电磁波检测器、电磁波检测器阵列及电磁波检测器的制造方法技术

电磁波检测器(100)具备：半导体层(1)；绝缘层(5)，所述绝缘层(5)配置在半导体层上，并形成有开口部(6)；二维材料层(2)，所述二维材料层(2)从开口部上延伸至绝缘层上，并包含与面向开口部的绝缘层的周缘部(5A)相接的连接部，且与半导体层电连接；第一电极部(3)，所述第一电极部(3)配置在绝缘层上，且与二维材料层电连接；第二电极部(4)，所述第二电极部(4)与半导体层电连接；以及单极阻挡层(7)，所述单极阻挡层(7)配置在半导体层与二维材料层的连接部之间，分别与半导体层及二维材料层电连接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波检测器、电磁波检测器阵列及电磁波检测器的制造方法


[0001]本公开涉及一种电磁波检测器
、
电磁波检测器阵列及电磁波检测器的制造方法
。

技术介绍

[0002]以往，作为在下一代的电磁波检测器中使用的电磁波检测层的材料，已知有作为二维材料层的一例的迁移率极高的石墨烯
。
而且，作为下一代的电磁波检测器，已知有使用石墨烯场效应晶体管的电磁波检测器，所述石墨烯场效应晶体管将单层或多层石墨烯应用于场效应晶体管的沟道
。
[0003]在美国专利申请公开第
2015/0243826
号说明书
(
专利文献
1)
记载的检测器中，为了降低石墨烯场效应晶体管的暗电流，在形成于将硅基板的表面覆盖的绝缘膜的开口部内，以将开口部覆盖的方式形成的石墨烯与硅基板直接接触
。
在该检测器中，通过在充分注入了
n
型或
p
型的杂质的石墨烯与注入了
p
型或
n
型的杂质的硅基板的界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种电磁波检测器，其中，所述电磁波检测器具备：半导体层；绝缘层，所述绝缘层配置在所述半导体层上，并形成有开口部；二维材料层，所述二维材料层从所述开口部上延伸至所述绝缘层上，并包含与面向所述开口部的所述绝缘层的周缘部相接的连接部，且与所述半导体层电连接；第一电极部，所述第一电极部配置在所述绝缘层上，且与所述二维材料层电连接；第二电极部，所述第二电极部与所述半导体层电连接；以及单极阻挡层，所述单极阻挡层配置在所述半导体层与所述二维材料层的所述连接部之间，分别与所述半导体层及所述二维材料层电连接
。2.
根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述单极阻挡层被配置成将位于所述开口部的内部的所述半导体层覆盖，所述二维材料层经由所述单极阻挡层与所述半导体层电连接
。3.
根据权利要求2所述的电磁波检测器，其中，所述电磁波检测器还具备隧道层，所述隧道层在所述开口部的内部配置在所述二维材料层与所述单极阻挡层之间，所述二维材料层通过在所述隧道层流动的隧道电流而与所述单极阻挡层电连接
。4.
根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述单极阻挡层具有环状部分，所述环状部分在俯视时呈环状地配置在所述开口部的内部，所述二维材料层与在俯视时位于比所述环状部分靠内侧的位置的所述半导体层的一部分相接
。5.
根据权利要求4所述的电磁波检测器，其中，所述单极阻挡层配置在所述半导体层上，所述单极阻挡层具有锥形部，所述锥形部随着远离所述绝缘层的所述周缘部而厚度逐渐变薄
。6.
根据权利要求4所述的电磁波检测器，其中，所述单极阻挡层被埋入到所述半导体层的内部，所述绝缘层的所述周缘部配置在所述单极阻挡层上
。7.
根据权利要求4～6中任一项所述的电磁波检测器，其中，所述半导体层包含：第一半导体区域，所述第一半导体区域与所述二维材料层相接且具有第一导电类型；以及第二半导体区域，所述第二半导体区域与所述第二电极部相接且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述第一半导体区域与所述第二半导体区域
pn
接合
。8.
根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述单极阻挡层具有环状部分，所述环状部分在俯视时呈环状地配置在所述开口部的内部，所述电磁波检测器还具备隧道层，所述隧道层具有第一部分，所述第一部分配置于在俯视时位于比所述环...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥田聪志，小川新平，福岛昌一郎，岛谷政彰，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：