【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器)、输入输出装置(例如,触摸面板)、它们的驱动方法或它们的制造方法。
技术介绍
[0003]近年来,显示装置被期待应用于各种用途。例如,作为大型显示装置的用途,可以举出家用电视装置(也称为电视或电视接收器)、数字标牌(Digital Signage)及公共信息显示器(PID:Public Information Display)等。此外,作为便携式信息终端,对具备触摸面板的智能手机及平板终端等已在进行研发。
[0004]另外,有显示装置的高清晰化的需求。作为需要高清晰显示装置的设备,例如面向虚拟现实(VR:Virtual Reality)、增强现实(AR:Augmented Reality)、替代现实(SR:Substitutional Reality)以及混合现实(MR:Mixed Reality)的设备的开发很活跃。
[0005]作为显示装置,例如已开发了包括发光器件(也称为发光元件)的发光装置。利用电致发光(Electroluminescence,以下称为EL)现象的发光器件(也记载为“EL器件”、“EL元件”)具有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置,包括:第一发光器件;以及第二发光器件,其中,所述第一发光器件包括第一导电层、所述第一导电层上的第二导电层、所述第二导电层上的第一发光层以及所述第一发光层上的公共电极,所述第二发光器件包括第三导电层、所述第三导电层上的第四导电层、所述第四导电层上的第二发光层以及所述第二发光层上的所述公共电极,所述第二导电层覆盖所述第一导电层的侧面,所述第四导电层覆盖所述第三导电层的侧面,所述第一发光层的端部与所述第二导电层的端部对齐或大致对齐,并且,所述第二发光层的端部与所述第四导电层的端部对齐或大致对齐。2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括第一绝缘层,其中所述第一绝缘层覆盖所述第一发光层、所述第二发光层、所述第二导电层及所述第四导电层的每个侧面,并且所述公共电极位于所述第一绝缘层上。3.根据权利要求2所述的显示装置,还包括第二绝缘层,其中所述第一绝缘层包含无机材料,并且所述第二绝缘层包含有机材料并隔着所述第一绝缘层与所述第一发光层及所述第二发光层的每个侧面重叠。4.根据权利要求2或3所述的显示装置,还包括第一层,其中所述第一层位于所述第一发光层上,从截面看时,所述第一层的一个端部与所述第一发光层的端部及所述第二导电层的端部对齐或大致对齐,所述第一层的另一个端部位于所述第一发光层上,并且所述第一绝缘层覆盖所述第一层的顶面。5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述第一层具有无机绝缘层及所述无机绝缘层上的导电层的叠层结构。6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其中所述第一发光器件在所述第一发光层与所述公共电极之间包括公共层,所述第二发光器件在所述第二发光层与所述公共电极之间包括所述公共层,并且所述公共层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。7.一种显示装置,包括:第一发光器件;以及第二发光器件,其中所述第一发光器件包括第一导电层、所述第一导电层上的第二导电层、所述第二导电层上的第一EL层以及所述第一EL层上的公共电极,所述第二发光器件包括第三导电层、所述第三导电层上的第四导电层、所述第四导电层上的第二EL层以及所述第二EL层上的所述公共电极,所述第一EL层包括所述第二导电层上的第一发光单元、所述第一发光单元上的第一电
荷产生层以及所述第一电荷产生层上的第二发光单元,所述第二EL层包括所述第四导电层上的第三发光单元、所述第三发光单元上的第二电荷产生层以及所述第二电荷产生层上的第四发光单元,所述第二导电层覆盖所述第一导电层的侧面,所述第四导电层覆盖所述第三导电层的侧面,所述第一EL层的端部与所述第二导电层的端部对齐或大致对齐,并且所述第二EL层的端部与所述第四导电层的端部对齐或大致对齐。8.根据权利要求7所述的显示装置,还包括第一绝缘层,其中所述第一绝缘层覆盖所述第一EL层、所述第二EL层、所述第二导电层及所述第四导电层的每个侧面,并且所述公共电极位于所述第一绝缘层上。9.根据权利要求8所述的显示装置,还包括第二绝缘层,其中所述第一绝缘层包含无机材料,并且所述第二绝缘层包含有机材料并隔着所述第一绝缘层与所述第一EL层及所述第二EL层的每个侧面重叠。10.根据权利要求8或9所述的显示装置,还包括第一层,其中所述第一层位于所述第一EL层上,从截面看时,所述第一层的一个端部与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:冈崎健一,中泽安孝,佐藤来,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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