一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法技术

技术编号:3939841 阅读:336 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及无机材料中铁电/压电厚膜的制备方法,公开了一种铌酸钾钠(K0.5Na0.5NbO3,KNN)无铅压电厚膜的制备方法,该方法基于改性的化学溶液涂敷工艺。其包括以下步骤:(1)利用无水氯化铌和无水乙醇低成本制备乙醇铌;(2)利用无水乙酸钠、无水乙酸钾、乙醇铌通过PVP改性和离子掺杂制备铌酸钾钠前驱体溶液;(3)重复涂敷-热处理,即得到致密无裂纹的厚度为0.8-5μm的铌酸钾钠无铅压电厚膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机材料中铁电/压电厚膜的制备方法,特别涉及一种铌酸钾钠 (Ka5Naa5NbO3, KNN)无铅压电厚膜的制备方法,该方法基于改性的化学溶液涂敷工艺。
技术介绍
目前对压电材料的生产仍然集中 于传统的锆钛酸铅Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基压电陶 瓷,但是PZT基陶瓷中氧化铅的含量超过原料总质量的60%以上。氧化铅是一种易挥发的 有毒物质,给人类及生态环境带来严重的危害,这有悖于人类社会的可持续发展。无铅压电材料铌酸钾钠(KNN),由于其优异的压电性能,引起人们的广泛关注并 被认为是PZT基压电材料的替代品。另外,随着电子器件的小型化以及新的微电子机械 (MEMS)创建新型电子器件,压电材料也开始由陶瓷块体材料向着薄膜材料的方向发展。目 前为止所报道的纯KNN薄膜其铁电和压电性能都普遍比较差,典型的电滞回线只在用脉冲 激光沉积(PLD)法和气溶胶沉积(AD)法制备的KNN薄膜中得到,然而却没有其压电性能的 报道。用化学溶液沉积(CSD)法制备的KNN薄膜因其存在大的漏导而难以得到饱和极化 的电滞回线;并且,在热处理过程中碱金属离子的挥发被公认为是影响KNN体系铁电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备乙醇铌按摩尔比NbCl↓[5]∶乙醇=1∶(10-20)分别称量无水氯化铌和无水乙醇,先将无水氯化铌均匀分散于反应溶剂苯中,搅拌均匀后,滴入无水乙醇,再搅拌以促进其充分反应,然后通入氨气以去除其中引入的多余离子Cl↑[-],将得到的白色沉淀NH↓[4]Cl抽滤,得到的滤液用苯进行洗涤,常压蒸馏除去苯和多余的无水乙醇后,即得到纯的稳定的乙醇铌;(2)制备铌酸钾钠前驱体溶液根据铌酸钾钠K↓[0.5]Na↓[0.5]NbO↓[3]的化学计量比,并考虑到热处理过程中碱金属离子K↑[+]和Na↑[+]的挥发,按照摩尔比配方K∶Na∶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:任巍王玲艳姚姗姗史鹏纪红芬闫兴伟陈晓峰吴小清姚熹
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]

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