一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括：衬底基板，包括显示区和位于显示区内的局部透明区，局部透明区包括至少一个子区域，子区域至少包括一个透明区域；至少一个第一像素，包括第一反射电极、第一半透半反电极以及第一发光层，且位于显示区内；以及至少一个第二像素，包括第二反射电极、第二半透半反电极以及第二发光层，第二像素位于子区域中除了透明区域之外的区域，第二半透半反电极的反射率大于第一半透半反电极的反射率。的反射率大于第一半透半反电极的反射率。的反射率大于第一半透半反电极的反射率。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示装置及其驱动方法
[0001]本申请为于2019年01月04日递交的中国专利技术专利申请第201980000061.9号的分案申请，其为2019年01月04日递交的PCT国际申请PCT/CN2019/070475的中国国家阶段的专利申请，在此全文引用上述专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
[0002]本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。
技术介绍
[0003]目前，随着显示装置市场的不断发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器因其具有自发光、对比度高、厚度薄、视角广响应速度快、可弯折以及使用温度范围广等优点成为了当前的主流的显示装置之一。
[0004]有机发光二极管通常包括阳极、阴极和夹在两个电极之间的有机电致发光单元，有机电致发光单元至少包括一个空穴传输层、一个发光层和一个电子传输层。有机发光二级管的有机电致发光单元被夹设在两个电极之间，并且有机电致发光单元的光学厚度几乎与发光波长在同一个量级，因此有机发光二级管的阴极和阳极可构成一个可窄化光谱的半导体微腔，使得发光层产生的光子被限制在由阴极和阳极可构成的半导体微腔内并形成多束光束的强干涉，从而可窄化发射光谱，对发射光谱的峰值波长有很好的调制作用。
技术实现思路
[0005]本公开实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和位于显示区内的局部透明区，所述局部透明区包括至少一个子区域，所述子区域至少包括一个透明区域；至少一个第一像素，包括第一反射电极、第一半透半反电极以及所述第一反射电极和所述第一半透半反电极之间的第一发光层，且位于所述显示区内；以及至少一个第二像素，包括第二反射电极、第二半透半反电极以及所述第二反射电极和所述第二半透半反电极之间的第二发光层，所述第二像素位于所述子区域中除了所述透明区域之外的区域，所述第二半透半反电极的反射率大于所述第一半透半反电极的反射率。
[0006]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一半透半反电极的材料与所述第二半透半反电极的材料相同，所述第二半透半反电极的厚度大于所述第一半透半反电极的厚度。
[0007]例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：第三像素，包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层，位于所述透明区域，所述第一电极为透明电极或半透半反电极，所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
[0008]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极包括氧化铟锡。
[0009]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第三像素的出光光谱的半高宽。
[0010]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，多个所述第一像素包围所述局部透明区。
[0011]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二像素的面积为所述第一像素面积的三分之二到四分之三。
[0012]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第一像素的出光光谱的半高宽。
[0013]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，各所述子区域包括呈2
×
2矩阵排列的四个面积相等的像素区域，所述第二像素和所述第三像素位于所述2
×
2矩阵的对角线上的两个所述像素区域中。
[0014]本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，其包括：图像获取装置；以及上述的阵列基板，所述阵列基板具有一个发光侧，所述图像获取装置在所述衬底基板上的正投影落入所述局部透明区，且位于所述阵列基板的与所述发光侧相反的一侧。
[0015]例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述透明区域包括：第三像素，包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层，所述第一电极为透明电极或半透半反电极，所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
[0016]例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：驱动器，与所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素分别相连，各所述子区域包括多个面积相等的像素区域，所述驱动器被配置为在所述子区域中一个或多个所述像素区域需要发光时，驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光。
[0017]本公开至少一个实施例提供一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括上述的显示装置，各所述子区域包括多个面积相等的像素区域，所述驱动方法包括：分别驱动所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素发光以共同显示画面包括：在所述子区域中一个或多个所述像素区域需要发光时，驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光。
[0018]例如，本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法还包括：采用配色方法对所述第二像素和所述第三像素分别进行配色以驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光以与所述第一像素共同显示所述画面，所述配色方法包括：分别获取所述第二像素和所述第三像素的色坐标矩阵；根据所述子区域需要显示的颜色和亮度以及所述第二像素和所述第三像素的亮度分配比例分别获取所述第二像素和所述第三像素的三刺激值；根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度；根据所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的驱动电压。
[0019]例如，在本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法中，根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度还包括：根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值由以下配色公式分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度：
[0020][0021]其中，L
R
、L
G
、L
B
分别为第二像素或第三像素中红绿蓝子像素的亮度；X、Y、Z为三刺
激值；Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz为R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的色坐标计算得到的参数；Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz组成的矩阵即为第二像素或第三像素的色坐标矩阵。
[0022]例如，在本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法中，分别获取所述第二像素和所述第三像素的色坐标矩阵包括：分别点亮所述第二像素和所述第三像素；以及根据所述第二像素中各子像素的亮度和颜色获取所述第二像素的色坐标矩阵，根据所述第三像素中各子像素的亮度和颜色获取所述第三像素的色坐标矩阵。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
[0024]图1为一种显示装置的平面示意图；
[0025]图2为一种阵列基板的平面示意图；
[0026]图3为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的示意图；
[0027]图4为图3所示的阵列基板中的子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和与显示区邻接的局部透明区，所述局部透明区包括至少一个子区域，所述子区域至少包括一个透明区域；至少一个第一像素，位于所述显示区内，所述第一像素包括第一反射电极、第一半透半反电极以及位于所述第一反射电极和所述第一半透半反电极之间的第一发光层；以及至少一个第二像素，位于所述局部透明区，所述第二像素包括第二反射电极、第二半透半反电极以及位于所述第二反射电极和所述第二半透半反电极之间的第二发光层，其中，所述第二半透半反电极的反射率大于所述第一半透半反电极的反射率。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一半透半反电极的材料与所述第二半透半反电极的材料相同，所述第二半透半反电极的厚度大于所述第一半透半反电极的厚度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一半透半反电极的厚度的取值范围为10nm
‑
15nm，所述第二半透半反电极的厚度的取值范围为15nm
‑
20nm。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二像素位于所述子区域中除了所述透明区域之外的区域，所述阵列基板还包括第三像素，位于所述透明区域，所述第三像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层，所述第一电极为透明电极或半透半反电极，所述第二电极为透明电极或半透半反电极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括氧化铟锡。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第三像素的出光光谱的半高宽。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的阵列基板，其中，多个所述第一像素包围所述局部透明区。8.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的阵列基板，其中，所述第二像素的面积为所述第一像素面积的三分之二到...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝文秀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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