阵列基板及其制造方法、显示面板与显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板与显示装置，涉及显示技术领域。该阵列基板的制造方法包括：提供衬底，衬底包括显示区和非显示区；在衬底的显示区上形成多个第一有源层；对多个第一有源层进行退火处理；对多个第一有源层进行退火处理后，在衬底的非显示区上形成多个第二有源层；对多个第二有源层采用选择性激光退火工艺进行退火处理；在通过选择性激光退火工艺进行退火处理时，仅对第二有源层所在的区域进行激光扫描。本公开提供的阵列基板的制造方法，能够降低退火工艺成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板与显示装置


[0001]本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板与显示装置。

技术介绍

[0002]在平板显示装置中，有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。目前AMOLED中，背板技术中制作多晶硅层，包括有采用准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，简称ELA)、固相晶化或金属诱导晶化等多种制作方法。而采用准分子激光退火工艺，来得到的背板中晶体管有源层的多晶硅薄膜是唯一已经实现量产的方法。
[0003]准分子激光退火工艺，是一种相对比较复杂的退火过程。ELA设备是用准分子激光束对基板上的非晶硅膜进行短时间照射，使其再结晶变成多晶硅膜的设备；退火工艺成本高。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种的阵列基板的制造方法，能够降低退火工艺成本。
[0006]根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板的制造方法，阵列基板的制造方法包括：
[0007]提供衬底，所述衬底包括显示区和非显示区；
[0008]在所述衬底的显示区上形成多个第一有源层；
[0009]对多个所述第一有源层进行退火处理；
[0010]对多个所述第一有源层进行退火处理后，在所述衬底的非显示区上形成多个第二有源层；
[0011]对多个所述第二有源层采用选择性激光退火工艺进行退火处理；在通过所述选择性激光退火工艺进行退火处理时，仅对所述第二有源层所在的区域进行激光扫描。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，采用选择性固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，采用选择性固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理，包括：
[0014]提供掩膜板，所述掩膜板上形成有多个掩模孔，多个所述掩模孔与多个所述第二有源层一一对应；
[0015]通过所述掩膜板，采用固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述掩膜板为覆盖所述非显示区上的所述多个
第二有源层的精细掩膜板。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述掩膜板包括多个子掩膜板，所述多个子掩膜板拼接在一起覆盖所述非显示区上的所述多个第二有源层，各所述子掩膜板覆盖所述非显示区上的部分所述第二有源层；
[0018]所述固态激光退火工艺的激光照射区域大小与所述子掩膜板所述覆盖的区域大小匹配。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，采用第一准分子激光退火工艺对多个所述第一有源层进行退火处理。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，采用第二准分子激光退火工艺对多个所述第二有源层进行选择性退火处理，且所述第二准分子激光退火工艺的扫描间距大于所述第一准分子激光退火工艺。
[0021]根据本公开的另一个方面，提供了一种阵列基板，阵列基板由上述的制造方法制得。
[0022]根据本公开的又一个方面，提供了一种显示面板，显示面板包括上述的阵列基板。
[0023]根据本公开的再一个方面，提供了一种显示装置，显示装置包括上述的显示面板。
[0024]本公开提供的阵列基板的制造方法，先通过预设工艺流程在显示区上形成第一有源层，并对第一有源层进行退火处理，以提高第一有源层作为晶体管沟道时的迁移率；接着在非显示区的GOA区(阵列栅极驱动区)上形成第二有源层，并对多个第二有源层进行退火处理，以提高第二有源层作为晶体管沟道时的迁移率；由于现在显示区上形成了第一有源层，因此可以保证显示区整面上形成的有源层的晶粒均匀性较好，以保证显示区形成的多个晶体管的电学性能，避免出现Mur(显示不均)，从而保证显示画质和性能；另外，由于GOA区上形成的晶体挂的均匀性要求相对显示区较低，因此可以在形成显示区的晶体管的第一有源层后，再形成GOA区上的晶体管的第二有源层；在通过选择性激光退火工艺进行退火处理时，仅对第二有源层所在的区域进行激光扫描，能够避免对第二有源层以外的区域进行扫描，一方面能够降低激光退火的工艺成本，另一方面还能允许在热敏元件存在于衬底上的情况下执行激光热退火。
[0025]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0026]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本公开的一种实施方式提供的阵列基板的示意图；
[0028]图2为相关技术中阵列基板上形成晶体管的示意图；
[0029]图3为本公开的一种实施方式提供的阵列基板的制造方法的流程图；
[0030]图4为本公开的一种实施方式提供的阵列基板上形成晶体管的示意图；
[0031]图5为本公开的一种实施方式提供的掩膜板的示意图；
[0032]图6为本公开的另一种实施方式提供的掩膜板的示意图。
具体实施方式
[0033]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0034]虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
[0035]用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
[0036]需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括显示区和非显示区；在所述衬底的显示区上形成多个第一有源层；对多个所述第一有源层进行退火处理；对多个所述第一有源层进行退火处理后，在所述衬底的非显示区上形成多个第二有源层；对多个所述第二有源层采用选择性激光退火工艺进行退火处理；在通过所述选择性激光退火工艺进行退火处理时，仅对所述第二有源层所在的区域进行激光扫描。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用选择性固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用选择性固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理，包括：提供掩膜板，所述掩膜板上形成有多个掩模孔，多个所述掩模孔与多个所述第二有源层一一对应；通过所述掩膜板，采用固态激光退火工艺对所述第二有源层进行退火处理。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜板为覆盖所述非显示区上的所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，王海鹏，李然，田宏伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：