根据本发明专利技术的实施例，提供了一种气溶胶生成装置。气溶胶生成装置包括用于接收气溶胶形成基质的加热室(10)。气溶胶生成装置包括用于加热气溶胶形成基质的加热器组件。所述加热器组件包括被配置成用于产生电磁辐射束的光子装置(12)。所述气溶胶生成装置被配置成用于通过将电磁辐射束朝向所述气溶胶形成基质引导来加热所述气溶胶形成基质。本发明专利技术还涉及一种包括气溶胶生成装置和气溶胶生成制品的气溶胶生成系统。胶生成系统。胶生成系统。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有光子加热装置的气溶胶生成装置
[0001]本公开涉及一种气溶胶生成装置。本公开还涉及一种气溶胶生成系统，所述气溶胶生成系统包括气溶胶生成装置和气溶胶生成制品。
技术介绍
[0002]已知提供了一种用于生成可吸入蒸气的气溶胶生成装置。此类装置可加热包含在气溶胶生成制品中的气溶胶形成基质，而不会燃烧该气溶胶形成基质。气溶胶生成制品可以具有适于将气溶胶生成制品插入到气溶胶生成装置的加热室中的形状。例如，气溶胶生成制品可具有条形状。加热元件可以布置于加热室中或加热室周围，以用于一旦将气溶胶生成制品插入气溶胶生成装置的加热室中就加热气溶胶形成基质。
[0003]已知通过加热与气溶胶形成基质热接触的表面来加热气溶胶形成基质。通过热传导将来自被加热表面的热量传递到气溶胶形成基质。这通常需要被加热表面和气溶胶形成基质之间紧密物理接触。通常，由被加热的气溶胶形成基质产生的残留物可在接触基质的被加热表面上积累。
[0004]期望具有可以非接触方式加热气溶胶形成基质的气溶胶生成装置。期望具有可加热气溶胶形成基质而不使被加热表面物理接触气溶胶形成基质的气溶胶生成装置。期望具有可加热气溶胶形成基质并具有较少的残留物积累的气溶胶生成装置。
[0005]期望提供仅具有待加热的低热质量的气溶胶生成装置。期望提供可被快速加热的气溶胶生成装置。期望提供一种允许气溶胶形成基质的温度快速响应加热方案的变化的气溶胶生成装置。
[0006]期望提供一种具有低热滞后效应的气溶胶生成装置。期望提供可高效加热基质的气溶胶生成装置。期望提供一种允许气溶胶形成基质的温度快速响应目标温度的变化的气溶胶生成装置。
技术实现思路
[0007]根据本专利技术的实施例，提供了一种气溶胶生成装置。所述气溶胶生成装置可包括用于接收气溶胶形成基质的加热室。所述气溶胶生成装置可包括用于加热气溶胶形成基质的加热器组件。所述加热器组件可包括被配置成用于产生电磁辐射束的光子装置。所述气溶胶生成装置可以被配置成用于通过将电磁辐射束朝向所述气溶胶形成基质引导来加热所述气溶胶形成基质。
[0008]根据本专利技术的实施例，提供了一种气溶胶生成装置。气溶胶生成装置包括用于接收气溶胶形成基质的加热室。气溶胶生成装置包括用于加热气溶胶形成基质的加热器组件。所述加热器组件包括被配置成用于产生电磁辐射束的光子装置。所述气溶胶生成装置被配置成用于通过将电磁辐射束朝向所述气溶胶形成基质引导来加热所述气溶胶形成基质。
[0009]加热室可包括平行于加热室的纵向轴线的第一侧壁。加热室可包括垂直于第一侧
壁布置的第二侧壁。第一侧壁的表面可以大于第二侧壁的表面。所述气溶胶生成装置可以被配置成用于通过穿过所述加热室的第一侧壁的至少一部分并且朝向所述气溶胶形成基质引导电磁辐射束来加热所述气溶胶形成基质。
[0010]入射电磁辐射束可例如经由第一侧壁的可透过部分或经由第一侧壁中的开口进入加热室。在电磁辐射时，气溶胶形成基质的温度可升高到气溶胶形成过程中所需的气溶胶形成基质的温度。
[0011]所述气溶胶生成装置可以被配置成用于通过将电磁辐射束引导到所述气溶胶形成基质或引导到所述气溶胶形成基质上来加热所述气溶胶形成基质。引导到气溶胶形成基质或引导到所述气溶胶形成基质上的电磁辐射束可以至少部分地穿透到气溶胶形成基质中。
[0012]如本文所用，术语“第一侧壁的表面”和“第二侧壁的表面”是指侧壁的相应面积或表面面积。第一侧壁的面积超过第二侧壁的面积。
[0013]例如，加热室可具有与传统香烟的形状在某种程度上类似的细长圆柱体的形状。在此类实施例中，第一侧壁可以是细长圆柱体的圆柱形侧壁，并且第二侧壁可以是圆柱体的顶壁和底壁中的一者或两者。
[0014]例如，加热室可具有在某种程度上类似于圆盘或硬币的形状的平坦圆柱体的形状。在此类实施例中，第一侧壁可以是圆柱体的顶壁和底壁中的一者或两者，且第二侧壁可以是平坦圆柱体的圆柱形侧壁。
[0015]通过经由加热室的具有大面积的第一侧壁照射所述基质，可有利地照射气溶胶形成基质的较大表面面积。这在光子装置利用进入气溶胶形成基质中的有限穿透深度的电磁辐射时可能是特别有利的。
[0016]所述气溶胶生成装置可包括在平行于所述加热室的第一侧壁的方向上延伸穿过所述加热室的气流路径。
[0017]电磁辐射束可以被引导穿过加热室的第一侧壁，并且气流路径可以在平行于加热室的第一侧壁的方向上延伸。进入加热室的电磁辐射束的方向可基本上正交于加热室内的气流路径的方向。
[0018]与传导或对流相反，光子装置通过电磁波传递能量。通过借助于电磁辐射束加热气溶胶形成基质，气溶胶生成装置可以非接触式方式加热气溶胶形成基质。加热气溶胶形成基质不需要或只需要气溶胶形成基质和热传导元件的被加热表面之间的很少物理接触。省略或减小热传导元件的被加热表面可以减小待加热的总热质量。这可以允许高速和高效率加热。
[0019]在气溶胶形成基质与被加热表面之间没有物理接触或只有很少物理接触也可以减少在使用期间的残留物积累。
[0020]低热质量对于气溶胶生成装置更快地将气溶胶形成基质加热到所需温度可能是有益的。低热质量对于气溶胶生成装置具有较少的热滞后效应可能是有益的。低热质量对于气溶胶生成装置更高效加热基质可能是有益的。
[0021]当与其它加热器例如电阻性加热器相比时，光子装置可具有更短的开/关响应时间。光子装置的短响应时间对于气溶胶生成装置更快速地将气溶胶形成基质加热到所需温度可能是有益的。光子装置的短响应时间对于气溶胶生成装置具有较少的热滞后效应可能
是有益的。光子装置的短响应时间对于气溶胶生成装置更高效加热基质可能是有益的。例如，加热可以被快速关闭且再次打开，这取决于气溶胶生成装置的抽吸传感器是否检测到抽吸。更短的响应时间可以允许当随时间改变电源时更精确的动态热控制。例如，当温度已经降到预定阈值以下时，可以通过增大供应功率来将气溶胶形成基质的温度快速升高到期望温度。
[0022]光子装置可包括光源。光子装置可包括基于半导体的电子器件、激光器、发光二极管、激光二极管和IR发射器中的一者或多者。光子装置可包括IR激光二极管。光子装置可包括多个光源。光子装置可包括2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个光源。光子装置可包括2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个IR激光二极管。
[0023]如本文所用，“IR”是指红外光。一般来说，红外光可以是波长范围从约780纳米到约15微米或甚至到约1000微米的电磁辐射。
[0024]光子装置可以被配置成用于发射波长范围在800纳米至2500纳米之间的电磁辐射。光子装置可以被配置成用于发射波长范围在1100纳米至2000纳米之间的电磁辐射。光子装置可以被配置成用于发射波长范围在1400纳米至1700纳米之间的电磁辐射。光子装置可以被配置成用于发射波长约为1550纳米的电磁辐射。
[0025]不同材料以不同频本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气溶胶生成装置，包括，加热室，所述加热室用于接收气溶胶形成基质，以及加热器组件，所述加热器组件用于加热所述气溶胶形成基质，其中所述加热器组件包括被配置成用于产生电磁辐射束的光子装置，其中所述气溶胶生成装置被配置成用于通过将电磁辐射束引导到所述气溶胶形成基质上来加热所述气溶胶形成基质，并且其中所述加热室相对于所述气溶胶生成装置的纵向轴线布置在所述光子装置与所述气溶胶生成装置的口端之间。2.根据权利要求1所述的气溶胶生成装置，其中所述加热室包括平行于所述加热室的纵向轴线的第一侧壁，以及布置成与所述第一侧壁垂直的第二侧壁，其中所述第一侧壁的表面大于所述第二侧壁的表面，并且其中所述气溶胶生成装置被配置成用于通过穿过所述加热室的第一侧壁的至少一部分并且朝向所述气溶胶形成基质引导电磁辐射束来加热所述气溶胶形成基质。3.根据权利要求2所述的气溶胶生成装置，包括光束引导装置，所述光束引导装置用于将电磁辐射束朝向所述加热室的第一侧壁引导。4.根据权利要求3所述的气溶胶生成装置，其中所述光束引导装置包括反射表面，所述反射表面被布置成朝向所述加热室偏转入射的电磁辐射束。5.根据权利要求4所述的气溶胶生成装置，其中所述反射表面布置在所述气溶胶生成装置的倾斜壁上，其中所述倾斜壁相对于所述气溶胶生成装置的纵向轴线倾斜小于90度的角度，并且其中所述倾斜壁围绕所述加热室的第一侧壁同轴地布置，优选地，其中所述加热室的第一侧壁包括IR透射材料。6.根据权利要求3至5中任一项所述的气溶胶生成装置，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：菲利普莫里斯生产公司，
类型：发明
国别省市：
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