相连后接于电压V
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6102，所述电容C3的另一端接于所述
电流感应放大器U2的6脚；所述电流感应放大器U2的4脚与所述运算放大器U3的3脚连接，所述运算放大器U3的5脚与所述电阻R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思铭，刘建，孟志坚，开绍妹，潘之炜，
申请(专利权)人：无锡盛景微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：