复合滤波器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不易产生各滤波器芯片中的衰减特性的劣化的复合滤波器装置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合滤波器装置


[0001]本专利技术涉及在同一基板上安装有多个滤波器芯片的复合滤波器装置
。

技术介绍

[0002]以往，在智能电话的
RF
级等中使用了复合滤波器装置
。
在下述的专利文献1记载的复合滤波器装置中，发送滤波器以及接收滤波器的一端公共连接于天线端子
。
发送滤波器是具有多个弹性波谐振器的梯型滤波器
。
接收滤波器具有纵向耦合谐振器型滤波器
。
在该复合滤波器装置中，构成发送滤波器的滤波器芯片和构成接收滤波器的滤波器芯片使用凸块而安装在同一基板上
。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第
2011/077773
号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在将多个滤波器芯片安装于同一基板上的情况下，为了容易制造，凸块的高度被设为相等
。
因此，各滤波器芯片与接地电位之间的寄生电感的值被设为大致固定
。
[0008]然而，合适的电感的值根据滤波器芯片的内部电路而不同
。
因此，根据滤波器芯片，有时滤波器特性中的衰减特性劣化
。
[0009]本专利技术的目的在于，提供一种不易产生多个滤波器芯片中的衰减特性的劣化的复合滤波器装置
。
[0010]用于解决问题的技术方案
[0011]本专利技术涉及的复合滤波器装置具备：基板，具有第1主面；第1滤波器芯片，具有第1导电性接合材料，并通过所述第1导电性接合材料安装在所述基板的所述第1主面；以及第2滤波器芯片，具有第2导电性接合材料，并通过所述第2导电性接合材料安装在所述基板的所述第1主面，所述第1滤波器芯片包含纵向耦合谐振器型滤波器，所述第2滤波器芯片不包含纵向耦合谐振器型滤波器，所述第1导电性接合材料的高度比所述第2导电性接合材料的高度低
。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术，能够提供一种不易产生第1滤波器芯片以及第2滤波器芯片的衰减特性的劣化的复合滤波器装置
。
附图说明
[0014]图1是本专利技术的第1实施方式涉及的复合滤波器装置的主视剖视图
。
[0015]图2是本专利技术的第1实施方式涉及的复合滤波器装置的电路图
。
[0016]图3是本专利技术的第2实施方式涉及的复合滤波器装置的主视剖视图
。
[0017]图4是本专利技术的第3实施方式涉及的复合滤波器装置的电路图
。
[0018]图5是本专利技术的第4实施方式涉及的复合滤波器装置的电路图
。
[0019]图6是本专利技术的第5实施方式涉及的复合滤波器装置的电路图
。
具体实施方式
[0020]以下，参照附图对本专利技术的具体的实施方式进行说明，由此明确本专利技术
。
[0021]另外，预先指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合
。
[0022]图1是本专利技术的第1实施方式涉及的复合滤波器装置的主视剖视图，图2是其电路图
。
[0023]复合滤波器装置1具有基板
2。
在基板2的作为第1主面的上表面
2a
，安装有第1滤波器芯片
11
以及第2滤波器芯片
12。
[0024]第1滤波器芯片
11
的内部电路是图2所示的纵向耦合谐振器型滤波器
11A。
第2滤波器芯片
12
的内部电路是图2所示的作为弹性波滤波器的梯型滤波器
12A。
[0025]即，复合滤波器装置1具有图2所示的一端公共连接于天线端子
ANT
的纵向耦合谐振器型滤波器
11A
以及梯型滤波器
12A。
纵向耦合谐振器型滤波器
11A
是接收滤波器
。
梯型滤波器
12A
是发送滤波器
。
[0026]如图1所示，在基板2的上表面
2a
，设置有安装用的电极连接盘
3a、3b、4a、4b。
第1滤波器芯片
11
具有芯片主体
11a
和设置在芯片主体
11a
的下表面的电极焊盘
11b、11c。
电极焊盘
11b、11c
经由第1凸块
13a、13b
而与电极连接盘
3a、3b
接合
。
第1凸块
13a、13b
包含焊料
、Au
等金属
。
[0027]第2滤波器芯片
12
具有芯片主体
12a
和设置在芯片主体
12a
的下表面的电极焊盘
12b、12c。
电极焊盘
12b、12c
经由第2凸块
14a、14b
而与电极连接盘
4a、4b
接合
。
第2凸块
14a、14b
也包含焊料
、Au
等金属
。
[0028]另外，在本实施方式中，作为第1导电性接合材料，使用了第1凸块
13a、13b。
此外，作为第2导电性接合材料，使用了第2凸块
14a、14b。
所谓导电性接合材料，是指如下的材料，即，包含导电性材料，配置在滤波器芯片与基板上表面之间，将滤波器芯片与基板接合并且电连接
。
这样的导电性接合材料并不限于凸块，也可以是凸块以外的包含导电性材料的接合材料
。
[0029]在复合滤波器装置1中，第1凸块
13a、13b
的高度被设得比第2凸块
14a、14b
的高度低
。
由此，可谋求第1滤波器芯片
11
中的衰减特性的改善，进而在第2滤波器芯片
12
中也能够改善衰减特性
。
这是基于以下的理由
。
[0030]第1滤波器芯片
11
的内部电路是纵向耦合谐振器型滤波器
11A。
在纵向耦合谐振器型滤波器
11A
中，若在与接地电位之间产生的寄生电感大，则衰减特性劣化
。
因此，优选第1凸块
13a、13b
的高度低
。
由此，能够抑制第1滤波器芯片
11
中的衰减特性的劣化
。
[0031]另一方面，第2滤波器芯片
12
的内部电路不具有纵向耦合谐振器型滤波器，而具有梯型滤波器
12A。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种复合滤波器装置，具备：基板，具有第1主面；第1滤波器芯片，具有第1导电性接合材料，并通过所述第1导电性接合材料安装在所述基板的所述第1主面；以及第2滤波器芯片，具有第2导电性接合材料，并通过所述第2导电性接合材料安装在所述基板的所述第1主面，所述第1滤波器芯片包含纵向耦合谐振器型滤波器，所述第2滤波器芯片不包含纵向耦合谐振器型滤波器，所述第1导电性接合材料的高度比所述第2导电性接合材料的高度低
。2.
根据权利要求1所述的复合滤波器装置，其中，在所述基板的所述第1主面与所述第2滤波器芯片之间，所述第1滤波器芯片安装在所述基板的所述第1主面
。3.
根据权利要求1或2所述的复合滤波器装置，其中，所述第1导电性接合材料以及所述第2导电性...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤成晃，安田润平，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：