一种晶闸管阀段顶压装置制造方法及图纸

技术编号:39331300 阅读:22 留言:0更新日期:2023-11-12 16:07
本发明专利技术提供了一种晶闸管阀段顶压装置,属于大功率电力子整流和逆变装置技术领域,包括端板、串联设置的晶闸管阀组和设置于晶闸管阀组两端的端板,还包括:限位冷却机构,设置于晶闸管阀组的外侧且与端板保持固定连接。该发明专利技术,实现了通过晶闸管阀组工作时的温度带动较低挥发度的酒精溶液挥发推动活塞板,使通过活塞板推动冷却液通过升液管组进入冷却腔内部散热,并在持续升温持续对冷却腔泵液至较高液位使,使冷却腔通过液压推动导流滑块通过回流管组回流,对连接框架、储液腔和晶闸管阀组进行降温冷却散热的效果,实现了通过利用晶闸管阀组工作时温度升高产生自动循环的水冷降温效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管阀段顶压装置


[0001]本专利技术涉及大功率电力子整流和逆变装置
,具体而言,涉及一种晶闸管阀段顶压装置。

技术介绍

[0002]晶闸管阀是指晶闸管级的电气和机械联合体,配有连接、辅助部件和机械结构,现有技术针对晶闸管阀段顶压技术如公开号为CN103354233A公开了一种晶闸管阀段及其顶压装置,包括轴线沿左右方向延伸、并用于在使用时沿左右方向导向移动装配于晶闸管阀段的框架上的顶杆,顶杆的右端设置有用于顶压所述晶闸管阀段的阀组左端部的顶压结构,顶杆上于顶压结构的左方设置有用于承接由相应加载机构施加的轴向加载力的承力结构,顶杆的外周旋装有用于与所述框架的左端板的右板面撑托配合的压紧螺母。本专利技术提供了一种结构简单、且具有较长使用寿命的顶压装置;但是现有技术仍具有一定的局限性,现有技术主要针对对晶闸管阀段的固定措施,在固定时缺乏完善的散热和消防机构,由于现有的晶闸管模块属于硅元件,硅元件的普遍特性是过载能力差,当晶闸管工作温度过高时,由于环境温度和冷却介质的温度都较高,导致晶闸管自身散热能力变差,容易使晶闸管结温过高,使得晶闸管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管阀段顶压装置,包括端板(1)、串联设置的晶闸管阀组(7)和设置于晶闸管阀组(7)两端的端板(1),其特征在于,还包括:限位冷却机构(5),设置于晶闸管阀组(7)的外侧且与端板(1)保持固定连接,通过设置于限位冷却机构(5)下方的储液腔(52)内部设置的分层空腔,通过储液腔(52)内部酒精溶液受热挥发,推动冷却液上升散热的同时储存,在温度升高后可以自动回流实现利用工作升温进行自循环水冷散热;气密腔(57),在温度过高时使气密腔(57)内部空气膨胀,推动设置于气密腔(57)内部的活塞滑块(571)滑动,连通设置于气密腔(57)顶部的储存腔(53)和限位冷却机构(5)内部液路,对限位冷却机构(5)内部冷却液温度降低,对晶闸管阀组(7)进行进一步高效散热。2.根据权利要求1所述的一种晶闸管阀段顶压装置,其特征在于,所述端板(1)相对于晶闸管阀组(7)对称设置,且所述端板(1)的侧边对称设置有两组分别与晶闸管阀组(7)的输入和输出端相连的导电板(2),所述晶闸管阀组(7)的外侧壁固定安装有多组串联设计的限位冷却机构(5),所述端板(1)和晶闸管阀组(7)、限位冷却机构(5)之间设置有缓冲板(4),所述端板(1)的侧壁固定安装有连接套筒(3),所述连接套筒(3)的内侧限位活动套接有一组压杆(31),所述压杆(31)的内部通过一组限位活塞与连接套筒(3)的内侧端部之间连接有缓冲弹簧(33),所述压杆(31)的另一端贯穿通过另一组端板(1),且所述压杆(31)与端板(1)相接触部分为螺纹连接,所述压杆(31)的外侧壁设置有用于紧固的紧固螺母(32),所述端板(1)的顶部固定安装有二氧化碳储罐(6),所述限位冷却机构(5)包括连接框架(51),所述连接框架(51)的底部侧壁连接处开设有储液腔(52),所述储液腔(52)的内侧固定安装有固定板(521),所述储液腔(52)的内侧限位密封活动套接有活塞板(522),所述连接框架(51)的顶部侧壁连接处开设有冷却腔(56)、气密腔(57)、导流腔(58)和密封腔(59),所述气密腔(57)的顶部设置有储存腔(53)。3.根据权利要求2所述的一种晶闸管阀段顶压装置,其特征在于,所述连接框架(51)的内部开设有多组升液管组(54),所述升液管组(54)的一端和储液腔(52)的顶部相连通,所述升液管组(54)的另一端和冷却腔(56)的上方保持连通,所述连接框架(51)与升液管组(54)相对称的一侧内部开设有多组回流管组(55),所述回流管组(55)的底端与储液腔(52)的顶部相连通。4.根据权利要求2所述的一种晶闸管阀段顶压装置,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘先福张奕赵远明方志军张建辉杨忠
申请(专利权)人:天津久隆新半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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