鳍式场效应晶体管（制造技术

集成电路可包括由

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】鳍式场效应晶体管(FinFET)谐振器
[0001]本申请要求于
2021
年3月
24
日提交的美国专利申请
17/211,391
号的优先权，该美国专利申请据此全文以引用方式并入本文
。


[0002]本文所述的实施方案总体上涉及集成电路，并且更具体地，涉及具有谐振器的集成电路，该谐振器由鳍式场效应晶体管
(FinFET)
形成
。

技术介绍

[0003]电子设备通常包括无线通信电路系统，诸如收发器
。
收发器包括振荡器，振荡器用于产生用于数据调制的载波波形
。
现有技术的收发器需要能够产生千兆赫频率范围内的信号的振荡器
。
[0004]传统上，高频振荡器使用片外晶体振荡器来实现
。
晶体振荡器产生兆赫频率范围内的信号，然后使用收发器集成电路芯片内的锁相环将其倍增到更高频率
。
以这种方式产生和分配振荡器信号会消耗大量的功率
。

技术实现思路

[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种谐振器，包括：具有突出鳍片的线性阵列的衬底，所述突出鳍片的线性阵列由确定所述谐振器的谐振频率的鳍片间距表征；和形成在所述突出鳍片的线性阵列上的栅极导体，所述栅极导体被配置为：在垂直于所述突出鳍片的线性阵列中的每个鳍片的方向上延伸；以及与所述突出鳍片的线性阵列中的相邻鳍片的相应组形成驱动单元，使得所述驱动单元接收产生声波的驱动信号，所述声波沿着所述突出鳍片的线性阵列传播并且以在所述谐振频率的次谐波频率范围中的频率进行脉冲
。2.
根据权利要求1所述的谐振器，其中所述栅极导体还被配置为与所述突出鳍片的线性阵列中的相邻鳍片的相应组形成感测单元，使得所述感测单元感测所述声波
。3.
根据权利要求1所述的谐振器，其中所述声波进行脉冲的所述频率是所述谐振频率的分数
。4.
根据权利要求3所述的谐振器，其中所述声波进行脉冲的所述频率是所述谐振频率的二分之一
。5.
根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述突出鳍片的线性阵列由鳍片宽度表征；所述驱动单元中的第一驱动单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述驱动端子中的正驱动端子；所述驱动单元中的第二驱动单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述驱动端子中的负驱动端子；所述驱动单元中的所述第一驱动单元中的所述一对相邻鳍片由等于所述鳍片间距减去所述鳍片宽度的鳍片到鳍片间隔分开；并且所述驱动单元中的所述第一驱动单元和所述驱动单元中的所述第二驱动单元由居间区域分开，所述居间区域延伸等于所述鳍片宽度的四倍加上所述鳍片到鳍片间隔的五倍的距离
。6.
根据权利要求5所述的谐振器，其中所述居间区域包括在所述突出鳍片的线性阵列中的四个完全形成的鳍片
。7.
根据权利要求5所述的谐振器，其中所述居间区域包括在所述突出鳍片的线性阵列中的四个部分地形成的鳍片
。8.
根据权利要求5所述的谐振器，其中所述居间区域没有鳍片
。9.
根据权利要求5所述的谐振器，其中所述正驱动端子和所述负驱动端子被配置为接收具有与所述声波进行脉冲的所述频率相等的驱动频率的差分驱动信号
。10.
根据权利要求2所述的谐振器，其中：所述突出鳍片的线性阵列由鳍片宽度表征；所述感测单元中的第一感测单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述感测端子中的正感测端子和接地端子；所述感测单元中的第二感测单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述感测端子中的负感测端子和所述接地端子；所述感测单元中的所述第一感测单元中的所述一对相邻鳍片由等于所述鳍片间距减
去所述鳍片宽度的鳍片到鳍片间隔分开；并且所述感测单元中的所述第一感测单元和所述感测单元中的所述第二感测单元由居间区域分开，所述居间区域延伸等于所述鳍片宽度的四倍加上所述鳍片到鳍片间隔的五倍的距离
。11.
根据权利要求
10
所述的谐振器，其中所述感测单元中的所述第一感测单元和所述驱动单元中的一个驱动单元由附加居间区域分开，所述附加居间区域延伸等于所述鳍片宽度的四倍加上所述鳍片到鳍片间隔的五倍的距离
。12.
根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述突出鳍片的线性阵列由鳍片宽度表征；所述驱动单元中的第一驱动单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述驱动端子中的正驱动端子；所述驱动单元中的第二驱动单元包括所述突出鳍片的线性阵列中的一对相邻鳍片并且耦合到所述驱动端子中的负驱动端子；所述驱动单元中的所述第一驱动单元中的所述一对相邻鳍片由...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：